NJM2377-Z スイッチングレギュレータ用コントロールIC ■特 徴 ●-40℃~+125℃全温度特性保証(Z 仕様) ●PWM 方式スイッチング電源制御 ●電源電圧範囲 (2.7V~18V) ●広帯域周波数 (10kHz~500kHz) ●ON/OFF 最大デューティー比 (Ton:Toff=9:1) ●トーテムポール出力形式 ●ソフトスタート機能内蔵 ●UVLO(低電圧誤動作防止回路)内蔵 ●バイポーラ構造 ●外形 Z 仕様:DMP-8 ■外 形 NJM2377M ■端子配列 REF CT CS V 8 7 6 5 + 30uA VREF ピン配置 1. IN2. F.B 3. GND 4. OUT 5. V+ 6. CS 7. CT 8. REF OSC L.O U.V.LO S.C.P ER・AMP 0.52V PWM 1 IN- 2 F.B 3 GND 4 OUT Ver 2.1 - 1 - NJM2384 ■絶対最大定格 項 NJM2377-Z (Ta=25°C) 目 記 号 V IO PD TOPR TSTG 電源電圧 出力電流 消費電力 動作温度範囲 保存温度範囲 (※1)PD 値:基板実装時 (※2)PD 値:基板実装時 ■推奨動作条件 項 (DMP-8) 格 単 18 ±50 470(※1) 600(※2) -40~+125 -50~+150 位 V mA mW °C °C 76.2 x 114.3 x 1.6mm(FR-4, 2 層)、EIA/JEDEC 準拠 76.2 x 114.3 x 1.6mm(FR-4, 4 層)、EIA/JEDEC 準拠 (V+=3V, Ta=25°C) 目 電源電圧範囲 フィードバック抵抗 発振器タイミングコンデンサ 発振器タイミング抵抗 発振周波数 -2- 定 + 記 号 + V RNF CT RT fOSC 最 小 2.7 100 220 5 10 最 大 18 - 22,000 100 500 単 位 V kΩ pF kΩ kHz NJM2377-Z NJM2384 ■電気的特性 (V+=3V, RT=39kΩ, CT=470pF, Ta=25°C) 基準電圧部 項 目 出力電圧 ラインレギュレーション ロードレギュレーション 記 号 VREF 条 件 最小 標準 最大 単位 1.47 - - 1.50 3.8 5 1.53 11.5 30 V mV mV 最小 標準 最大 単位 RT=39kΩ, CT=470pF V+=2.7V~18V, IOR=1mA 80 120 - 100 1 - kHz % Ta=-40°C~+85°C - 5 - % 最小 標準 最大 単位 0.51 - - - 1.9 - 40 0.52 5 90 1.0 2.2 - 85 0.53 100 - - 2.4 200 200 V nA dB MHz V mV uA 最小 標準 最大 単位 IOR=1mA + ⊿VO-VIN V =2.7V~18V, IOR=1mA ⊿VO-IO IOR=0.1mA~5.0mA 発振器部 項 目 記 号 fOSC fdV 発振周波数 周波数変動 1 (電源電圧変化) 周波数変動 2 (温度変化) fdT 条 件 誤差増幅器部 項 目 基準電圧 入力バイアス電流 開ループ利得 単一利得帯域幅 最大出力電圧 (F.B 端子) 出力ソース電流 (F.B 端子) 記 号 VB IB AV GB VOM+ VOMIOM+ 条 件 RNF=100kΩ, IN-端子=0V RNF=100kΩ, IN-端子=1V VOM=1V, IN-端子=0V PWM 比較器部 項 目 入力スレッシホールド電圧 (F.B 端子) 入力スレッシホールド電圧 (F.B 端子) 最大デューティーサイクル 記 号 条 件 VTH0 duty・cycle=0% - 0.45 0.55 V VTH80 duty・cycle=80% - 1.05 - V αM F.B 端子=1.2V RT=39kΩ, CT=470pF 80 90 - % 最小 標準 最大 単位 - - 250 0.25 650 0.35 nA V - 0.79 - V ソフトスタート回路部 項 目 記 号 IBCS 入力バイアス電流 (CS 端子) V 入力スレッシホールド電圧 THCS0 (CS 端子) VTHCS80 入力スレッシホールド電圧 (CS 端子) 条 duty・cycle=0% F.B 端子=1.2V duty・cycle=80% F.B 端子=1.2V 件 -3- NJM2384 ■電気的特性 NJM2377-Z (V+=3V, RT=39kΩ, CT=470pF, Ta=25°C) 短絡保護回路部 