Spansion® 模拟和微控制器产品 本文档包含有关 Spansion 模拟和微控制器产品的信息。尽管本文档内有原来开发该产品规格的公司名称 “富士通”或 “Fujitsu”， 该产品将由 Spansion 提供给现有客户和新客户。 规格的延续 本文档内容并不因产品供应商的改变而有任何修改。文档内容的其他更新，均为改善文档而进行，并已记录在文档 更改摘要。日后如有需要更改文档，其更改内容也将记录在文档更改摘要。 型号的延续 Spansion 将继续提供型号以“MB”开始的现有产品。如欲订购该类产品，敬请使用本文档内列出的产品型号。 查询更多信息 如欲查询更多关于 Spansion 存储器、模拟产品和微控制器产品及其解决方案的信息，请联系您当地的销售办事 处。 FUJITSU 半导体 数据表 DS04-27231-2Z 用于电源管理的 ASSP （专用集成电路） （通用 DC/DC 转换器） 2- 通道 DC/DC 转换集成电路 带有过流保护 MB39A104 ■ 说明 MB39A104 是一使用脉宽调制 (PWM) 的二通道 DC/DC 转换集成电路，并装有一个过流保护电路 （不需要电流 检测电阻）。 此集成电路是降压的理想选择。 高频工作时可以减少线圈匝数。 此产品是诸如 LCD 监视器和 ADSL 等的内置供电的理想选择。 此产品的美国专利号是 6,147,477。 ■ 特性 • • • • • • • • 内置定时闭锁过流保护电路 （不需要电流检测电阻） 供电电压范围 ：7 V 到 19 V 参考电压 ：5.0 V ± 1 % 误差放大器阈值电压 ：1.24 V ± 1 % 高频工作能力 ：1.5 MHz ( 最高 ) 内置备用模式功能 ：0 µA （典型） 不受负载影响的内置软启动电路 用于 P 通道 MOS FET 的内置图腾柱类型输出 ■ 封装 24 针塑料 SSOP (FPT-24P-M03) MB39A104 ■ 引脚分配图 ( 俯视图 ) VCCO : 1 24 : CTL VH : 2 23 : GNDO OUT1 : 3 22 : OUT2 VS1 : 4 21 : VS2 ILIM1 : 5 20 : ILIM2 DTC1 : 6 19 : DTC2 VCC : 7 18 : GND CSCP : 8 17 : VREF FB1 : 9 16 : FB2 −INE1 : 10 15 : −INE2 CS1 : 11 14 : CS2 RT : 12 13 : CT (FPT-24P-M03) 2 MB39A104 ■ 引脚说明 引脚编号 符号 I/O 说明 1 VCCO 输出电路供电端子 ( 连接与 VCC 引脚相同的电位 ) 2 VH O FET 驱动电路的供电端子 (VH = VCC − 5 V) 3 OUT1 O 外接 P 通道 MOS FET 门驱动端子 4 VS1 I 过流保护电路输入端子 5 ILIM1 I 过流保护电路检测电阻的连接端子。根据外接电阻和内部电流源 (RT = 24 kΩ 时为 110 µA) 设置过流检测参考电压 6 DTC1 I PWM 比较器模块 (PWM) 输入端子。将 FB1 和 DTC 端子中的最低电压与三 角波形相比较，并控制输出 7 VCC 参考电源和控制电路的供电端子 （连接与 VCCO 端子相同的电位） 8 CSCP 定时闭锁短路保护电容连接端子 9 FB1 O 误差放大器 (Error Amp 1) 输出端子 10 −INE1 I 误差放大器 (Error Amp 1) 反相输入端子 11 CS1 软启动电容连接端子 12 RT 三角波形振荡频率设置电阻连接端子 13 CT 三角波形振荡频率设置电容连接端子 14 CS2 软启动电容连接端子 15 −INE2 I 误差放大器 (Error Amp 2) 反相输入端子 16 FB2 O 误差放大器 (Error Amp 2) 输出端子 17 VREF O 参考电压输出端子 18 GND 输出电路接地端子 （连接与 GNDO 端子相同的电位） 19 DTC2 I PWM 比较器模块 (PWM) 输入端子。将 FB2 和 DTC 端子中的最低电压与三 角波形相比较，并控制输出 20 ILIM2 I 过流保护电路检测电阻的连接端子 根据外接电阻和内部电流源 （RT = 24 kΩ 时为 110 µA）设置过流检测参考 电压 21 VS2 I 过流保护电路输入端子 22 OUT2 O 外接 P 通道 MOS FET 门驱动端子 23 GNDO 输出电路接地端子 （连接与 GND 端子相同的电位） 24 CTL I 供电控制端子。将 CTL 端子设置为 “低”电平， IC 被置为备用模式 3 MB39A104 ■ 框图 −INE1 10 VREF 10 µA CS1 11 PWM + Comp.1 + − 1.24 V 1 VCCO CH1 L priority Error − Amp1 + + Drive1 Pch 3 OUT1 L priority FB1 9 IO = 200 mA at VCCO = 12 V Current Protection Logic − 4 VS1 + 5 ILIM1 DTC1 6 −INE2 15 VREF 10 µA CS2 14 1.24 V CH2 L priority Error − Amp2 + + PWM + Comp.2 + − Drive2 Pch L priority FB2 16 IO = 200 mA at VCCO = 12 V DTC2 19 Current Protection Logic H priority H: at SCP SCP Comp. + + − (3.1 V) H: at OCP SCP Logic CSCP 8 20 ILIM2 VCC − 5 V VH Bias Voltage Error Amp Reference bias 2 VH Accuracy ±1% 17 VREF 7 VCC 1.24 V VREF Power VR1 ON/OFF CTL 5.0 V 12 13 RT CT 21 VS2 Error Amp Power Supply H:UVLO release OSC − + 23 GNDO 2.5 V 1.5 V UVLO 4 22 OUT2 18 GND 24 CTL MB39A104 ■ 绝对最大额定值 参数 符号 条件 供电电压 VCC 输出电流 额定值 单位 最小 最大 VCC, VCCO 端子 20 V IO OUT1, OUT2 端子 60 mA 输出峰值电流 IOP 占空比 ≤ 5 % (t = 1/fOSC× 占空比 ) 700 mA 功率消耗 PD Ta ≤ +25 °C 740* mW 储存温度 TSTG −55 +125 °C * : 集成电路封装安装在环氧板上 (10 cm × 10 cm)。 警告： 如果在半导体设备上施加的应力 （电压，电流，温度等等）超过绝对最大额定值，可能对设备产生永久损 伤。