NJM2274 低電圧動作 Y/C MIX 回路内蔵ビデオアンプ 回路内蔵ビデオアンプ ■ 概 要 ■ 外 形 NJM2274 は、Y/CMIX 回路を内蔵した低電圧動作のビデオアンプです。 動作電源電圧は 2.8∼5.5V と低電圧駆動が可能であり、75Ωドライバ 回路内蔵のため、TV モニタ等の映像機器に直結ができます。 パワーセーブ回路を兼ねたミュート回路も備わり、低消費設計に適し ております。また、小型パッケージ搭載のため、デジタルスチルカメラ、 DVC、CCD カメラ等の小型映像機器に最適です。 NJM2274R ■ 特 徴 ● 動作電源電圧 2.8∼5.5V ● Y/C MIX 回路内蔵 ● 12dB アンプ ● 75Ωドライバ内蔵 (2 系統ドライブ可能) ● Y 信号入力：クランプタイプ C 信号入力：バイアスタイプ ● バイポーラ構造 ● 外形 VSP8 ■ ブロック図及 ブロック図及び 図及びピン配置 ピン配置 Power Save CTL V+ 5 6 Vref Yin 1 Clamp Discharge Cin 8 3 Vout 4 Vsag 750Ω Bias 7 C Mute CTL 2 GND Ver.13 -1- NJM2274 (Ta=25℃) ■ 絶対最大定格 項 電 消 動 保 目 源 費 作 温 存 温 記 電 電 度 範 度 範 圧 力 囲 囲 号 定 + 格 単 7.0 320 −40∼+85 −40∼+125 V PD Topr Tstg 位 V mW ℃ ℃ + ■ 電気的特性 ( V =3.0V,Ta=25℃) 項 動 作 消 目 電 源 費 記 電 電 号 圧 Vopr 流 ICC 条 件 最小 標準 最大 単位 2.8 3.0 5.5 V 無信号時 − 9.3 14.0 mA パワーセーブ時消費電流 Isave パワーセーブ時 − 0.8 1.4 mA 最 ル Vom 2.2 − − V 得 Gv 11.9 12.4 12.9 dB 性 Gf f=1kHz、THD=1% Yin=100kHz, 0.5Vpp 正弦波ビデオ信号入力※ Yin=10MHz/100kHz, 0.5Vpp 正弦波ビデオ信号入力※ -1.0 0.0 +1.0 dB 大 出 電 周 力 圧 波 レ ベ 利 数 特 微 分 利 得 DG Yin=0.5Vpp 10step ビデオ信号入力 − 2.5 − % 微 分 位 相 DP Yin=0.5Vpp 10step ビデオ信号入力 − 1.0 − deg クロマミュートクロス トーク CT Cin=4.43MHz,0.1Vpp 入力 − -65 − dB − 60 − dB − -40 − dB − 20 − kΩ S 2 / N 次 比 SNv 歪 Hv C 系入力インピーダンス Rcin Yin=0.5Vpp,100%ホワイトビデオ信号, Cin=ACgnd 帯域 100kHz∼6MHz, 75Ω終端 Yin=0.5Vpp,3.58MHz レッドフィールド ビデオ信号,Cin=ACgnd 75Ω終端 クロマ入力端子 + ミュート切替 H レベル VthMH 1.4 − V ミ ュート切替 L レベ ル VthML 0 − 0.6 パワーセーブ切替 H レベル VthPH 1.4 − V パワーセーブ切替 L レベル VthPL 0 − 0.6 V + V ※「正弦波ビデオ信号」指定波形 40µs < t < 50µs 714mVpp 357mVpp 286mVpp Ver.13 -2- NJM2274 ■ 制御端子説明 項 ク ロ マ ミ ( C m u t e パ ワ ー ( P S 目 制御端子 ュ ー ト C T L ) セ ー ブ C T L ) 備 H クロマミュート：ON L クロマミュート：OFF OPEN クロマミュート：OFF H パワーセーブ：OFF L パワーセーブ：ON OPEN パワーセーブ：ON 考 ■ 測定回路図 Cin Cmute CTL 100pF P.S CTL V+ 10µF 100pF 0.1µF 75Ω 50Ω 8 CIN 1000pF 7 6 5 Cmute CTL PS CTL V+ NJM2274 YIN GND Vout Vsag 1 2 3 4 0.1µF + + 100µF 22µF Vout2 75Ω Vout1 Yin 75Ω 50Ω 75Ω Ver.13 -3- NJM2274 ■ 応用回路例 (1) 標準回路例 Cin (2) サグ補正端子未使用回路例 サグ補正端子未使用回路例 Cmute CTL P.S CTL V+ Cin Cmute CTL P.S CTL V+ 10µF 0.1µF 75Ω 1000pF 10µF 0.1µF 75Ω 1000pF 8 7 6 5 8 7 6 5 CIN Cmute CTL PS CTL V+ CIN Cmute CTL PS CTL V+ NJM2274 NJM2274 YIN GND 1 Vout 2 0.1µF Vsag YIN GND Vout Vsag 4 1 2 3 4 3 + C1 + 100µF 75Ω C1 75Ω 75Ω Yin 0.1µF 22µF 470µF 75Ω Yin Vout + Vout (3) 2 系統ドライブ 系統ドライブ回路例 ドライブ回路例 Cin Cmute CTL P.S CTL V+ 10µF 0.1µF 75Ω 1000pF 8 7 6 5 CIN Cmute CTL PS CTL V+ NJM2274 YIN GND Vout Vsag 1 2 3 4 0.1µF C1 + 470µF 75Ω Yin 75Ω Vout1 75Ω Vout2 (1) 標準回路例 サグ補正の使用により、出力カップリングコンデンサーの容量値を小さくする事が出来ます。 