項 目 入力スレッシホールド電圧 (F.B 端子) 充電電流 (CS 端子) ラッチモード・スレッシホールド電圧 (CS 端子) 記 号 条 件 VTHPC ICHG VTHLA CS 端子=0V, F.B 端子=2V 最小 標準 最大 単位 1.30 1.50 1.80 V 10 1.20 30 1.50 50 1.80 μA V 最小 標準 最大 単位 - - 60 1.95 1.78 170 - - - V V mV 最小 標準 最大 単位 1.7 2.0 V - 23 0.25 35 - 0.65 最小 - - 低電圧誤動作防止回路部 項 目 ON スレッシホールド電圧 OFF スレッシホールド電圧 ヒステリシス幅 記 号 条 件 VTHON VTHOFF VHYS 出力回路部 項 目 H レベル出力電圧(OUT 端子) 記 号 VOH 条 件 RL=10kΩ VOL L レベル出力電圧(OUT 端子) 出力シンク電流=20mA 出力ソース電流 (OUT 端子) ISOURCE OUT 端子=0V - V mA 標準 最大 単位 1.7 5.0 2.4 6.8 mA mA 総合特性 項 電源電流 平均電源電流 -4- 目 記 号 ICCLA ICCAV 条 件 ラッチモード時, CS 端子=1.8V RL=∞, duty・cycle=50% NJM2377-Z NJM2384 ■電気的特性 (V+=3V, RT=39kΩ, CT=470pF, Ta=-40℃~+125℃) 基準電圧部 項 目 出力電圧 ラインレギュレーション ロードレギュレーション 記 号 VREF 条 件 IOR=1mA + ⊿VO-VIN V =2.7V~18V, IOR=1mA ⊿VO-IO IOR=0.1mA~5.0mA 最小 標準 最大 単位 1.41 - - - - - 1.59 15 200 V mV mV 最小 標準 最大 単位 70 - - 5 130 - kHz % 最小 標準 最大 単位 0.49 - 1.6 - 20 - - - - - 0.55 150 2.6 300 220 V nA V mV uA 最小 標準 最大 単位 発振器部 項 目 発振周波数 周波数変動 2(温度変化) 記 号 fOSC fdT 条 件 RT=39kΩ, CT=470pF Ta=-40°C~+125°C 誤差増幅器部 項 目 基準電圧 入力バイアス電流 最大出力電圧 (F.B 端子) 出力ソース電流 (F.B 端子) 記 号 VB IB VOM+ VOMIOM+ 条 件 - RNF=100kΩ, IN 端子=0V RNF=100kΩ, IN-端子=1V VOM=1V, IN-端子=0V PWM 比較器部 項 目 入力スレッシホールド電圧 (F.B 端子) 最大デューティーサイクル 記 号 条 件 VTH0 duty・cycle=0% - - 0.85 V αM F.B 端子=1.2V RT=39kΩ, CT=470pF 70 - - % 最小 標準 最大 単位 - - 0.45 V 最小 標準 最大 単位 1.20 - 1.90 V 5 1.10 - - 55 1.90 μA V ソフトスタート回路部 項 目 入力スレッシホールド電圧 (CS 端子) 記 号 条 VTHCS0 duty・cycle=0% F.B 端子=1.2V 件 短絡保護回路部 項 目 入力スレッシホールド電圧 (F.B 端子) 充電電流 (CS 端子) ラッチモード・スレッシホールド電圧 (CS 端子) 記 号 条 件 VTHPC ICHG VTHLA CS 端子=0V, F.B 端子=2V -5- NJM2384 ■電気的特性 NJM2377-Z (V+=3V, RT=39kΩ, CT=470pF, Ta=-40℃~+125℃) 低電圧誤動作防止回路部 項 目 記 号 条 件 VHYS ヒステリシス幅 最小 標準 最大 単位 10 - - mV 最小 標準 最大 単位 1.3 - - - 0.75 V V - - mA 最小 標準 最大 単位 - - - - 3.0 7.5 mA mA 出力回路部 項 目 H レベル出力電圧(OUT 端子) L レベル出力電圧(OUT 端子) 出力ソース電流 記 号 VOH VOL 条 件 RL=10kΩ 出力シンク電流=20mA (OUT 端子) ISOURCE OUT 端子=0V - 8 総合特性 項 電源電流 平均電源電流 -6- 目 記 号 ICCLA ICCAV 条 件 ラッチモード時, CS 端子=1.8V RL=∞, duty・cycle=50% NJM2377-Z NJM2384 ■アプリケーション回路例 