不要超过这些额定值。 ■ 推荐运行条件 参数 符号 条件 供电电压 VCC VCC, VCCO 端子 参考电压输出电流 IREF VREF 端子 控制输入电压 单位 最小 7 典型 12 最大 19 −1 0 mA V IVH VH 端子 0 30 mA VINE −INE1, −INE2 端子 0 VCC − 0.9 V VDTC DTC1, DTC2 端子 0 VCC − 0.9 V VCTL CTL 端子 0 19 V VH 输出电流 输入电压 数值 输出电流 IO OUT1, OUT2 端子 −45 +45 mA 输出峰值电流 IOP 占空比 ≤ 5 % (t = 1/fOSC× 占空比 ) −450 +450 mA 振荡频率 fOSC 通过 FET 开启阻抗进行 过流检测 * 100 500 1000 kHz 100 500 1500 kHz 定时电容 CT 39 100 560 pF 定时电阻 RT 11 24 130 kΩ VH 端子电容 CVH VH 端子 0.1 1.0 µF 软启动电容 CS CS1, CS2 端子 0.1 1.0 µF 短路检测电容 CSCP CSCP 端子 0.1 1.0 µF 参考电压输出电容 CREF VREF 端子 0.1 1.0 µF −30 +25 +85 °C 运行环境温度 Ta * : 参阅 “ ■ 设置三角波形振荡频率 ”。 警告： 为确保半导体设备正常运行，一定要在推荐运行条件范围内使用该设备。这样才能保证该设备的所有电气 特性。 一定要在推荐运行条件范围内使用该半导体设备。在推荐运行条件范围以外使用该设备，将影响整体设备 的可靠性，并可能导致设备故障。 如果使用方法，运行条件或者两者都不在该数据表所列范围内，用户将无权享受任何形式的保证。如果要 在所列条件范围以外使用该设备，我们建议用户先和 FUJITSU 代理商联系。 5 MB39A104 ■ 电气特性 1. 参考电压 模块 [REF] (VCC = VCCO = 12 V, VREF = 0 mA, Ta = +25 °C) 参数 符号 引脚编号 输出电压 VREF 17 Ta = +25 °C ∆VREF/ VREF 17 输入稳定性 Line 负载稳定性 2. 欠电压切断 保护电路 模块 [UVLO] 数值 单位 最小 典型 最大 4.95 5.00 5.05 V Ta = 0 °C 到 +85 °C 0.5* % 17 VCC = 7 V 到 19 V 3 10 mV Load 17 VREF = 0 mA 到 −1 mA 1 10 mV IOS 17 VREF = 1 V −50 −25 −12 mA VTLH 17 VREF = 2.6 2.8 3.0 V VTHL 17 VREF = 2.4 2.6 2.8 V 磁滞宽度 VH 17 0.2 * V 阈值电压 VTH 8 0.68 0.73 0.78 V 输入源电流 ICSCP 8 −1.4 −1.0 −0.6 µA 复位电压 VRST 17 2.4 2.6 2.8 V 阈值电压 VTH 8 2.8 3.1 3.4 V 振荡频率 fOSC 13 CT = 100 pF, RT = 24 kΩ 450 500 550 kHz ∆fOSC/ fOSC 13 Ta = 0 °C 到 +85 °C 1* % 充电电流 ICS 11, 14 CS1 = CS2 = 0 V −14 −10 −6 µA 阈值电压 VTH 9, 16 FB1 = FB2 = 2 V 1.227 1.240 1.253 V 输入电流偏差 IB 10, 15 −INE1 = −INE2 = 0 V −120 −30 nA 电压增益 AV 9, 16 DC 100* dB 输出电压温度 变化 短路输出电流 7. 误差放大器 6. 软启动 5. 三角波形振荡器 4. 短路 3. 短路 模块 模块 模块 检测模块 检测模块 [OSC] [Error Amp1, [CS1, CS2] [SCP Comp] [SCP Logic] Error Amp2] 条件 阈值电压 频率温度变化 VREF = （续） 6 MB39A104 （续） (VCC = VCCO = 12 V, VREF = 0 mA, Ta = +25 °C) 11. 偏压 10. 过流保护 模块 电路模块 [VH] [OCP1, OCP2] 9.PWM 比较器 模块 [PWM Comp.1, PWM Comp.2] 8. 误差放大器模块 [Error Amp1, Error Amp2] 参数 12. 输出模块 [Drive1, Drive2] 14. 通用 引脚编号 BW 9, 16 VOH 9, 16 VOL 9, 16 ISOURCE 9, 16 ISINK 条件 最小 典型 最大 单位 1.6* MHz 4.7 4.9 V 40 200 mV FB1 = FB2 = 2 V −2 −1 mA 9, 16 FB1 = FB2 = 2 V 150 200 µA VT0 6, 19 占空比 = 0 % 1.4 1.5 V VT100 6, 19 占空比 = Dtr 2.5 2.6 V 输入电流 IDTC 6, 19 DTC1 = DTC2 = 0.4 V −2.0 −0.6 µA ILIM 端子输入电流 ILIM 5, 20 RT = 24 kΩ, CT = 100 pF 99 110 121 µA 电压偏差 VIO 5, 20 1* mV 输出电压 VH 2 ISOURCE 3, 22 OUT1 到 OUT4 = 7 V, 占空比 ≤ 5 % (t = 1/fOSC× 占空比 ) −300 mA 输出吸收电流 ISINK 3, 22 OUT1 到 OUT4 = 12 V, 占空比 ≤ 5 % (t = 1/fOSC× 占空比 ) 350 mA 输出开启阻抗 ROH 3, 22 OUT1 = OUT2 = −45 mA 8.0 12.0 Ω ROL 3, 22 OUT1 = OUT2 = 45 mA 6.5 9.7 Ω VIH 24 IC 激活模式 2 19 V VIL 24 IC 备用模式 0 0.8 V ICTLH 24 CTL = 5 V 50 100 µA ICTLL 24 CTL = 0 V 1 µA 备用模式电流 ICCS 1, 17 CTL = 0 V 0 10 µA 供电电流 ICC 1, 17 CTL = 5 V 4.0 6.0 mA 输出电压 输出源电流 输出吸收电流 AV = 0 dB 数值 频带宽度 阈值电压 输出源电流 13. 