本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。 富士通マイクロエレクトロニクス DS04–71105–1a DATA SHEET ASSP 電源用 評価用ボード MB39A104 ■ 概 要 MB39A104 評価ボードは 2 ch のダウンコンバージョン回路の表面実装回路基板です。 出力電圧を 5 V, 3.3 V に設定して おり , 7 V ～ 19 V の電源電圧から最大 3 A の電流を供給します。 MB39A104 は外付けセンス抵抗の不要な過電流保護機能 を備えていますのでセンス抵抗の無い回路構成になっております。また , 保護機能により短絡保護検出時や低 VCC 時誤動 作防止回路動作時にトランジスタをオフし出力を停止します。 更にチャンネルごとのオンオフコントロール・ソフトス タート設定が可能です。 ■ 評価ボード仕様 規 格 値 標 準 最 大 7 12 19 V 420 500 580 kHz (CH1) 4.90 5.0 5.09 (CH2) 3.24 3.3 3.36 (CH1) 1.0 3.0 (CH2) 1.0 3.0 (CH1) 50 (CH2) 33 (CH1) 7.8 12.4 23 (CH2) 7.8 12.4 23 0.43 0.73 1.43 (CH1) 5.54 5.75 5.88 (CH2) 5.60 5.78 5.90 入力電圧 発振周波数 出力電圧 出力電流 出力リップル電圧 ソフトスタート時間 ショート検出時間 過電流保護検出電流 * 単 位 最 小 ＊ : VIN = 12 V (Typ), Ron = 50 mΩ 固定にて算出しています。 Copyright©2003-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved 2003.7 V A mV ms ms A MB39A104 ■ 端子情報 記 号 機 能 説 明 1 VIN ソースおよび IC 稼動用電源端子 2 GND メイン GND 端子 3 CS1, CS2 4 GND ５ OUT1, OUT2 出力端子 6 GND1, GND2 DC/DC 部 GND 端子 7 VREF 基準電圧出力端子 8 SGND IC 制御側 GND 端子 9 DTC1, DTC2 10 CTL チャネル OFF 端子 GND 外部 Duty コントロール端子 電源コントロール端子 ■ SW 情報 SWITCH FUNCTION ON OFF SW1 電源コントロール H ( 動作状態 ) L ( スタンバイ状態 ) SW2 Ch1 コントロール L ( 動作状態 ) H ( スタンバイ状態 ) SW3 Ch2 コントロール L ( 動作状態 ) H ( スタンバイ状態 ) ■ セットアップ & 確認方法 (1) セットアップ ・ 電源側端子を VIN・GND へ繋ぎます。OUT1 あるいは OUT2 を必要な負荷装置または測定器に繋いでください。 ・ SW1, SW2, SW3 は OFF 状態にしてください。 (2) 確認方法 SW1, SW2, SW3 を ON にし VIN へ電力を投入してください。 OUT1 ＝ 5 V (Typ) , OUT2 ＝ 3.3 V (Typ) が出力されていれ ば IC は正常に動いています。 2 MB39A104 ■ 部品配置図 ・ボード部品配置図 L2 C8 D2 Q2 C9 OUT2 GND2 C19 R18 R13 R25 C20 R28 R14 R15 R16 DTC2 C17 C15 C14 R5 R26 R3 R7 Q4 R22 R21 C1 SW1 SW3 24 VREF 13 M1 3 C10 2 GND VIN 1 CTL 12 1 R1 C16 C13 R19 R8 Q3 R20 R6 C12 R4 R24 R2 C11 SGND SW2 C21 R27 R23 R10 R11 DTC1 R9 C18 R12 GND1 OUT1 Q1 D1 C4 C5 L1 （続く） 3 MB39A104 （続き） Board Layout Top Side Inside VIN (LAYER3) 4 Inside GND (LAYER2) Bottom Side MB39A104 ■ 接続図 VIN OUT2 L2 Q2 TPC8102 15 µH C6 R3 0Ω C7 + 10 µF R25 0Ω 10 µF GND C9 82 µF C8 82 µF D2 RB053L-30 R26 0Ω 68 kΩ SW1 R15 R16 100 kΩ 13 kΩ R18 20 kΩ C19 220 pF R28 SGND R7 0Ω DTC2 24 M1 23 22 21 C14 1000 pF 20 19 18 2 3 4 5 6 7 15 14 13 9 10 11 12 R2 0Ω