NJM2377T1

NJM2377-T1
スイッチングレギュレータ用コントロールＩＣ
■特 徴
●-40℃～+125℃全温度特性保証
●PWM 方式スイッチング電源制御
●電源電圧範囲
(2.7V～18V)
●広帯域周波数
(10kHz～500kHz)
●ON/OFF 最大デューティー比 (Ton:Toff=9:1)
●トーテムポール出力形式
●ソフトスタート機能内蔵
●UVLO（低電圧誤動作防止回路）内蔵
●バイポーラ構造
●外形
T 仕様：VSP-8
■外 形
NJM2377R
■端子配列
REF
CT
CS
V
8
7
6
5
+
30uA
VREF
ピン配置
1. IN2. F.B
3. GND
4. OUT
5. V+
6. CS
7. CT
8. REF
OSC
L.O
U.V.LO
S.C.P
ER･AMP
0.52V
PWM
1
IN-
2
F.B
3
GND
4
OUT
Ver 2.1 - 1 -
NJM2384
■絶対最大定格
項
NJM2377-T1
(Ta=25°C)
目
記
号
V
IO
PD
TOPR
TSTG
電源電圧
出力電流
消費電力
動作温度範囲
保存温度範囲
（※1）PD 値：基板実装時
（※2）PD 値：基板実装時
■推奨動作条件
項
(VSP-8)
格
単
18
±50
495（※1） 660（※2）
-40～+125
-50～+150
位
V
mA
mW
°C
°C
76.2 x 114.3 x 1.6mm(FR-4, 2 層)、EIA/JEDEC 準拠
76.2 x 114.3 x 1.6mm(FR-4, 4 層)、EIA/JEDEC 準拠
(V+=3V, Ta=25°C)
目
電源電圧範囲
フィードバック抵抗
発振器タイミングコンデンサ
発振器タイミング抵抗
発振周波数
-2-
定
+
記
号
+
V
RNF
CT
RT
fOSC
最 小
2.7
100
220
5
10
最
大
18
－
22,000
100
500
単
位
V
kΩ
pF
kΩ
kHz
NJM2377-T1
NJM2384
■電気的特性
(V+=3V, RT=39kΩ, CT=470pF, Ta=25°C)
基準電圧部
項
目
出力電圧
ラインレギュレーション
ロードレギュレーション
記
号
VREF
条
件
最小
標準
最大
単位
1.47
－
－
1.50
3.8
5
1.53
11.5
30
V
mV
mV
最小
標準
最大
単位
RT=39kΩ, CT=470pF
V+=2.7V～18V, IOR=1mA
80
120
－
100
1
－
kHz
%
Ta=-40°C～+85°C
－
5
－
%
最小
標準
最大
単位
0.51
－
－
－
1.9
－
40
0.52
5
90
1.0
2.2
－
85
0.53
100
－
－
2.4
200
200
V
nA
dB
MHz
V
mV
uA
最小
標準
最大
単位
IOR=1mA
+
⊿VO-VIN V =2.7V～18V, IOR=1mA
⊿VO-IO IOR=0.1mA～5.0mA
発振器部
項
目
記
号
fOSC
fdV
発振周波数
周波数変動 1
（電源電圧変化）
周波数変動 2
（温度変化）
fdT
条
件
誤差増幅器部
項
目
基準電圧
入力バイアス電流
開ループ利得
単一利得帯域幅
最大出力電圧
(F.B 端子)
出力ソース電流 (F.B 端子)
記
号
VB
IB
AV
GB
VOM+
VOMIOM+
条
件
RNF=100kΩ, IN-端子=0V
RNF=100kΩ, IN-端子=1V
VOM=1V, IN-端子=0V
PWM 比較器部
項
目
入力スレッシホールド電圧
(F.B 端子)
入力スレッシホールド電圧
(F.B 端子)
最大デューティーサイクル
記
号
条
件
VTH0
duty･cycle=0%
－
0.45
0.55
V
VTH80
duty･cycle=80%
－
1.05
－
V
αM
F.B 端子=1.2V
RT=39kΩ, CT=470pF
80
90
－
%
最小
標準
最大
単位
－
－
250
0.25
650
0.35
nA
V
－
0.79
－
V
ソフトスタート回路部
項
目
記
号
IBCS
入力バイアス電流 (CS 端子)
V
入力スレッシホールド電圧
THCS0
(CS 端子)
VTHCS80
入力スレッシホールド電圧
(CS 端子)
条
duty･cycle=0%
F.B 端子=1.2V
duty･cycle=80%
F.B 端子=1.2V
件
-3-
NJM2384