控制模块 [CTL] 符号 CTL 输入电压 输入电流 VCC = VCCO = 7 V 到 19 V VCC− VCC− VCC− 5.5 5.0 4.5 VH = 0 mA 到 30 mA V *: 标准设计值 7 MB39A104 ■ 典型特性曲线 供电电流 / 供电电压 参考电压 / 供电电压 10 10 Ta = +25 °C CTL = 5 V 参考电压 VREF (V) 供电电流 ICC (mA) 8 6 4 8 6 4 2 2 0 0 0 5 10 15 20 0 5 10 15 供电电压 VCC (V) 供电电压 VCC (V) 参考电压 / 环境温度 参考电压 / 环境温度 2.0 10 Ta = +25 °C VCC = 12 V CTL = 5 V 6 4 2 0 0 5 10 15 20 25 30 35 环境温度 Ta (°C) 20 VCC = 12 V CTL = 5 V VREF = 0 mA 1.5 参考电压 ∆VREF (%) 8 参考电压 VREF (V) Ta = +25 °C CTL = 5 V VREF = 0 mA 1.0 0.5 0.0 −0.5 −1.0 −1.5 −2.0 −40 −20 0 20 40 60 80 100 环境温度 Ta (°C) CTL 端子电流 /CTL 端子电压 CTL 端子电流 ICTL (µA) 400 7 6 300 VREF 5 4 200 ICTL 3 2 100 参考电压 VREF (V) 10 Ta = +25 °C 9 VCC = 12 V VREF = 0 mA 8 500 1 0 0 5 10 15 0 20 CTL 端子电压 VCTL (V) （续） 8 MB39A104 三角波形振荡频率 / 定时电容 三角波形振荡频率 / 定时电阻 Ta = +25 °C VCC = 12 V CTL = 5 V 1000 CT = 39 pF CT = 560 pF 100 CT = 220 pF CT = 100 pF 10000 三角波形振荡频率 fOSC (kHz) 三角波形振荡频率 fOSC (kHz) 10000 Ta = +25 °C VCC = 12 V CTL = 5 V 1000 RT = 11 kΩ 100 RT = 130 kΩ 10 10 1 10 100 10 1000 100 三角波形上限和下限电压 / 三角波形振荡频率 2.8 三角波形上限和 下限电压 VCT (V) 3.2 Ta = +25 °C VCC = 12 V CTL = 5 V RT = 47 kΩ 3.0 10000 三角波形上限和下限电压 / 环境温度 三角波形上限和 下限电压 VCT (V) 3.2 1000 定时电容 CT (pF) 定时电阻 RT (kΩ) 上限 2.6 2.4 2.2 2.0 1.8 下限 1.6 VCC = 12 V 3.0 CTL = 5 V 2.8 RT = 24 kΩ CT = 100 pF 2.6 上限 2.4 2.2 2.0 1.8 下限 1.6 1.4 1.4 1.2 −40 1.2 0 200 400 600 −20 0 VCC = 12 V CTL = 5 V RT = 24 kΩ CT = 100 pF 540 520 500 480 460 0 20 60 80 100 三角波形振荡频率 / 供电电压 40 60 环境温度 Ta ( °C) 80 100 三角波形振荡频率 fOSC (kHz) 560 −20 40 环境温度 Ta ( °C) 三角波形振荡频率 / 环境温度 440 −40 20 800 1000 1200 1400 1600 三角波形振荡频率 fOSC (kHz) 三角波形振荡频率 fOSC (kHz) RT = 24 kΩ RT = 68 kΩ 560 Ta = +25 °C CTL = 5 V RT = 24 kΩ CT = 100 pF 540 520 500 480 460 440 0 5 10 15 20 供电电压 VCC (V) （续） 9 MB39A104 （续） 误差放大器 , 增益 , 相位 / 频率 Ta = +25 °C VCC = 12 V 180 40 ϕ 90 相位 φ (deg) 20 增益 AV (dB) 240 kΩ AV 30 10 0 0 −10 −90 −20 −180 −40 100 1k 10 k 100 k 1M 10 M 频率 f (Hz) 功率消耗 / 环境温度 功率消耗 PD (mW) 1000 800 740 600 400 200 −20 0 20 40 环境温度 Ta ( °C) 10 + IN 10 kΩ 2.4 kΩ (15) 10 − 11 (14) + + 1.24 V −30 0 −40 10 kΩ 1 µF 60 80 100 9 (16) OUT Error Amp1 (Error Amp2) MB39A104 ■ 功能 1. DC/DC 转换器功能 (1) 参考电压模块 (REF) 参考电压电路从供电端子 （引脚 5）的电压中生成温度补偿参考电压 （通常为 5.0 V）。该电压用做 IC 内部电 路的参考电压。 该参考电压可以通过 VREF 端子 （引脚 17）给外部设备提供高达 1 mA 负载电流。 (2) 三角波形振荡器模块 (OSC) 三角波形振荡器内有一个定时电容和一个定时电阻，分别连接至 CT 端子 （引脚 13）和 RT 端子 （引脚 12）， 可以产生幅值为 1.5 V 到 2.5 V 的三角振荡波形。 该三角波形被输入 到 IC 的 PWM 比较器内。 (3) 误差放大器模块 (Error Amp1, Error Amp2) 检测到 DC/DC 转换器输出电压后，误差放大器输出 PWM 控制信号。此外，在误差放大器的反相输入端子和输 出端子之间连接一个反馈电阻和电容，可以随意设置闭环增益值，能够对系统进行稳定的相位补偿。 同样地，在 CS1 端子 ( 引脚 11) 和 CS2 端子 ( 引脚 14) 之间（这些端子是用于 Error Amp 的非反相输入端子） 连接一个软启动电容，可以抑制电源启动时的浪涌电流。使用误差放大器进行软启动检测可以使系统的软启动 时间固定不变，这个时间与 DC/DC 转换器上的输出负载无关。 (4) PWM 比较器模块 (PWM Comp.) PWM 比较器是电压 - 脉冲宽度调节器，以实现根据输入 / 输出电压控制输出工作期。 在误差放大器输出电压高于三角波形的电压时，比较器使输出晶体管保持正常通电状态。 (5) 输出模块 输出模块采用图腾柱结构可以驱动外接的 P 通道 MOS FET。 (6) 偏压模块 (VH) 此偏压电路输出 VCC − 5 V （典型），作为输出电路的最小电位。在备用模式下，此电路的输出电位等于 VCC。 11 MB39A104 2. 控制功能 当 CTL 端子 （引脚 24）处于 “ 低 ” 电平时， IC 变为备用模式。备用模式下，供电电流为 10 µA ( 最大 ) 。 开 / 关的设置条件 CTL 电源 低 关闭 ( 备用模式 ) 高 开启 ( 工作时 ) 3. 保护功能 (1) 定时闭锁过流保护电路模块 (OCP) 完成软启动之后激活定时闭锁过流保护电路。当电流过载时，该电路使用外接的 FET 开启电阻检测 FET 的漏极 和源极之间的电压上升值，激活定时电路并开始给连接在 CSCP 端子（引脚 8）上的电容 CSCP 充电。