白⇔黒バウンス信号等、低域の周波数成分を多く含む信号で波形を確認し、C1 の容量値を調整してください。 C1 の値を大きくするとサグは小さくなります。 (2) サグ補正未使用回路例 サグ補正未使用回路例 サグ補正を使用しない場合は、Vout 端子と Vsag 端子を IC 出力端でショートした後に、470µF 以上の出力 カップリングコンデンサーを接続してください。 (3) 2 系統ドライブ 系統ドライブ回路例 ドライブ回路例、 回路例、及び注意事項 本回路は 150Ω負荷を 2 系統駆動する為の回路です。APL 変動が大きい信号(White 100%、1Vp-p 以上)を入力し た場合に同期潰れが発生します。必ず APL 変動が大きい信号(White 100%、1Vp-p 以上)での波形確認を行った上 でご使用のご検討をお願いします。 Ver.13 -4- NJM2274 ■ 端子機能図 端子 端子名 端子 電圧 内部等価回路図 端子 端子名 5 V 端子 電圧 内部等価回路図 Vcc 1 Yin 1.3V 400 + − 400 1 6 12k 2 GND 0V 6 Power Save CTL. 0V 36k Vcc 7 12k 3 Vout 0.3V 6.4k 3 750 7 Cmute CTL 0V 36k Vcc Vcc 4 4 Vsag 0.38V 6.4k 750 8 Cin 1.4V 20k 400 8 Ver.13 -5- NJM2274 ■特 性 例 パワーセーブ時消費電流対電源電圧特性例 (Ta=25℃) 消費電流対電源電圧特性例 (Ta=25℃) 2000 パワーセーブ時消費電流 Isave (uA) 20 消費電流 Icc (mA) 15 10 5 0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 電源電圧 Ｖcc (V) 7.0 1500 1000 500 0 2.0 8.0 3.0 4.0 5.0 6.0 電源電圧 Vcc (V) 電圧利得対周波数特性例 (Ta=25℃) 8.0 電圧利得対電源電圧特性例 (Yin=100kHz,0.5Vpp) 20 14 13.5 電圧利得 Gv(dB) 15 電源利得 Ａｖ (ｄＢ) 7.0 10 13 12.5 12 5 11.5 0 100 1000 10000 周波数 ｆ (kHz) 11 2.0 100000 周波数特性対電源電圧特性例 (Yin=10MHz/100kHz,0.5Vpp) クロマミュートクロストーク CT(dB) 周波数特性 Gf (dB) 6.0 7.0 -40 2 1 0 -1 -2 -6- 4.0 5.0 電源電圧 Ｖcc (V) クロマミュートクロストーク対電源電圧特性例 (Cin=4.43MHz,0.1Vpp) 3 -3 2.0 3.0 -50 -60 -70 -80 -90 3.0 4.0 5.0 電源電圧 Vcc(V) 6.0 7.0 2.0 3.0 4.0 5.0 電源電圧 Ｖcc(V) 6.0 7.0 Ver.13 NJM2274 ■特 性 例 全高調波歪率対電源電圧特性例 (Vout=1kHz) 消費電流対周囲温度特性例 (Ｖcc=3V) 2 20 全高調波歪率 THD (%) 1.5 消費電流 Icc(mA) 15 1 0.5 2.4Vp-p 10 5 2.2Vp-p 0 2.0 3.0 4.0 5.0 電源電圧 Ｖcc(V) 6.0 0 -50 7.0 -25 1200 13.5 電圧利得 Gv(dB) 14 75 100 13 12.5 12 300 11.5 0 -50 -25 0 25 50 周囲 温度 Ta (℃) 75 11 -50 100 -25 周波数特性対周囲温度特性例 (Yin=10MHz/100kHz,0.5Vpp) 0 25 50 周囲温度 Ta(℃) 75 100 DG,DP対周囲温度特性例 (Yin=0.5Vpp) 3 5 2 4 DG (%) DP (deg) 1 Gf (dB) パワーセーブ時消費電流 Isave(uA) 1500 600 25 50 周囲温度 Ta (℃) 電圧利得対周囲温度特性例 (Yin=100kHz,0.5Vpp) パワーセーブ時消費電流対周囲温度特性例 (Ｖcc=3V) 900 0 0 3 DG 2 -1 1 -2 DP -3 -50 -25 0 25 50 周囲温度 Ta (℃) 75 100 0 -50 -25 0 25 50 周囲温度 Ta (℃) 75 100 Ver.13 -7- NJM2274 ■ 特 性 例 制御切り替え電圧対周囲温度特性例 -80 3 -75 2.5 -70 2 Vth (V) ミュートクロストーク CT(dB) ミュートクロストーク対周囲温度特性例 (Cin=4.43MHz,0.1Vpp) -65 1.5 Vth ON -60 1 Vth OFF -55 0.5 -50 -50 -25 0 25 50 周囲温度 Ta(℃) 75 100 125 0 -50 -25 0 25 50 周囲温度 Ta (℃) 75 100 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 Ver.13 -8-