V + Rsf Rsr Cs Ct Rt 8 7 6 D1 5 VOUT 30uA VREF OSC L.O U.V.LO CIN N1 S.C.P R2 N2 ER・AMP 0.52V PWM COUT 1 2 3 VR1 4 Q1 CLP R1 Rf GND GND 消費電力-周囲温度特性例 NJM2377M-Z ディレーティングカーブ (Topr=-40℃~+125℃、Tjmax=150℃) 基板実装時 76.2 x 114.3 x 1.6mm(FR-4,4層) 700 700 600 600 500 500 PD値(mW) PD値(mW) NJM2377M-Z ディレーティングカーブ (Topr=-40℃~+125℃、Tjmax=150℃) 基板実装時 76.2 x 114.3 x 1.6mm(FR-4,2層) 400 300 400 300 200 200 100 100 0 -40 -20 0 20 40 60 温度(℃) 80 100 120 140 0 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 温度(℃) -7- NJM2384 NJM2377-Z ■特性例 基準電圧部: 出力電圧温度特性例 (V+=3V, IOR=1mA) 1.55 基準 電 圧部 :ラインレギュレー ション温 度 特性 例 + (V =2.7V~ 10V, I OR =1mA) 12 1.54 10 ラインレギュレーション ⊿VO-VIN[mV] 1.53 出力電圧 VREF[V] 1.52 1.51 1.50 1.49 1.48 1.47 8 6 4 2 1.46 0 1.45 -50 -25 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta[℃] 125 -50 150 -25 0 25 50 75 100 125 150 周 囲温 度 Ta[℃] 基準電圧部: ロードレギュレーション温度特性例 + (V =3V, IOR =0.1~5.0mA) 発振器部: 発振周波数温度特性例 (V+=3V, CT=470pF, RT=39kΩ) 130 100 90 120 発振周波数fOSC[kHz] ロードレギュレーション ⊿VO-IO[mV] 80 70 60 50 40 30 20 110 100 90 80 10 0 70 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -50 -25 0 周囲温度 Ta[℃] 75 100 125 150 100 入力バイアス電流IB[nA] 0.530 0.525 基準電圧VB[V] 50 誤差増幅器部: 入力バイアス電流温度特性例 (V+=3V) 誤差増幅器部: 基準電圧温度特性例 + (V =3V) 0.520 0.515 80 60 40 20 0 0.510 -50 -25 -8- 25 周囲温度 Ta[℃] 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 [℃] 100 125 150 NJM2377-Z NJM2384 ■特性例 誤差増幅器部: -最大出力電圧温度特性例 (V+=3V, RNF=100Ω, IN-端子=1V, F.B端子) 誤差増幅器部: +最大出力電圧温度特性例 (V+=3V, RNF=100Ω, IN-端子=0V, F.B端子) 200 最大出力電圧(F.B端子) -VOM[mV] 最大出力電圧(F.B端子) +VOM[V] 2.4 2.3 2.2 2.1 2.0 1.9 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 100 50 0 150 -50 0 周囲温度 [℃] F・B端子入力スレッシホールド電圧 VTHO [V] 出力ソース電流(F.B端子) +IOM[μA] 150 0.6 160 120 80 40 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 -50 0 50 100 周囲温度 Ta[℃] 150 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta[℃] PWM比較器部: 最大Dutyサイクル温度特性例 (V+=3V, F.B端子=1.2V, CT=470pF, RT=39kΩ) PW M比較器部: 入力スレッシホールド電圧温度特性例 (V +=3V, duty cycle=80%, F.B端子) 1.2 100 