如果预先 确定的时间之外电流仍然过载，请设置闭锁并将每个通道的 OUT 端子 （引脚 3, 22）锁定为 “高”电平。然后 该电路设置闭锁，关闭外接 FET。通过连接在 FET 漏极与 ILIM1 端子 （引脚 5）之间的电阻 RLIM1 和连接在漏 极与 ILIM2 端子 （引脚 20）之间的电阻 RLIM2，可以设置检测电流值。 改变连接方式可以检测电流检测电阻上的过载电流。 要将已启动的保护电路复位，可以关闭电源然后再次打开，也可以将 CTL 端子 （引脚 6）设置为 “低”电平从 而将 VREF 端子 （引脚 17）电压降低到 2.4 V （最小）或者更低。 （参阅 “■ 中关于定时闭锁保护电路”的 “1. 设置定时闭锁过流保护检测电流”。） (2) 定时闭锁短路保护电路 (SCP Logic, SCP Comp.) 短路检测比较器 (SCP Comp.) 检测 Error Amp 输出电压 , 如果 Error Amp 任一个通道的输出电压低于短路检测 电压 （通常为 3.1 V），将启动定时电路，开始给 CSCP 端子 （引脚 8）的外接电容 CSCP 充电。 当电容电压达到 0.73 V 时，电路将关闭输出晶体管，将停滞时间设置为 100%。 要将已启动的保护电路复位，可以关闭电源然后再次打开，也可以将 CTL 端子（引脚 24）设置为 “ 低 ” 电平从而 将 VREF 端子 （引脚 17）电压降低到 2.4 V （最小值）或者更低。（参阅 “■ 中关于定时闭锁短路保护电路” 的 “2. 设置定时闭锁短路保护电路的时间常数”。 ) (3) 欠电压切断保护电路 (UVLO) 接通电源时，供电电压的瞬时或者暂时的下降可能使 IC 产生误操作，导致系统停机或者发生故障。欠电压切断 保护电路可以避免这种误操作的发生，检测到内部参考电压相对于供电电压下降，关闭输出晶体管，将停滞时 间设置为 100%，并保持 CSCP 端子 （引脚 8） “ 低 ” 电平。 当供电电压达到欠电压切断保护电路的阈值电压时，电路的输出晶体管将恢复正常状态。 (4) 保护电路工作功能表 此表指出保护电路工作时的输出条件。 CS1 工作电路 12 CS2 OUT1 OUT2 过流保护电路 低 低 高 高 短路保护电路 低 低 高 高 欠电压切断 低 低 高 高 MB39A104 ■ 设置输出电压 • 输出电压设置电路 VO R1 (−INE2) 15 −INE1 10 R2 (CS2) 14 CS1 11 Error Amp − + + VO (V) = 1.24 R2 (R1 + R2) 1.24 V ■ 设置三角波形振荡频率 连接在 CT 端子 （引脚 13）上的定时电容 （CT）和 RT 端子 （引脚 12）上的定时电阻 （RT）决定了三角波形 振荡频率。 此外，当三角波形振荡频率超过 1 MHz 时，与根据定时电阻 (RT) 常数得出的计算值相比，其变化幅度更大。因 此，请参照“■典型特性曲线”中的“三角波形振荡频率/定时电阻”和“三角波形振荡频率/定时电容”进行设置。 三角波形振荡频率：fOSC fOSC (kHz) =: 1200000 CT (pF) •RT (kΩ) 13 MB39A104 ■ 设置软启动和放电时间 要在接通 IC 时抑制浪涌电流，可以将软启动电容 （CS1 和 CS2）分别连接到通道 1 中的 CS1 端子 （引脚 11） 和通道 2 中的 CS2 端子 （引脚 14）来设置软启动。 当 CTL 端子（引脚 24）的电压为“高”电平，并且 IC 启动（VCC ≥ UVLO 阈值电压）时，连接到 CS1 和 CS2 端子上的外接软启动电容 （CS1 和 CS2）将充电，充电电流为 10 µA。误差放大器输出 [FB1 ( 引脚 9) , FB2 ( 引 脚 16) ] 取决于两个非反相输出端子 （1.24 V， CS1 端子电压）中较低的一个电压与反相输入端子电压 [−INE1 （引脚 10）电压， −INE2 （引脚 15）电压 ] 之间的比较值。 在软启动期间， FB1 (FB2) 端子电压取决于 1.24 V 内部参考电压与 CS1 (CS2) 端子电压之间的比较值。当连 接到 CS1 (CS2) 端子上的软启动电容充电时，DC/DC 转换器输出电压会与 CS1 (CS2) 端子电压成比例上升。 软启动时间的计算公式如下： 软启动时间：ts （输出达到 100% 时所需时间） ts (s) =: 0.124 × CS (µF) CS1 (CS2) 端子电压 =: 5 V Error Amp 模块 −INE1 (−INE2) 电压 =: 1.24 V =: 0 V t 软启动时间 (ts) 14 MB39A104 • 软启动电路 VREF VO 10 µA R1 −INE1 10 (−INE2) 15 低优先 R2 Error Amp 通道开 / 关信号 低：开，高：关 − 11 CS1 (CS2) CS1 (CS2) FB1 + + 14 1.24 V 9 (FB2) 16 UVLO 15 MB39A104 ■ 不用 CS 端子的处理方法 不使用软启动功能时，将 CS1 端子 （引脚 11）和 CS2 端子 （引脚 14）空置。 • 没有设置软启动时间 “ 断开 ” “ 断开 ” 11 CS1 16 CS2 14 MB39A104 ■ 关于定时闭锁保护电路 1. 设置定时闭锁过流保护检测电流 软启动完成之后激活过流保护电路。当电流过载时，该电路使用外接的 FET 开启电阻 (RON) 检测 FET 的漏极和 源极之间的电压上升值，激活定时电路并开始给连接在 CSCP 端子（引脚 8）上的电容 CSCP 充电。如果预先确 定的时间之外电流仍然过载，则该电路设置闭存，将 OUT 端子 （引脚 3, 22）锁定为 “高”电平并关闭外接的 FET。分别通过连接在 FET 漏极与 ILIM1 端子 （引脚 5）之间的电阻和连接在漏极与 ILIM2 端子 （引脚 20） 之间的电阻 (RLIM1 和 RLIM2)，可以设置检测电流值。 通过连接到 RT 端子 （引脚 12）上的定时电阻 (RT)，可以设置内部电流 (ILIM)。 到激活定时电路和设置闭存所需的时间，与 “2. 设置定时闭锁短路保护电路的时间常数”中的短路检测时间 相等。 内部电流值： ILIM ILIM (µA) =: 2700 RT (kΩ) 检测电流值： IOCP ILIM(A) × RLIM(Ω) IOCP (A) =: RON (Ω) − (VIN(V) − VO(V)) × VO(V) 2 × VIN(V) × fOSC(Hz) × L(H) RLIM ：过流检测电阻 RON ：外接 FET 开启阻抗 VIN ：输入电压 VO ：DC/DC 转换输出电压 fOSC ：振荡频率 L ：线圈电感 要将已启动的保护电路复位，可以关闭电源然后再次打开，也可以将 CTL 端子 （引脚 24）设置为 “低”电平 从而将 VREF 端子 （引脚 17）电压降低到 2.4 V （最小）或者更低。 • 过流检测电流 VIN Q1 L (VS2) 21 VS1 4 VO Current Protection Logic (1 µA) − (ILIM2) + 20 ILIM1 5 (RLIM) 每个通道 的 Drive CSCP 8 VREF S R Latch UVLO 17 MB39A104 过流保护电路：工作范围 电流过载期间，如果通过外接 FET (Q1) 电阻检测 FET 漏极与源极之间的电压上升值，则在由振荡频率、输入 电压和输出电压确定的外接 FET (Q1) 接通间隔小于 450 ns 时，电路工作不稳定。 因此，应该在一定范围内使用该电路，才能确保接通间隔不小于 450 ns，该范围由以下公式确定。 VO (V) 接通间隔 450 (ns) ≥ VIN (V) × fOSC (Hz) 如果外接 FET (Q1) 接通间隔小于 450 ns，则我们建议使用一个过流检测电阻 RS 检测是否过流，如下图所示。 此示例显示了在 Vo = 3.3 V 时过流检测功能的工作范围。 • 外接 FET (Q1) 开启时根据电流进行检测的方式 VIN 过流检测功能工作范围 (Rs) 1600 ErrAmp Q1 1400 (VS2) VO = 3.3 V 1200 fOSC (kHz) 21 4 VS1 1000 800 400 − + (ILIM2) 20 ILIM1 5 使用 RS 时 连接 RS 工作范围 200 0 6 8 10 12 14 VCC (V) 16 18 20 18 20 • 根据平均电流进行检测的方式 过流检测功能工作范围 VIN ErrAmp 21 (VS2) 4 VS1 RS 1400 VO = 设置为 3.3 V 1200 fOSC (kHz) Q1 1600 1000 800 工作范围 600 − + (ILIM2) 20 ILIM1 5 400 200 0 18 6 8 10 12 14 VCC (V) 16 MB39A104 2. 设置定时闭锁短路保护电路的时间常数 每个通道都使用短路检测比较器 (SCP Comp.) 随时比较误差放大器的输出电平和参考电压 （通常为 3.1 V）。 所有通道的 DC/DC 转换器负载条件稳定时，短路检测比较器的输出维持 “ 高 ” 电平，CSCP 端子（引脚 8）也保 持 “ 低 ” 电平。 如果由于负载短路使得一个通道的负载条件迅速变化，造成输出电压下降，则短路检测比较器将输出 “ 低 ” 电平。 这时， CSCP 端子上连接的外接短路保护电容 CSCP 将充电，充电电流为 1 µA。 短路检测时间 (tSCP) tSCP (s) =: 0.73 × CSCP (µF) 当电容 CSCP 充电到阈值电压 (VTH =: 0.73 V) 时，设置闭锁，外接 FET 关闭（停滞时间设置为 100%）。这时闭 锁输入关闭，CSCP 端子保持 “ 低 ” 电平。如果两个通道中的任何一个检测到短路现象，则两个通道会同时关闭。 恢复供电或者通过将 CTL 端子 ( 引脚 24) 设置为 “ 低 ” 电平，使得 VREF 端子 ( 引脚 17) 电压低于 2.4 V ( 最小 ) 时 , 即可解除闭锁。 • 定时闭锁短路保护电路 (FB2) VO R1 FB1 16 9 (−INE2) 15 −INE1 − 10 Error Amp + R2 (1.24 V) SCP Comp. + + − (3.1 V) (1 µA) 到每个通道的 Drive CSCP 8 VREF S R Latch UVLO 19 MB39A104 ■ 不用 CSCP 端子的处理方法 不用定时闭锁短路保护电路时，将 CSCP 端子 （引脚 8）和 GND 用最短的通路连接。 • 不用 CSCP 的处理方法 GND 8 18 CSCP ■ 将每个检测电路的闭锁复位 当过流或者短路保护电路检测到任何异常情况时，设置闭存，将其锁定为 “低”电平的输出。 要将已启动的保护电路复位，可以关闭电源然后再次打开，也可以将 CTL 端子 （引脚 24）设置为 “低”电平 从而将 VREF 端子 （引脚 17）电压降低到 2.4 V （最小）或者更低。 20 MB39A104 ■ I/O 等效电路 〈〈 参考电压模块 〉〉 〈〈 控制模块 〉〉 〈〈 软启动模块 〉〉 VREF (5.0 V) VCC 7 1.24 V CTL 24 + VCC 72 kΩ − 77.8 kΩ CSX 17 VREF 104 kΩ 24.8 kΩ GND GND GND 18 〈〈三角波形振荡器 (CT) 模块 〉〉 〈〈 三角波形振荡器模块 (RT) 〉〉 〈〈 短路检测模块 〉〉 VCC VREF (5.0 V) (3.1 V) (3.1 V) 2 kΩ 1.35 V 8 CSCP + CT 13 − 12 RT GND GND GND 〈〈 过流保护电路模块 〉〉 〈〈 误差放大器模块 (CH1, CH2) 〉〉 VCC VREF (5.0 V) −INEX ILIMX CSX 1.24 V VSX FBX GND GND 〈〈PWM 比较器 模块 (CH1, CH2) 〉〉 〈〈 偏压模块 〉〉 VCC FBX VCCO VCC VCC GNDO 〈〈 输出模块 (CH1, CH2) 〉〉 VCCO VCCO 1 O CT 2 VH DTCX VH GNDO 23 GND GND GNDO X : 每个通道的编号 21 22 6 CSCP C21 1000 pF Charging current (1 µA) H priority L priority − + + Error Amp2 L priority − + + Error Amp1 12 13 CT C1 100 pF H: UVLO release SCP Comp. + + − OSC UVLO RT R1 24 kΩ 8 SCP Logic H: at SCP 15 B VREF 100 kΩ 13 kΩ R14 CS2 10 µA CH2 ON/OFF signal 68 kΩ 14 (Hiz : ON, L : OFF) C17 R13 0.1 220 1.24 V µF kΩ C14 16 VIN 1000 pF FB2 (7 V to 19 V) 19 DTC2 R15R16 −INE2 DTC1 R10R11 −INE1 10 A VREF 150 kΩ 56 kΩ R9 10 µA CS1 CH1 ON/OFF signal 68 kΩ 11 C16 R8 (Hiz : ON, L : OFF) 0.1 220 1.24 V µF kΩ C12 9 1000 pF FB1 3.1 V 5.0 V 17 accuracy ± 1% Pch VCC − 5 V VH Bias Voltage + − VREF Power 18 