Q1 TPC8102 10 µF R1 24 kΩ R24 0Ω VIN R20 200 kΩ R8 220 kΩ C16 0.1 µF C21 1000 pF R19 0Ω SW2 Q3 2N7002 Ch1 OFF SW2 C18 R12 220 pF 20 kΩ R9 68 kΩ R10 R11 150 kΩ 56 kΩ L1 C3 C1 100 pF C15 C12 1000 pF R27 DTC1 + R21 0Ω C13 R6 0Ω C2 SW3 16 8 R4 2.7 kΩ C11 0.1 µF R23 0Ω 17 2N7002 Ch2 OFF SW3 C10 0.1 µF MB39A104 1 C17 0.1 µF R13 220 kΩ R5 2.7 kΩ VIN R22 200 kΩ Q4 C20 0.1 µF VREF 10 µF + GND2 R14 CTL + 3.3 V 15 µH C5 82 µF C4 82 µF D1 RB053L-30 + OUT1 5V + GND1 5 MB39A104 ■ 部品表 部品番号 品名 仕様 メーカ Package 型格 M1 IC MB39A104 FUJITSU FPT-24P-M03 MB39A104PFV Q1, Q2 P-ch FET VDS ＝－ 30 V, Qg ＝ 43 nC (Typ) TOSHIBA SO-8 TPC8102 Q3, Q4 N-ch FET VDS ＝ 60 V, ID ＝ 0.24 A (Max) Siliconix TO-236 2N7002E D1, D2 Diode VF ＝ 0.42 V (Max) , at IF ＝ 3 A ROHM PMDS RB053L-30 L1, L2 インダクタ 15 µH SUMIDA SMD CDRH104R-150 C1 セラコン 100 pF (50 V) TDK 1608 タイプ C1608CH1H101J 10 µF (20 V) SANYO SMD 20SVP10M C2, C6 C3, C7 C4, C8 C5, C9 TM OS-CON 10 µF (25 V) TDK 3225 タイプ C3325JF1E106Z TM 82 µF (6.3 V) SANYO SMD 6SVP82M TM 82 µF (6.3 V) SANYO SMD 6SVP82M セラコン OS-CON OS-CON C10, C11, C20 セラコン 0.1 µF (50 V) TDK 1608 タイプ C1608JB1H104K C12 セラコン 1000 pF (50 V) TDK 1608 タイプ C1608JB1H102K 特記事項 未実装 未実装 C13, C15 C14 セラコン 1000 pF (50 V) TDK 1608 タイプ C1608JB1H102K C16, C17 セラコン 0.1 µF (50 V) TDK 1608 タイプ C1608JB1H104K C18 セラコン 220 pF (50 V) TDK 1608 タイプ C1608JB1H221K 未実装 C19 セラコン 220 pF (50 V) TDK 1608 タイプ C1608JB1H221K 未実装 C21 セラコン 1000 pF (50 V) TDK 1608 タイプ C1608JB1H102K R1 抵抗 24 kΩ (0.5％) ssm 1608 タイプ RR0816P243D R2, R3, R6, R7 ジャンパー 0Ω KOA 1608 タイプ RK73Z1J-0D R4, R5 抵抗 2.7 kΩ (0.5％) ssm 1608 タイプ RR0816P272D R8 抵抗 220 kΩ (0.5％) ssm 1608 タイプ RR0816P224D R9 抵抗 68 kΩ (0.5％) ssm 1608 タイプ RR0816P683D R10 抵抗 150 kΩ (0.5％) ssm 1608 タイプ RR0816P154D R11 抵抗 56 kΩ (0.5％) ssm 1608 タイプ RR0816P563D R12 抵抗 20 kΩ (0.5％) ssm 1608 タイプ RR0816P203D R13 抵抗 220 kΩ (0.5％) ssm 1608 タイプ RR0816P224D R14 抵抗 68 kΩ (0.5％) ssm 1608 タイプ RR0816P683D R15 抵抗 100 kΩ (0.5％) ssm 1608 タイプ RR0816P104D R16 抵抗 13 kΩ (0.5％) ssm 1608 タイプ RR0816P133D R18 抵抗 20 kΩ (0.5％) ssm 1608 タイプ RR0816P203D R19, R21 ジャンパー 0Ω KOA 1608 タイプ RK73Z1J-0D R20, R22 抵抗 200 kΩ (0.5％) ssm 1608 タイプ RR0816P204D R23, R24, R25, R26 ジャンパー 0Ω KOA 1608 タイプ RK73Z1J-0D 未実装 未実装 未実装 R27, R28 SW1, SW2, SW3 ディップ SW 4 pole MATSUKYU DMS-4H ピン 端子ピン WT-2-1 マックエイト WT-2-1 （注意事項）OS-CON は三洋電機社の商標です。 （続く） 6 MB39A104 （続き） TOSHIBA Siliconix ROHM SUMIDA SANYO TDK ssm KOA MATSUKYU マックエイト 株式会社東芝セミコンダクター社 VISHAY Intertechnology, Inc ローム株式会社 スミダ電機株式会社 三洋電機株式会社 TDK 株式会社 進工業株式会社 コーア株式会社 松久株式会社 株式会社マックエイト 7 MB39A104 ■ 初期設定 (1) 出力電圧設定 CH1 VO1 (V) ＝ 1.24 / R9 × (R9 ＋ R10 ＋ R11) ≒ 5.0 (V) CH2 VO2 (V) ＝ 1.24 / R14 × (R14 ＋ R15 ＋ R16) ≒ 3.3 (V) (2) 発振周波数 fOSC (kHz) ＝ 1200000 / (C1 (pF) × R1 (kΩ) ) ≒ 500 (kHz) (3) ソフトスタート時間 CH1 ts (s) ＝ 0.124 × C16 (µF) ≒ 12.4 (ms) CH2 ts (s) ＝ 0.124 × C17 (µF) ≒ 12.4 (ms) (4) ショート検出時間 tscp (s) ＝ 0.73 × C21 (µF) ≒ 0.73 (ms) (5) 過電流保護検出電流 CH1 (ILIM ＝ 110 µA, RON ＝ 50.0 mΩ, VIN ＝ 12 V, VO1 ＝ 5.0 V) IOCP (A) ＝ ILIM × R4 / RON － ( (VIN － VO1) × VO1) / (2 × VIN × fOSC × L1) ≒ 5.75 (A) CH2 (ILIM ＝ 110 µA, RON ＝ 50.0 mΩ, VIN ＝ 12 V, VO2 ＝ 3.3 V) IOCP (A) ＝ ILIM × R5 / RON － ( (VIN － VO2) × VO2) / (2 × VIN × fOSC × L2) ≒ 5.78 (A) 8 MB39A104 ■ 参考データ (1) 変換効率－負荷電流特性 (VIN ＝ 12 V) ch1 ch2 Conversion efficiency-Load current (ch2) 100 100 95 95 Conversion efficiency η (％) Conversion efficiency η (％) Conversion efficiency-Load current (ch1) 90 85 80 75 70 VIN = 12 V Setting Vo1 = 5 V SW1 = ON SW2 = OFF SW3 = OFF 65 60 55 50 10 m 100 m 1 90 85 80 75 70 60 55 50 10 m 10 VIN = 12 V Setting Vo2 = 3.3 V SW1 = ON SW2 = OFF SW3 = OFF 65 Load current IO1 (A) 100 m 1 10 Load current IO2 (A) (2) ロードレギュレーション (VIN ＝ 12 V) ch1 ch2 Output voltage-Load current (ch2) Output voltage-Load current (ch1) VIN = 12 V Setting Vo1 = 5 V SW1 = ON SW2 = OFF SW3 = OFF 5.02 5.01 5.00 4.99 4.98 4.97 4.96 4.95 10 m 100 m 1 Load current IO1 (A) 10 3.34 Output voltage VO2 (V) Output voltage VO1 (V) 5.03 VIN = 12 V Setting Vo2 = 3.3 V SW1 = ON SW2 = OFF SW3 = OFF 3.33 3.32 3.31 3.30 3.29 3.28 3.27 3.26 10 m 100 m 1 10 Load current IO2 (A) 9 MB39A104 (3) ラインレギュレーション ch1 ch2 Output voltage-Input voltage (ch2) 3.34 5.01 3.33 Output voltage VO2 (V) Output voltage VO1 (V) Output voltage-Input voltage (ch1) 5.02 5.00 4.99 4.98 