■電気的特性
NJM2377-T1
(V+=3V, RT=39kΩ, CT=470pF, Ta=25°C)
短絡保護回路部
項
目
入力スレッシホールド電圧
(F.B 端子)
充電電流
(CS 端子)
ﾗｯﾁﾓｰﾄﾞ･ｽﾚｯｼﾎｰﾙﾄﾞ電圧
(CS 端子)
記
号
条
件
VTHPC
ICHG
VTHLA
CS 端子=0V, F.B 端子=2V
最小
標準
最大
単位
1.30
1.50
1.80
V
10
1.20
30
1.50
50
1.80
μA
V
最小
標準
最大
単位
－
－
60
1.95
1.78
170
－
－
－
V
V
mV
最小
標準
最大
単位
1.7
2.0
V
－
23
0.25
35
－
0.65
最小
－
－
低電圧誤動作防止回路部
項
目
ON スレッシホールド電圧
OFF スレッシホールド電圧
ヒステリシス幅
記
号
条
件
VTHON
VTHOFF
VHYS
出力回路部
項
目
H レベル出力電圧(OUT 端子)
記
号
VOH
条
件
RL=10kΩ
VOL
L レベル出力電圧(OUT 端子)
出力シンク電流=20mA
出力ソース電流 (OUT 端子) ISOURCE OUT 端子=0V
－
V
mA
標準
最大
単位
1.7
5.0
2.4
6.8
mA
mA
総合特性
項
電源電流
平均電源電流
-4-
目
記
号
ICCLA
ICCAV
条
件
ラッチモード時, CS 端子=1.8V
RL=∞, duty･cycle=50%
NJM2377-T1
NJM2384
■電気的特性
(V+=3V, RT=39kΩ, CT=470pF, Ta=-40℃～+125℃)
基準電圧部
項
目
出力電圧
ラインレギュレーション
ロードレギュレーション
記
号
VREF
条
件
IOR=1mA
+
⊿VO-VIN V =2.7V～18V, IOR=1mA
⊿VO-IO IOR=0.1mA～5.0mA
最小
標準
最大
単位
1.41
－
－
－
－
－
1.59
15
200
V
mV
mV
最小
標準
最大
単位
70
－
－
5
130
－
kHz
%
最小
標準
最大
単位
0.49
－
1.6
－
20
－
－
－
－
－
0.55
150
2.6
300
220
V
nA
V
mV
uA
最小
標準
最大
単位
発振器部
項
目
発振周波数
周波数変動 2（温度変化）
記
号
fOSC
fdT
条
件
RT=39kΩ, CT=470pF
Ta=-40°C～+125°C
誤差増幅器部
項
目
基準電圧
入力バイアス電流
最大出力電圧
(F.B 端子)
出力ソース電流 (F.B 端子)
記
号
VB
IB
VOM+
VOMIOM+
条
件
-
RNF=100kΩ, IN 端子=0V
RNF=100kΩ, IN-端子=1V
VOM=1V, IN-端子=0V
PWM 比較器部
項
目
入力スレッシホールド電圧
(F.B 端子)
最大デューティーサイクル
記
号
条
件
VTH0
duty･cycle=0%
－
－
0.85
V
αM
F.B 端子=1.2V
RT=39kΩ, CT=470pF
70
－
－
%
最小
標準
最大
単位
－
－
0.45
V
最小
標準
最大
単位
1.20
－
1.90
V
5
1.10
－
－
55
1.90
μA
V
ソフトスタート回路部
項
目
入力スレッシホールド電圧
(CS 端子)
記
号
条
VTHCS0
duty･cycle=0%
F.B 端子=1.2V
件
短絡保護回路部
項
目
入力スレッシホールド電圧
(F.B 端子)
充電電流
(CS 端子)
ﾗｯﾁﾓｰﾄﾞ･ｽﾚｯｼﾎｰﾙﾄﾞ電圧
(CS 端子)
記
号
条
件
VTHPC
ICHG
VTHLA
CS 端子=0V, F.B 端子=2V
-5-
NJM2384
■電気的特性
NJM2377-T1
(V+=3V, RT=39kΩ, CT=470pF, Ta=-40℃～+125℃)
低電圧誤動作防止回路部
項
目
記
号
条
件
VHYS
ヒステリシス幅
最小
標準
最大
単位
10
－
－
mV
最小
標準
最大
単位
1.3
－
－
－
0.75
V
V
－
－
mA
最小
標準
最大
単位
－
－
－
－
3.0
7.5
mA
mA
出力回路部
項
目
H レベル出力電圧(OUT 端子)
L レベル出力電圧(OUT 端子)
出力ソース電流
記
号
VOH
VOL
条
件
RL=10kΩ
出力シンク電流=20mA
(OUT 端子) ISOURCE OUT 端子=0V
－
8
総合特性