GND CTL VR1 ON/OFF 1.24 V Error Amp Reference Error Amp Power Supply H: at OCP Current Protection Logic ILIM1 VS1 OUT1 VCCO VH VCC C2 10 µF C6 10 µF C10 0.1 µF 2.7 kΩ R5 + 2.7 kΩ R4 + C7 10 µF C3 10 µF Q2 Q1 D2 15 µF L2 B Stepdown D1 15 µF L1 A H : ON ( 电源打开 ) L : OFF ( 备用模式 ) VTH = 1.4 V CTL 24 7 GNDO 23 2 20 ILIM2 VS2 21 OUT2 22 C11 0.1 µF 5 + Drive2 CH2 4 IO = 200 mA at VCCO = 12 V Current Protection Logic 3 1 − Drive1 Pch CH1 IO = 200 mA at VCCO = 12 V VREF C20 0.1 µF bias 2.5 V 1.5 V PWM + Comp.2 + − L priority PWM + Comp.1 + − L priority Stepdown C4 82 µF + C8 82 µF VO2 (3.3 V) + V O1 (5.0 V) MB39A104 ■ 应用实例 MB39A104 ■ 部件列表 元件 项目 规格 供应商 部件号 Q1, Q2 P 通道 FET VDS = −30 V, ID = −6 A TOSHIBA TPC8102 D1, D2 二极管 IF = 3 A 时 , VF = 0.42 V ( 最大 ) ROHM RB0530L-30 L1, L2 电感线圈 15 µH 3.6 A, 50 mΩ SUMIDA CDRH104R-150 C1 C2, C6 C3, C7 C4, C8 C10, C11, C20 C12, C14, C21 C16, C17 陶瓷电容 OS-CONTM 陶瓷电容 陶瓷电容 陶瓷电容 100 pF 10 µF 10 µF 82 µF 0.1 µF 1000 pF 0.1 µF 50 V 20 V 25 V 6.3 V 50 V 50 V 50 V TDK SANYO TDK SANYO TDK TDK TDK C1608CH1H101J 20SVP10M C3225JF1E106Z 6SVP82M C1608JB1H104K C1608JB1H102K C1608JB1H104K R1 R4, R5 R8, R13 R9, R14 R10 R11 R15 R16 电阻 电阻 电阻 电阻 电阻 电阻 电阻 电阻 24 kΩ 2.7 kΩ 220 kΩ 68 kΩ 150 kΩ 56 kΩ 100 kΩ 13 kΩ 0.5 % 0.5 % 0.5 % 0.5 % 0.5 % 0.5 % 0.5 % 0.5 % ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm RR0816P-243-D RR0816P-272-D RR0816P-224-D RR0816P-683-D RR0816P-154-D RR0816P-563-D RR0816P-104-D RR0816P-133-D 陶瓷电容 OS-CONTM 附注 : TOSHIBA : TOSHIBA Corporation ROHM : ROHM Co., Ltd SANYO : SANYO Electric Co., Ltd. TDK : TDK Corporation SUMIDA : SUMIDA Electric Co., Ltd. ssm : SUSUMU Co., Ltd. 23 MB39A104 ■ 选择元件 • P 通道 MOS FET 用于切换的 P- 通道 MOSFET 的额定值至少应该比最大输入电压高 20％。要将连续性损耗降低到最小，请采用 在漏极和源极间带有低 RDS(ON) 的 FET。对于高输入电压和高频率运行，开启 / 关闭周期开关损耗将增大，因此 必须考虑功率消耗。在此应用中采用 Toshiba TPC8102。连续性损耗、开 / 关损耗和总损耗的计算公式如下。 选择时必须确保峰值漏极电流不超过额定值，并且必须根据过流检测电平进行选择。 连续性损耗：PC PC = ID 2 × RDS (ON) × 占空比 开启周期开关损耗：PS (ON) VD (Max) × ID × tr × fOSC PS (ON) = 6 关闭周期开关损耗：PS (OFF) VD (Max) × ID (Max) × tf × fOSC PS (OFF) = 6 总损耗：PC PT = PC + PS (ON) + PS (OFF) 例如：采用 Toshiba TPC8102 CH1 输入电压 VIN (Max) = 19 V，输出电压 VO = 5 V，漏极电流 ID = 3 A，振荡频率 fOSC = 500 kHz， L = 15 µH，漏极 －源极开启阻抗 RDS (ON) =: 50 mΩ， tr = tf =: 100 ns。 漏极电流 ( 最大 ) ：ID (Max) VIN − VO ID (Max) = IO + ton 2L =3+ 19 − 5 2 × 15 × 10−6 × 1 × 0.263 500 × 103 × 1 × 0.263 500 × 103 =: 3.25 (A) 漏极电流 ( 最小 ) ：ID (Min) VIN − VO ID (Min) = IO − ton 2L =3− 19 − 5 2 × 15 × 10−6 =: 2.75 (A) 24 MB39A104 = ID 2 × RDS (ON) × 占空比 = 3 2 × 0.05 × 0.263 PC =: 0.118 W PS (ON) = = VD (Max) × ID × tr × fOSC 6 19 × 3 × 100 × 10−9 × 500 × 103 6 =: 0.475 W PS (OFF) = VD (Max) × ID (Max) × tf × fOSC 6 = 19 × 3.25 × 100 × 10−9 × 500 × 103 6 =: 0.515 W PT = PC + PS (ON) + PS (OFF) =: 0.118 + 0.475 + 0.515 =: 1.108 W 上述的 TPC8102 功率消耗计算数值令人满意，远小于 2.4 W (Ta = +25 °C) 。 CH2 输入电压 VIN (Max) = 19 V，输出电压 VO = 3.3 V，漏极电流 ID = 3 A，振荡频率 fOSC = 500 kHz， L = 15 µH，漏 极－源极开启阻抗 RDS (ON) =: 50 mΩ， tr = tf =: 100 ns。 