4.97 Io = 1.5 A Setting Vo1 = 5 V SW1 = ON SW2 = OFF SW3 = OFF 4.96 4.95 4.94 Io = 1.5 A Setting Vo2 = 3.3 V SW1 = ON SW2 = OFF SW3 = OFF 3.32 3.31 3.30 3.29 3.28 3.27 3.26 7 9 11 13 15 17 19 21 7 9 11 13 Input voltage VIN (V) Input voltage VIN (V) (4) ソフトスタート動作波形 Vo1 (V) VIN = 12 V Setting Vo1 = 2 Ω Vo2 = 2 Ω SW1 = ON SW2 = OFF SW3 = OFF 4 2 0 Vo2 (V) 2 Vo1 Vo2 0 CTL (V) 5 CTL 0 0 10 15 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 (ms) 17 19 21 MB39A104 (5) 出力リップル波形 (VIN ＝ 12 V) ch1 Vo1 (mV) 20 IO = 0.5 A 0 −20 PchFET Drain (V) 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 Vo1 (mV) 20 8 9 10 (µs) IO = 1.5 A 0 −20 PchFET Drain (V) 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 Vo1 (mV) 20 8 9 10 (µs) IO = 3 A 0 −20 PchFET Drain (V) 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (µs) 11 MB39A104 ch2 Vo2 (mV) 20 IO = 0.5 A 0 −20 PchFET Drain (V) 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 Vo2 (mV) 20 8 9 10 (µs) IO = 1.5 A 0 −20 PchFET Drain (V) 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 Vo2 (mV) 20 8 9 10 (µs) IO = 3 A 0 −20 PchFET Drain (V) 10 5 0 0 12 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (µs) MB39A104 (6) 負荷急変時出力波形 (VIN ＝ 12 V) ch1 ch2 SW1 = ON SW2 = OFF SW3 = OFF Vo1 (mV) 50 50 0 0 −50 −50 lo1 (A) lo1 (A) 4 4 2 2 0 0 0 1 2 SW1 = ON SW2 = OFF SW3 = OFF Vo1 (mV) 3 4 5 6 7 8 9 10 (ms) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (ms) (7) 過電流保護動作特性 (VIN ＝ 12 V) ch1 ch2 6 SW1 = ON SW2 = OFF SW3 = OFF RLIM1 = R4 5 OCP detection current Iocp (A) OCP detection current Iocp (A) 6 4 3 2 1 0 0 500 1000 1500 RLIM1 (Ω) 2000 2500 3000 SW1 = ON SW2 = OFF SW3 = OFF RLIM2 = R5 5 4 3 2 1 0 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 RLIM2 (Ω) 13 MB39A104 ■ 部品選択方法 1. ボード図 CH2 フライバックダイオード 出力平滑コンデンサ FET インダクタ MB39A104 EV Board L2 C8 TPC8102 . 。 9D 56 12 C7 C9 OUT2 207 82 6 D2 150 N26 225 10 20 GND2 R13 C19 R18 683 104 224 R15 0 R25 C20 R28 R14 133 R16 0 R22 C17 C15 C14 R5 R26 R3 R7 204 0 0 Q4 7EPTH R21 272 0 DTC2 SW1 C1 39A104 ES0209 M00 2 C10 1 CTL 12 1 M1 VIN 3 13 VREF GND 4 SW3 24 R1 OFF MKK C6 Q2 3 2 1 243 C16 204 0 R20 0 0 272 0 7EPTH C13 R6 C12 R4 R2 R24 C11 SGND Q3 R19 SW2 R8 683 154 563 C18 R12 R9 GND1 TPC8102 9D 56 12 D1 150 N26 Q1 C3 207 82 6 225 10 20 C21 R27 R23 C2 R10 R11 0 DTC1 。 