項
電源電流
平均電源電流
-6-
目
記
号
ICCLA
ICCAV
条
件
ラッチモード時, CS 端子=1.8V
RL=∞, duty･cycle=50%
NJM2377-T1
NJM2384
■アプリケーション回路例
V
+
Rsf
Rsr
Ct
Rt
8
Cs
7
6
D1
5
VOUT
30uA
VREF
OSC
L.O
U.V.LO
CIN
N1
S.C.P
R2
N2
ER･AMP
0.52V
PWM
COUT
1
2
3
VR1
4
Q1
CLP
R1
Rf
GND
GND
„ 消費電力－周囲温度特性例
NJM2377R-T1 ディレーティングカーブ
(Topr=-40℃～+125℃、Tjmax=150℃)
基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(FR-4,2層）
NJM2377R-T1 ディレーティングカーブ
(Topr=-40℃～+125℃、Tjmax=150℃)
基板実装時 76.2×114.3×1.6mm(FR-4,4層）
900
700
800
600
700
600
ＰD値（mW）
ＰD値（mW）
500
400
300
500
400
300
200
200
100
100
0
0
-40
-20
0
20
40
60
温度（℃）
80
100
120
140
-40
-20
0
20
40
60
温度（℃）
80
100
120
140
-7-
NJM2384
NJM2377-T1
■特性例
基準電圧部: 出力電圧温度特性例
(V+=3V, IOR=1mA)
1.55
基準 電 圧部 :ラインレギュレー ション温 度 特性 例
+
(V =2.7V～ 10V, I OR =1mA)
12
1.54
10
ラインレギュレーション
⊿VO-VIN[mV]
1.53
出力電圧
ＶREF［Ｖ］
1.52
1.51
1.50
1.49
1.48
1.47
8
6
4
2
1.46
0
1.45
-50
-25
0
25
50
75 100
周囲温度　Ｔａ［℃］
125
-50
150
-25
0
25
50
75
100
125
150
周 囲温 度 Ta[℃]
基準電圧部: ロードレギュレーション温度特性例
+
(V =3V, IOR =0.1～5.0mA)
発振器部: 発振周波数温度特性例
(V+=3V, CT=470pF, RT=39kΩ）
130
100
90
120
発振周波数fOSC［kHz］
ロードレギュレーション
⊿VO-IO[mV]
80
70
60
50
40
30
20
110
100
90
80
10
0
70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
周囲温度 Ta[℃]
75
100
125
150
100
入力バイアス電流IB[nA]
0.530
0.525
基準電圧VB[Ｖ]
50
誤差増幅器部: 入力バイアス電流温度特性例
(V+=3V)
誤差増幅器部: 基準電圧温度特性例
+
(V =3V)
0.520
0.515
80
60
40
20
0
0.510
-50 -25
-8-
25
周囲温度　Ｔａ［℃］
0
25 50 75
周囲温度 [℃]
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
周囲温度 [℃]
100 125 150
NJM2377-T1
NJM2384
■特性例
誤差増幅器部: -最大出力電圧温度特性例
(V+=3V, RNF=100Ω, IN-端子=1V, F.B端子）
誤差増幅器部: +最大出力電圧温度特性例
(V+=3V, RNF=100Ω, IN-端子=0V, F.B端子）
200
最大出力電圧（F.B端子） -ＶOM［mV］
最大出力電圧（F.B端子） +VOM[V]
2.4
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
100
50
0
150
-50
0
周囲温度 [℃]
F・B端子入力スレッシホールド電圧 VTHO
［V］
出力ソース電流（F.B端子） +ＩOM［μA］
150
0.6
160
120
80
40
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
-50
0
50
100
周囲温度　Ｔａ［℃］
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度　Ｔａ［℃］