漏极电流 ( 最大 ) ； ID (Max) VIN − VO ID (Max) = IO + ton 2L =3+ 19 − 3.3 2 × 15 × 10−6 × 1 × 0.174 500 × 103 × 1 × 0.174 500 × 103 =: 3.18 (A) 漏极电流 ( 最小 ) ； ID (Min) VIN − VO ton ID (Min) = IO − 2L =3− 19 − 3.3 2 × 15 × 10−6 =: 2.82 (A) 25 MB39A104 PC = ID 2 × RDS (ON) × 占空比 = 3 2 × 0.05 × 0.174 =: 0.078 W PS (ON) = VD (Max) × ID × tr × fOSC 6 = 19 × 3 × 100 × 10−9 × 500 × 103 6 =: 0.475 W PS (OFF) = = VD (Max) × ID (Max) × tf × fOSC 6 19 × 3.18 × 100 × 10−9 × 500 × 103 6 =: 0.504 W PT = PC + PS (ON) + PS (OFF) =: 0.078 + 0.475 + 0.504 =: 1.057 W 上述的 TPC8102 功率消耗计算数值令人满意，远小于 2.4 W (Ta = +25 °C) 。 • 电感线圈 选择电感线圈时，理所当然应该使电感线圈中的电流不大于其额定电流；而且应该注意波纹电流的下限是一个 临界点，如果电流降低到该点，则会导致电路工作不连续并大大降低效率。通过选择较高的线圈电感值 （在轻 负载时电路可以连续工作） ，可以避免类似情况的发生。然而，请注意如果电感值太高，将会加大直流阻抗 (DCR)，这又会降低效率。因此必须选择使效率最高的电感值。 还要注意负载电流值接近电感线圈的额定电流值时，DC 叠加特性下降，因此电感值减小，波纹电流增强，最终 导致效率降低。负载电流的不同导致效率最高点不同，从而确定额定电流值和电感值的选择。 电感值的计算公式如下。 将所有负载电流条件设置为 “低”值，以便使波纹电流峰到峰的数值等于或者小于负载电流的二分之一。 电感值：L 2(VIN − VO) 低 ≥ IO 26 ton MB39A104 例如： CH1 低 ≥ ≥ 2 (VIN − VO) ton IO 2 × (19 − 5) 1 × × 0.263 IO 500 × 103 ≥ 4.91 µH CH2 低 ≥ ≥ 2 (VIN − VO) ton IO 2 × (19 − 3.3) 1 × × 0.174 IO 500 × 103 ≥ 3.64 µH 由上述公式得出的电感值，可以为以最大负载电流连续工作而提供足够的余量，但是在轻负载时却不能连续工 作。因此有必要确定可以连续工作的负载等级。在此应用中采用 Sumida CDRH104R-150。电感值等于 15 µH 时，连续工作条件下的负载电流值的计算公式如下。 连续工作条件下的负载电流值 : IO VO IO ≥ toff 2L 例如：采用 CDRH104R-150 15 µH ( 容许公差 ±30%) ，额定电流 = 3.6 A CH1 IO ≥ ≥ VO 2L toff 5 2 × 15 × 10−6 × 1 × (1 − 0.263) 500 × 103 ≥ 245.7 mA CH2 IO ≥ ≥ VO 2L toff 1 3.3 × (1 − 0.174) 2 × 15 × 10−6 × 500 × 103 ≥ 181.7 mA 27 MB39A104 要确定流过电感线圈的电流是否超过额定值，有必要先确定波纹电流的峰值以及峰到峰的数值，这两个值会影 响输出波纹电压。波纹电流的峰值和峰到峰的数值的计算公式如下。 峰值：IL VIN − VO 2L IL ≥ IO + ton 峰到峰的数值 : ∆IL VIN − VO ∆IL = ton 低 例如：采用 CDRH104R-150 15 µH ( 容许公差 ±30%) , 额定电流 = 3.6 A 峰值： CH1 IL VIN − VO 2L ≥ IO + ≥3+ ton 1 19 − 5 × 0.263 2 × 15 × 10−6 × 500 × 103 ≥ 3.25 A CH2 IL VIN − VO 2L ≥ IO + ≥3+ ton 19 − 3.3 2 × 15 × 10−6 × 1 × 0.174 500 × 103 ≥ 3.18 A 峰到峰的数值： CH1 VIN − VO ton 低 1 19 − 5 × 0.263 = 15 × 10−6 × 500 × 103 ∆IL = = 0.491 A CH2 VIN − VO ton 低 19 − 3.3 1 = × × 0.174 15 × 10−6 500 × 103 ∆IL = = 0.364 A 28 MB39A104 • 回扫二极管 当二极管上施加的反向电压小于 40 V 时，回扫二极管通常用作 Shottky 势垒二极管 (SBD)。SBD 具有反向恢复 时间更短速度更快、正向电压更低的特性，是实现高效率的理想元件。只要直流反向电压高于输入电压、流过 二极管的平均电流在平均输出电流等级范围内、并且峰值电流在峰值浪涌电流限制范围内，就可以满足要求。在 此应用中采用 Rohm RB053L-30。二极管平均电流和二极管峰值电流的计算公式如下。 二极管平均电流：IDi VO IDi ≥ IO × (1 − ) VIN 二极管峰值电流：IDip VO IDip ≥ (IO + toff) 2L 例如：采用 Rohm RB053L-30 VR ( 直流反向电压 ) = 30 V，平均输出电压 = 3.0 A，峰值浪涌电流 = 70 A， VF ( 正向电压 ) = 0.42 V， IF = 3.0 A CH1 IDi ≥ IO × (1 − VO ) VIN ≥ 3 × (1 − 0.263) ≥ 2.21 A CH2 IDi ≥ IO × (1 − VO ) VIN ≥ 3 × (1 − 0.174) ≥ 2.48 A CH1 IDip ≥ (IO + VO toff) 2L ≥ 3.24 A CH2 IDip ≥ (IO + VO toff) 2L ≥ 3.18 A 29 MB39A104 • 平滑电容 平滑电容是减少输出中波纹电压的必要元件。选择平滑电容时，有必要考虑等效串连电阻 (ESR) 和容许波纹电 流。ESR 越大意味着波纹电压越大，所以要减小波纹电压，有必要选择一个带有低 ESR 的电容。然而，使用带 有低 ESR 的电容对于闭环阶段特性有巨大影响，因此需要考虑系统稳定性。还应该注意电容的容量要有足够的 余量用于容许波纹电流。此应用采用 Sanyo 公司制造的 (OS-CON TM) 6SVP82M。 ESR、电容值和波纹电流的 计算公式如下。 