1.0 最大Dutyサイクル αM[%] F・B端子入力スレッシホールド電圧 VTH8O[V] 100 PWM比較器部: 入力スレッシホールド電圧温度特性例 (V+=3V, duty cycle=0%, F.B端子) 誤差増幅器部: 出力ソース電流温度特性例 (V+=3V, VOM=1V, IN=端子=0V, F.B端子 200 50 周囲温度 Ta[℃] 0.8 0.6 0.4 95 90 85 0.2 0.0 80 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 Ta[℃] 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 Ta[℃] 100 125 150 -9- NJM2384 NJM2377-Z ■特性例 1800 ソフトスタート回路部: 入力バイアス電流温度特性例 (V+=3V, C.S端子) ソ フ トス ター ト回 路 部 : ス レ ッシ ホ ー ル ド電 圧 温 度 特 性 例 (V + = 3 V , D u ty c y c le = 0 % , F .B 端 子 = 1 .2 V , C .S 端 子 ) 0 .3 5 0 .3 0 C・S端子スレッシホールド電圧 VTHC0[V] 入力バイアス電流 IBCS[nA] 1600 1400 1200 1000 800 600 400 0 .2 5 0 .2 0 0 .1 5 0 .1 0 0 .0 5 200 0 0 .0 0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 -50 150 -25 0 25 50 75 周 囲 温 度 Ta[℃ ] 100 125 150 周囲温度 Ta[℃] 短絡保護回路部: 入力スレッシホールド電圧温度特性例 ソフトスタート回路部:スレッシホールド電圧温度特性例 (V+=3V, F.B端子) (V +=3V, Duty cycle=0%, F.B端子=1.2V, C.S端子) 1.8 入力スレッシホールド電圧 VTHPC[V] C・S端子スレッシホールド電圧 VTHCS80[V] 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 1.7 1.6 1.5 1.4 1.3 0.0 -50 -25 0 -50 -25 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta[℃] 短絡保護回路部: 充電電流温度特性例 (V + =3V , C .S 端 子 =0V , F.B 端 子 =2V , C .S 端 子 ) ラッチモード・スレッシホールド電圧 VTHLA [V] 1.8 40 充電電流 ICHG[μA] 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta[℃] 短絡保護回路部: ラッチモード・スレッシホールド電圧温度特性例 (V + =3V, C.S端子) 50 30 20 1.7 1.6 1.5 1.4 1.3 1.2 10 -50 -25 0 25 50 75 周 囲 温 度 T a[℃ ] - 10 - 0 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta[℃] 125 150 NJM2377-Z NJM2384 低電圧誤動作防止回路部 ONスレッシホールド電圧温度特性例 (V + =3V) 低電圧誤動作防止回路部 OFFスレッシホールド電圧温度特性例 (V+=3V) 2.5 2.5 2.4 2.4 OFFスレッシホールド電圧 VTHOFF[V] ONスレッシホールド電圧 VTHON[V] ■特性例 2.3 2.2 2.1 2.0 1.9 1.8 1.7 1.6 2.3 2.2 2.1 2.0 1.9 1.8 1.7 1.6 1.5 1.5 -50 -25 0 25 50 75 100 125 -50 150 -25 0 周囲温度 Ta[℃] 低電圧誤動作防止回路部 ヒステリシス幅温度特性例 + (V =3V) 100 125 150 出力回路部: Hレベル出力電圧温度特性例 + (V =3V, R L=10kΩ, OUT端子) 400 3.0 350 2.8 Hレベル出力電圧 VOH[V] ヒステリシス幅 VHYS[mV] 25 50 75 周囲温度 Ta[℃] 300 250 200 150 100 2.6 2.4 2.2 2.0 1.8 50 1.6 0 -50 -25 