224 OUT1 C5 C4 L1 R e v. 1 . 0 FET インダクタ フライバックダイオード CH1 Board Photograph 14 出力平滑コンデンサ MB39A104 部品選択法を下記に記します。 VIN ＝ 19 V (Max) , Vo1 ＝ 5.0 V, Vo2 ＝ 3.3 V, Io ＝ 3.0 A, fOSC ＝ 500 kHz 2. P-ch MOS FET (TPC8102 ( 東芝製 ) ) VDS ＝－ 30 V, VGS ＝± 20 V, ID ＝ 6 A, RDS (on) ＝ 34 mΩ (Typ) , Qg ＝ 43 nC (Typ) ドレイン電流：ピーク値 FET のドレイン電流のピーク値は FET の定格電流値内である必要があります。 FET のドレイン電流のピーク値を ID とすると ID は下記式で求められます。 Ch1 側 VIN － Vo1 I D ≧ IO ＋ ton 2L ≧ 3＋ 19 － 5 1 × × 0.263 2 × 15 × 10 － 6 500 × 103 ≧ 3.25 A Ch2 側 ID ≧ IO ＋ ≧ 3＋ VIN － Vo2 ton 2L 19 － 3.3 1 × × 0.174 2 × 15 × 10 － 6 500 × 103 ≧ 3.18 A 3. インダクタ (CDRH104R-150：SUMIDA 製 ) 15 µH ( 許容差± 30％) , 定格電流＝ 3.6 A 全負荷電流条件での L 値：リップル電流のピークピーク値が負荷電流の 1/2 以下になるように設定 Ch1 側 2 (VIN － Vo1) ton L≧ IO ≧ 2 × (19 － 5) 3 × 1 × 0.263 500 × 103 ≧ 4.91 µH Ch2 側 L≧ ≧ 2 (VIN － Vo2) IO ton 2 × (19 － 3.3) 1 × × 0.174 3 500 × 103 ≧ 3.64 µH 連続電流条件になる負荷電流値 Ch1 側 Vo1 IO ≧ toff 2L ≧ 5 1 × × (1 － 0.263) 2 × 15 × 10 － 6 500 × 103 ≧ 245.7 mA 15 MB39A104 Ch2 側 IO ≧ ≧ Vo2 toff 2L 3.3 1 × × (1 － 0.174) 2 × 15 × 10 － 6 500 × 103 ≧ 181.7 mA リップル電流：ピーク値 リップル電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。 リップル電流のピーク値を IL とすると IL は下記式で求められます。 Ch1 側 VIN － Vo1 ton IL ≧ IO ＋ 2L ≧ 3＋ 19 － 5 1 × × 0.263 2 × 15 × 10 － 6 500 × 103 ≧ 3.25 A Ch2 側 IL ≧ IO ＋ ≧ 3＋ VIN － Vo2 ton 2L 19 － 3.3 1 × × 0.174 2 × 15 × 10 － 6 500 × 103 ≧ 3.18 A リップル電流：ピークピーク値 リップル電流のピークピーク値を ∆IL とすると ∆IL は下記式で求められます。 Ch1 側 VIN － Vo1 ton ∆IL ＝ L ＝ 19 － 5 15 × 10 － 6 × 1 × 0.263 500 × 103 ≒ 0.491 A Ch2 側 ∆IL ＝ ＝ VIN － Vo2 ton L 19 － 3.3 15 × 10 － 6 ≒ 0.364 A 16 × 1 × 0.174 500 × 103 MB39A104 4. 出力平滑コンデンサ (6SVP82M：三洋製 ) 82 µF, 定格電圧＝ 6.3 V, ESR ＝ 50 mΩ, 最大許容リップル電流＝ 1570 mArms 出力リップル電圧を ∆VO, 出力平滑コンデンサを CL としリップル電流を ICLrms, 直列抵抗を ESR とします。 1 個使用での ESR, CL, ICLrms は下記式で求められます。 直列抵抗 Ch1 側 ∆Vo 1 ESR ≦ － 2πfCL ∆IL 0.050 1 － 0.491 2π × 500 × 103 × 82 × 10 － 6 ≦ ≦ 98.0 mΩ 上記コンデンサは 50 mΩ であり条件を満たしています。 