等效串联电阻：ESR ∆VO 1 ESR ≤ − 2πfCL ∆IL 电容值：CL CL ∆IL ≥ 2πf (∆VO − ∆IL × ESR) 波纹电流：ICLrms (VIN − VO) ton ICLrms ≥ 2√3L 例如：采用 6SVP82M 额定电压 = 6.3 V, ESR = 50 mΩ，最大容许波纹电流 = 1570 mArms 等效串联电阻 CH1 ESR ≤ ≤ ∆VO ∆IL − 0.050 0.491 ≤ 98.0 mΩ 30 − 1 2πfCL 1 2π × 500 × 103 × 82 × 10−6 MB39A104 CH2 ∆VO ∆IL ESR ≤ − 0.033 0.364 ≤ 1 2πfCL − 1 2π × 500 × 103 × 82 × 10−6 ≤ 86.8 mΩ 电容值 CH1 CL ≥ ≥ ∆IL 2πf (∆VO − ∆IL × ESR) 0.491 2π × 500 × 103 × (0.050 − 0.491 × 0.05) ≥ 6.14 µF CH2 CL ≥ ≥ ∆IL 2πf (∆VO − ∆IL × ESR) 0.364 2π × 500 × 103 × (0.033 − 0.364 × 0.05) ≥ 7.83 µF 波纹电流 CH1 ICLrms ≥ ≥ (VIN − VO) ton 2√3L (19 − 5) × 0.263 2√3 × 15 × 10−6 × 500 × 103 ≥ 141.7 mArms CH2 ICLrms ≥ ≥ (VIN − VO) ton 2√3L (19 − 3.3) × 0.174 2√3 × 15 × 10−6 × 500 × 103 ≥ 105.1 mArms 31 MB39A104 ■ 参考数据 总效率 / 输入电压 100 90 总效率 η (%) 80 70 Vin = 7 V Vin = 10 V Vin = 12 V Vin = 19 V 60 Ta = +25 °C 5 V 输出 SW1 = 关闭 SW2 = 开启 50 40 30 10 m 100 m 1 10 输入电压 VIN (V) 每个通道的效率 / 输入电压 100 每个通道的效率 η (%) 90 80 70 Vin = 7 V Vin = 10 V Vin = 12 V Vin = 19 V 60 Ta = +25 °C 3.3 V 输出 SW1 = 开启 SW2 = 关闭 50 40 30 10 m 100 m 1 10 输入电压 VIN (V) （续） 32 MB39A104 （续） 切换波形 (CH1) VG (V) Ta = +25 °C VIN = 12 V CTL = 5 V VO = 5 V RL = 1.67 Ω 15 10 5 VS (V) 0 15 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 t (µs) 切换波形 (CH2) VG (V) Ta = +25 °C VIN = 12 V CTL = 5 V VO = 3.3 V RL = 1.1 Ω 15 10 5 VS (V) 0 15 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 t (µs) 33 MB39A104 ■ 应用注意事项 • 设置印刷电路板接地线路时应考虑到公共阻抗。 • 采取适当的防静电措施。 • 盛放半导体材料的容器应该有防静电保护或者容器本身的材料是导体。 • 安装后，印刷电路板应该盛放在导电的包装袋或者容器内储存或者运输。 • 工作平台、工具和仪器都应该保证接地良好。 • 工作人员也应该接地，保证身体和地之间的电阻值在 250 kΩ 到 1 MΩ。 • 不要施加负向电压。 施加了低于 -0.3 V 的负向电压，可能在 LSI 线路上产生寄生晶体管，影响正常运行。 ■ 订购信息 部件号 MB39A104PFV 34 封装 30 针塑料 SSOP (FPT-24P-M03) 备注 MB39A104 ■ 封装尺寸 24 针塑料 SSOP (FPT-24P-M03) 注释 1：针脚宽度和针脚厚度包含镀层金属的厚度。 注释 2：* 此尺寸不包含树脂突起。 0.17±0.03 (.007±.001) * 7.75±0.10(.305±.004) 24 13 5.60±0.10 7.60±0.20 (.220±.004) (.299±.008) INDEX Details of "A" part +0.20 1.25 –0.10 +.008 .049 –.004 (Mounting height) 0.25(.010) 1 "A" 12 0~8° +0.08 0.65(.026) 0.24 –0.07 +.003 .009 –.003 0.13(.005) M 0.50±0.20 (.020±.008) 0.60±0.15 (.024±.006) 0.10±0.10 (.004±.004) (Stand off) 0.10(.004) C 2001 FUJITSU LIMITED F24018S-c-3-4 尺寸单位 mm （英寸） 35 MB39A104 FUJITSU LIMITED 保留所有权利。 本文档所包含信息如有更改，恕不另行通知。 在订购之前建议用户先向 FUJITSU 销售代理咨询。 本资料所记载的动作概要和应用电路的实例，表示的是半导 体装置的标准动作和使用方法，并不保证实际使用的机器的 动作。因此，在使用这些资料时，请用户自己负责机器的设 计。对于因使用该资料造成的损失，本公司概不负责。 本资料所记载的包括动作概要，电路图在内的技术信息，并 不意味着对本公司或第三者的专利权，著作权等知识产权及 其它权利的使用权或实施权的许诺。另外，使用这些资料， 不保证能实施第三者的知识产权和其它权利。 因此，对于因使用这些资料造成的对第三者的知识产权及其 它权利的侵害，本公司概不负责。 本文档描述的产品，是为一般使用目的而设计，开发和制造， 包括但不限于普通工业用途，一般办公用途，个人使用以及 家用。但不适用于 (1) 伴随致命风险和危险，如果没有极高的 安全防卫保证措施，可能对公众造成严重后果，可能造成直 接死亡，人身伤害，严重的物质损失或者其它损失的应用领 域 （比如核设备的核反应堆控制，飞机航行控制，航空管理 控制，公共交通控制，医用维系生命设备，武器系统中的导 弹发射控制），或者 (2) 需要极高可靠性的应用领域（比如说 水下中继器和人造卫星）。 请注意，对在上述领域内使用该产品所引发的用户及或第三 方的任何索赔或者损失， FUJITSU 概不负责。 任何半导体设备本身都有发生故障的可能。为避免因为这种 故障造成任何人身伤害，财产损失或者数据丢失，您必须在 您的设备上做好安全设计措施，比如安装冗余设备，防火设 施，过流保护以及其它异常运行条件的保护措施。 如果本文档中描述的产品涉及到日本外汇及外贸法对某些产 品或者技术出口限制，应该在从日本出口该产品之前获得日 本政府对该产品的出口授权。 F0301 FUJITSU LIMITED 日本印刷