PWM比較器部: 最大Dutyサイクル温度特性例
(V+=3V, F.B端子=1.2V, CT=470pF, RT=39kΩ)
PW M比較器部: 入力スレッシホールド電圧温度特性例
(V +=3V, duty cycle=80%, F.B端子）
1.2
100
1.0
最大Dutyサイクル αM［%］
F・B端子入力スレッシホールド電圧 VTH8O［V］
100
PWM比較器部: 入力スレッシホールド電圧温度特性例
(V+=3V, duty cycle=0%, F.B端子）
誤差増幅器部: 出力ソース電流温度特性例
(V+=3V, VOM=1V, IN=端子=0V, F.B端子
200
50
周囲温度 Ｔａ［℃］
0.8
0.6
0.4
95
90
85
0.2
0.0
80
-50
-25
0
25
50
75
周囲温度　Ｔａ［℃］
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
周囲温度　Ｔａ［℃］
100
125
150
-9-
NJM2384
NJM2377-T1
■特性例
1800
ソフトスタート回路部: 入力バイアス電流温度特性例
(V+=3V, C.S端子）
ソ フ トス ター ト回 路 部 : ス レ ッシ ホ ー ル ド電 圧 温 度 特 性 例
(V + = 3 V , D u ty c y c le = 0 % , F .B 端 子 = 1 .2 V , C .S 端 子 ）
0 .3 5
0 .3 0
C・S端子スレッシホールド電圧 VTHC0［V］
入力バイアス電流 IBCS［nA］
1600
1400
1200
1000
800
600
400
0 .2 5
0 .2 0
0 .1 5
0 .1 0
0 .0 5
200
0
0 .0 0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
150
-25
0
25
50
75
周 囲 温 度 Ｔａ［℃ ］
100
125
150
周囲温度　Ｔａ［℃］
短絡保護回路部: 入力スレッシホールド電圧温度特性例
ソフトスタート回路部:スレッシホールド電圧温度特性例
(V+=3V, F.B端子）
(V +=3V, Duty cycle=0%, F.B端子=1.2V, C.S端子）
1.8
入力スレッシホールド電圧 ＶTHPC［V］
C・S端子スレッシホールド電圧
VTHCS80［V］
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
0.0
-50 -25
0
-50 -25
25 50 75 100 125 150
周囲温度　Ｔａ［℃］
短絡保護回路部: 充電電流温度特性例
(V + =3V , C .S 端 子 =0V , F.B 端 子 =2V , C .S 端 子 )
ラッチモード・スレッシホールド電圧 VTHLA
［V］
1.8
40
充電電流 ICHG［μA］
25 50 75 100 125 150
周囲温度　Ｔａ［℃］
短絡保護回路部:
ラッチモード・スレッシホールド電圧温度特性例
(V + =3V, C.S端子）
50
30
20
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
10
-50
-25
0
25
50
75
周 囲 温 度 Ｔ ａ［℃ ］
- 10 -
0
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
周囲温度　Ｔａ［℃］
125
150
NJM2377-T1
NJM2384
低電圧誤動作防止回路部
ONスレッシホールド電圧温度特性例
（V + =3V)
低電圧誤動作防止回路部
OFFスレッシホールド電圧温度特性例
（V+=3V)
2.5
2.5
2.4
2.4
OFFスレッシホールド電圧 VTHOFF［V］
ONスレッシホールド電圧 VTHON［V］
■特性例
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
150
-25
0
周囲温度　Ｔａ［℃］
低電圧誤動作防止回路部
ヒステリシス幅温度特性例
+
(V =3V)
100
125
150
出力回路部: Hレベル出力電圧温度特性例
+
(V =3V, R L=10kΩ, OUT端子)
400
3.0
350
2.8
Hレベル出力電圧 VＯＨ［V］
ヒステリシス幅 VHYS［mV］
25
50
