NJM2115 2 回路入り低飽和電圧オペアンプ ■ 概 要 NJM2115 は低電圧動作 (±1.0V MIN)、および低飽和出力電圧 (±2.5V 電源で±2.0VP-P) を特徴とする汎用オペアンプです。 5V 単一電源での動作、および十分な出力電圧を必要とするポ ータブル CD、ラジカセ CD、ポータブル DAT 等のディジタルオーデ ィオ機器に最適です。また NJM2115 は NJM2100 のバイアス回路を 改良しているため、低電圧時 (<±2.5V)において NJM2100 よりさ らに低飽和な特性が得られます。 さらに V+/V->2.5V において NJM2100 より発振に対する安定 性が向上しています。 ■ 特 徴 ●動作電源電圧 (±1~±7V) ●低飽和出力電圧 ( ±2.0VP-P @ V+=±2.5V ) ●スルーレート (4V/µs typ.) ●利得帯域積 (12MHz typ.) ●バイポーラ構造 ●外形 DIP8,DMP8,SIP8,SSOP8,TVSP8 ■ 外 形 NJM2115D NJM2115L NJM2115M NJM2115V NJM2115RB1 ■ 端子配列 D, M, V, RB1 タイプ (Top View) ■ 等価回路図 Ver.2013-02-07 (下図の回路が 2 回路入っています) -1- NJM2115 ■ 絶対最大定格 ( Ta=25˚C ) 項 目 記 号 + 電源電圧 定 格 単 位 ± 7.0 V ± 14 V - V /V 差動入力電圧 VID ( D タイプ ) 500 ( M タイプ ) 300 消費電力 PD ( V タイプ ) 250 mW 動作温度 Topr ( L タイプ ) 800 ( RB1 タイプ ) 320 -40~+85 ˚C 保存温度 Tstg -40~+125 ˚C ■ 電気的特性 ( V+/V-=±2.5V,Ta=25˚C ) 項 目 入力オフセット電圧 入力バイアス電流 電圧利得 最大出力電圧 同相入力電圧範囲 同相信号除去比 電源電圧除去比 消費電流 スルーレート 利得帯域幅積 記 号 VIO IB AV VOM VICM CMR SVR ICC SR GB 条 件 RS≦10kΩ RL≥10kΩ RL≥2.5kΩ VIN=0,RL=∞ AV=1,VIN=± 1V f=10kHz 最 小 60 ±2 ± 1.5 60 60 - (注1) 使用回路の利得は、3dB~30dB までが実用的です。 (注2) ボルテージフォロワーで使用する場合には、同相入力電圧範囲と容量性負荷に因る発振に注意して下さい。 -2- 標 準 1 100 80 ± 2.2 74 80 3.5 4 12 最 大 6 300 5 - 単 位 mV nA dB V V dB dB mA V/µs MHz Ver.2013-02-07 NJM2115 ■ 特性例 入力オフセット電圧対電源電圧特性例 消費電流対電源電圧特性例 (Ta=25ºC) 5 (Ta=25ºC, RS=10kΩ) 3 入力オフセット電圧VIO(mV) 4.5 消費電流 Icc(mA) 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 2 1 0 -1 -2 0.5 0 -3 0 ±2 ±4 ±6 0 ±8 ±2 電源電圧V+/V-(V) 最大出力電圧対電源電圧特性例 入力バイアス電流 IB(nA) 最大出力電圧(V) 100 0 -2 -VOM -4 ±8 (Ta=25ºC) 120 +VOM 2 ±6 入力バイアス電流対電源電圧特性例 (RL=2.5kΩ, Ta=25ºC) 4 ±4 電源電圧V+/V-(V) -6 80 60 40 20 -8 0 ±2 ±4 ±6 + - 電源電圧V /V (V) Ver.2013-02-07 ±8 0 0 ±2 ±4 ±6 ±8 電源電圧 V+/V-(V) -3- NJM2115 ■ 特性例 電圧利得対周波数特性例 電圧利得/位相遅れ 対 周波数特性例 (V+/V-=±2.5V, Ta=25ºC) 120 (Ta=25ºC, V+/V-=2.5V) 60 40 φ 40 60 40 0 Av -40 30 -80 20 20 Vo 10 0 -120 100k 1k -160 2.5k 1k 0 10 1k 100k 周波数 f(Hz) 10M 1k 全高調波歪率対出力電圧特性例 0.1 位相φ(deg) 80 電圧利得Av(dB) 50 電圧利得Av(dB) 100 10k 100k 周波数 f (Hz) -200 10M 1M 入力換算雑音電圧対信号源抵抗特性例 (V+/V-=±3V, RL=2.4kΩ, Gain=10dB, Ta=25ºC) (V+/V-=±3V, Ta=25ºC) 10 100k 0.01 入力換算雑音電圧VNI(uV) 全高調波歪率THD(%) 100 20kHz 1kHz 0.001 20Hz 0.0001 0.01 Rg 1 0.1 0.1 1 出力電圧 Vo (Vrms) 10 1 (V+/V-=±2.5V, Ta=25ºC) (V+/V-=±2.5V, RL=2.5kΩ, Ta=25ºC) 3 2 最大出力電圧(V) 最大出力電圧振幅 Vopp (V) 10k +VOM 3 2 1 0 -1 1 -VOM -2 0 100 -4- 100 1k 信号源抵抗Rg(Ω) 最大出力電圧対負荷抵抗特性例 最大出力振幅周波数特性例 4 10 1k 10k 周波数f(Hz) 100k 1M -3 100 1k 10k 負荷抵抗 RL (Ω) 100k Ver.2013-02-07 NJM2115 ■ 特性例 消費電流対周囲温度特性例 入力オフセット電圧対周囲温度特性例 (V+/V-=±2.5V) 2 4.5 1.5 入力オフセット電圧VIO(mV) 5 消費電流 Icc(mA) 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 (V+/V-=±2.5V, RL=10kΩ) 1 0.5 0 -0.5 -1 -1.5 0.5 0 -2 -50 -25 0 25 50 周囲温度 Ta(ºC) 75 -50 100 入力バイアス電流対周囲温度特性例 0 25 50 周囲温度 Ta(ºC) 75 100 最大出力電圧対周囲温度特性例 (V+/V-=±2.5V) 120 3 100 2 80 1 最大出力電圧(V) 入力バイアス電流IB(nA) -25 60 40 20 (V+/V-=±2.5V、RL=2.5kΩ) +VOM 0 -1 -VOM -2 0 -3 -50 -25 0 25 50 周囲温度 Ta(ºC) 75 100 -50 -25 0 25 50 周囲温度 Ta(ºC) 75 100 <注意事項> このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 Ver.2013-02-07 -5-