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta[℃] 125 -50 -25 150 出力回路部: Lレベル出力電圧温度特性例 + (V =3V, 出力シンク電流=20mA, OUT端子) 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta[℃] 出力回路部: 出力ソース電流温度特性例 + (V =3V, OUT端子=0V) 40 0.7 0 38 出力ソース電流 ISOURCE[mA] Lレベル出力電圧 VOL[V] 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 36 34 32 30 28 26 24 22 0.0 20 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 Ta[℃] 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta[℃] - 11 - NJM2384 NJM2377-Z ■特性例 総合特性: 電源電流温度特性例 + (V 3V, C.S端子=1.8V, ラッチモード時) 総合特性: 平均電源電流温度特性例 + (V =3V, R L=OPEN, Duty cycle=50%) 7 2.2 平均電源電流 ICCAV[mA] 電源電流(ラッチモード時) ICCLA[mA] 2.4 2.0 1.8 5 4 1.6 3 1.4 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 Ta[℃] - 12 - 6 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 周囲温度 Ta[℃] 100 125 150 NJM2377-Z NJM2384 ■特性例 H 出力電圧(OUT端子)対ソース電流特性例 + (V =3V,CT=0V,CS=1V,Ta=25°C) 2.5 1.2 L 出力電圧 VOL (V) H 出力電圧 VOH (V) 3 2 1.5 1 0.5 L 出力電圧(OUT端子)対シンク電流特性例 + (V =3V,CS=FB=0V,CT=0.5V,Ta=25°C) 1 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0 0 1000 10 20 30 40 0 10 20 30 40 50 60 ソース電流 ISOURCE (mA) シンク電流 ISINK (mA) 発振周波数対タイミング抵抗特性例 + (V =3V,Ta=25°C) 発振周波数対タイミング容量特性例 + (V =3V,Ta=25°C) 1000 100 発振周波数 f OSC (kHz) 発振周波数 f OSC (kHz) RT=10kΩ CT=470pF CT=1000pF 10 RT=33kΩ 100 10 1 1 1 10 100 1000 タイミング抵抗 RT (kΩ) 10 10000 基準電圧対出力電流特性例 + (V =3V,Ta=25°C) 1.52 1.5 1.48 1.46 1.44 1.42 100 1000 10000 タイミング容量 CT (pF) 100000 電源電流対電源電圧特性例 (Ta=25°C) 6 電源電流 ICC (mA) 基準電圧 VREF (V) RT=100kΩ ICCAV 5 4 3 ICCLA 2 1 0 0 5 10 出力電流 IOR (mA) 15 0 5 10 15 20 + 電源電圧 V (V) - 13 - NJM2384 NJM2377-Z ■特性例 最大デューティーサイクル対発振周波数特性例 + (V =3V,Ta=25°C) 最大デューティーサイクル αM (%) 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 10 100 1000 10000 デューティーサイクル α (%) 発振周波数 f OSC (kHz) デューティーサイクル対CS端子電圧 + (V =3V,Ta=25°C) 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 CS端子電圧 (V) <注意事項> このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 - 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