75
周囲温度　Ｔａ［℃］
300
250
200
150
100
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
50
1.6
0
-50
-25
0
25
50
75
100
周囲温度　Ｔａ［℃］
125
-50 -25
150
出力回路部: Lレベル出力電圧温度特性例
+
(V =3V, 出力シンク電流=20mA, OUT端子)
25
50
75 100 125 150
周囲温度　Ｔａ［℃］
出力回路部: 出力ソース電流温度特性例
+
(V =3V, OUT端子=0V)
40
0.7
0
38
出力ソース電流 ISOURCE［mA］
Lレベル出力電圧 VＯL［V］
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
36
34
32
30
28
26
24
22
0.0
20
-50
-25
0
25
50
75
周囲温度　Ｔａ［℃］
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度　Ｔａ［℃］
- 11 -
NJM2384
NJM2377-T1
■特性例
総合特性: 電源電流温度特性例
+
(V 3V, C.S端子=1.8V, ラッチモード時)
総合特性: 平均電源電流温度特性例
+
(V =3V, R L=OPEN, Duty cycle=50%)
7
2.2
平均電源電流 ICCAV［mA］
電源電流（ラッチモード時） ICCLA［mA］
2.4
2.0
1.8
5
4
1.6
3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
周囲温度　Ｔａ［℃］
- 12 -
6
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
周囲温度　Ｔａ［℃］
100
125
150
NJM2377-T1
NJM2384
■特性例
H 出力電圧(OUT端子)対ソース電流特性例
+
(V =3V,CT=0V,CS=1V,Ta=25°C)
2.5
1.2
L 出力電圧 VOL (V)
H 出力電圧 VOH (V)
3
2
1.5
1
0.5
L 出力電圧(OUT端子)対シンク電流特性例
+
(V =3V,CS=FB=0V,CT=0.5V,Ta=25°C)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0
1000
10
20
30
40
0
10
20
30
40
50
60
ソース電流 ISOURCE (mA)
シンク電流 ISINK (mA)
発振周波数対タイミング抵抗特性例
+
(V =3V,Ta=25°C)
発振周波数対タイミング容量特性例
+
(V =3V,Ta=25°C)
1000
100
発振周波数 f OSC (kHz)
発振周波数 f OSC (kHz)
RT=10kΩ
CT=470pF
CT=1000pF
10
RT=33kΩ
100
10
1
1
1
10
100
1000
タイミング抵抗 RT (kΩ)
10
10000
基準電圧対出力電流特性例
+
(V =3V,Ta=25°C)
1.52
1.5
1.48
1.46
1.44
1.42
100
1000
10000
タイミング容量 CT (pF)
100000
電源電流対電源電圧特性例
(Ta=25°C)
6
電源電流 ICC (mA)
基準電圧 VREF (V)
RT=100kΩ
ICCAV
5
4
3
ICCLA
2
1
0
0
5
10
出力電流 IOR (mA)
15
0
5
10
15
20
+
電源電圧 V (V)
- 13 -
NJM2384
NJM2377-T1
■特性例
最大デューティーサイクル対発振周波数特性例
+
(V =3V,Ta=25°C)
最大デューティーサイクル
αM (%)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
100
1000
10000
デューティーサイクル α (%)
発振周波数 f OSC (kHz)
デューティーサイクル対CS端子電圧
+
(V =3V,Ta=25°C)
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
CS端子電圧 (V)
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