Ch2 側 ∆Vo － ∆IL ESR ≦ 1 2πfCL 0.033 1 － 0.364 2π × 500 × 103 × 82 × 10 － 6 ≦ ≦ 86.8 mΩ 上記コンデンサは 50 mΩ であり条件を満たしています。 コンデンサ Ch1 側 CL ≧ ≧ ∆IL 2πf (∆Vo － ∆IL × ESR) 0.491 2π × 500 × 103 × (0.050 － 0.491 × 0.05) ≧ 6.14 µF 上記コンデンサは 82 µF (Typ) であり条件を満たしています。 Ch2 側 CL ≧ ≧ ∆IL 2πf (∆Vo － ∆IL × ESR) 0.364 2π × 500 × 103 × (0.033 － 0.364 × 0.05) ≧ 7.83 µF 上記コンデンサは 82 µF (Typ) であり条件を満たしています。 リップル電流 Ch1 側 ICLrms ≧ ≧ (VIN － Vo1) ton 2√3L (19 － 5) × 0.263 2√3 × 15 × 10 － 6 × 500 × 103 ≧ 141.7 mArms 上記コンデンサは 1570 mArms であり条件を満たしています。 17 MB39A104 Ch2 側 ICLrms ≧ ≧ (VIN － Vo2) ton 2√3L (19 － 3.3) × 0.174 2√3 × 15 × 10 － 6 × 500 × 103 ≧ 105.1 mArms 上記コンデンサは 1570 mArms であり条件を満たしています。 5. フライバックダイオード (RB053L-30：ROHM 製 ) VR ( 直流逆方向電圧 ) ＝ 30 V, 平均出力電流＝ 3.0 A, せん頭電流＝ 70 A VF ( 順方向電圧 ) ＝ 0.42 V, IF ＝ 3.0 A 時 VR：入力電圧を十分満たす値→ 30 V ダイオード導通時間を tD (Max) とするとダイオード平均電流 IDi は下記式で求められます。 Ch1 側 Vo1 IDi ≧ IO × (1 － ) ＝ 3 × (1 － 0.263) ≒ 2.21 A VIN Ch2 側 IDi ≧ IO × (1 － Vo2 ) ＝ 3 × (1 － 0.174) ≒ 2.48 A VIN ダイオード導通時間を tD (Max) とするとダイオードピーク電流 IDip は下記式で求められます。 Ch1 側 Vo1 IDip ≧ (IO ＋ toff) ≒ 3.24 A 2L Ch2 側 IDip ≧ (IO ＋ 18 Vo2 toff) ≒ 3.18 A 2L MB39A104 ■ オーダ型格 EV ボード型格 MB39A104EVB EV ボード版数 備考 MB39A104 EV Board Rev.1.0 19 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fml/ お問い合わせ先 富士通エレクトロニクス株式会社 〒 163-0731 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fei/ 電子デバイス製品に関するお問い合わせは , こちらまで , 0120-198-610 受付時間 : 平日 9 時～ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます ) 携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。 ※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。 本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。 本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な どについては , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施 権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を 伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵 器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・ 製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用 されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。 半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き をおとりください。 本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。 編集 販売戦略部