DER-8326-13-P062 Design Example Report 标题 Chipown 基于 PN8326 的 12W LED 应用方案 42V290mA 输入电压:90~265V 全电压 规格 输出功率:12W 输出电压:42V 输出电流:290mA±5% 应用范围 LED 平板灯、吸顶灯、筒灯等外置电源 文件编号 DER-8326-13-P062 特性概述: ·单面板工艺,单面元器件,面积:67*27.5mm; ·输入电压:90~265Vac 电压范围; ·输出功率:12W; ·拥有 LED 灯开路、短路、过温保护等功能; ·拥有电流采样电阻短路保护; ·输出效率:≥80%; 内容目录 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 电源介绍………………….………………………………………………………………………………2 电源规格明细………….…………………………………………………………………..…………..…2 原理图….…………………………………………………………………………………………………3 电路描述……….…………………………………………………………………………………………4 PCB LAYOUT ...….………………………………………………………………………………………4 Bill Of Materials…………………………………………………………………………………………. .5 变压器规格…………………………………………………………………………...................………..6 电源工作情况和波形 ……………………………………………………………..…………………….9 EFT 和 Common Surge 测试……………………………………………………..…………………….14 温度特性 ………………………………………………………………………..…………………….14 附件 1 ……………………………………………………………………………..…………………….15 附件 2 ………………………………………………………………………………..…………………….16 页码: 1 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 1. 电源介绍 该报告提供了一种基于 PN8326 的 42V/290mA 单路输出开关电源。芯片集成度高,BOM 器件个数少,具 有 LED 灯开路、短路、过温保护等功能; 该报告包含了原理图,电源输入输出规格,BOM 表,变压器参数和 PCB LAYOUT 等数据表单。 以下为该电源的实物图片: 2.电源规格明细 最大输入输出电气特性: 项目描述 标号 Min Typ Max Unit 备注 输入电压 Vin 90 230 264 V 50/60Hz 输出电压 Vout 24 42 V 输出电流 Iout 276 304 mA 输出功率 Pout 12 W 效 率 工作环境 η 80 Tamb 0 290 % 25 75 ℃ 外部环境 页码: 2 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 3.电源原理图 N 5 GND R4 LED+ R7 8 FB NC VDD CS EC4 D6 PN8326 EC1 2.2Ω/0.5W FR1 L NC SW U1 SW 1 D1~D4 R1 R2 EC2 EC3 4 R5 T1 R6 C4 C1 R3 D5 Note: 具体参数以 BOM 为准 页码: 3 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China EC5 LED- DER-8326-13-P062 Design Example Report 4. Chipown 电路描述 电路图中R4、R5、R6为反馈分压电阻,可间接采样出的电压,LED开路时,输出电压会很高,调整 R4与R5、R6的比例,可调节LED开路时的输出电压; 等比例调节R4、R5、R6可改善Io的线性调整率; 当 PN8326 本体温度太高时,其内置的 OTP 保护功能会及时启动,以保护整个系统; 当 LED 发生短路或开路时,系统将进入打嗝模式直到短路状态消除。 5. PCB LAYOUT PCB 为普通双面板工艺,双面元器件,铜厚 1OZ,板厚 1.6mm,基材为 FR-4。PCB 长 67mm,宽 27.5mm, 厚 1mm。污染等级符合 CLASS2。 页码: 4 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Design Example Report 6. 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Chipown Bill of Materials 元件标号 元件名称 EC1 EC2 EC3 C1 D1 D2 D3 D4 D5 D6 FR1 T1 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 U1 元件型号 电解电容 400V/10uF 50V/2.2uF 50V/47uF 瓷片电容 1KV/1.0nF 二极管 1N4007 1N4007 1N4007 1N4007 FR107 SF26 保险电阻 2.2Ω /0.5W 变压器 EE19 电阻 1.2Ω 3.0Ω 150KΩ 13KΩ 150KΩ 200KΩ 75KΩ IC PN8326 封装尺寸 数量 备注 Φ 10*16 Φ 5*11 Φ 8*12 DIP 脚距 5.0mm DIP DO-41 DIP DO-41 DIP DO-41 DIP DO-41 DIP DO-41 DIP DO-41 DIP 1/2W 卧式 4+4 DIP 1/4W DIP 1/4W DIP 1/4W DIP 1/4W DIP 1/4W DIP 1/4W DIP 1/4W DIP-7 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Low ESR Low ESR Low ESR 线绕电阻 1% 1% 1% 1% 页码: 5 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Design Example Report 7. Chipown 变压器规格(EE19 卧式) 7.1 骨架尺寸: 页码: 6 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 7.2 线路图: 正面 1 5 N1 2UEW 0.27*1*114 N2 2UEW 0.27*1*57 8 4 同名端 铁氟龙绝缘套管 7.3 绕法示意图: 8 5 N2 1 N1 4 变压器骨架绕线柱 绝缘胶带 起绕点 7.4 绕组结构: Winding No. Margin Tape Pin Wire&Wire Copper Turns Tape Layer Tube Winding Tape 组别 挡墙 脚位 线径&股数 圈数 胶带层数 套管 绕线方式 N1 N.A. 4~1 2UEW0.27*1 114 2 Add 密绕四层 N2 N.A. 8~5 2UEW0.27*1 57 2 Add 密绕二层 备注: 1. 2. 3. 4. 剪掉 Pin2,3,6,7; 所有进出线无交叉; 电感的调整需磨磁芯中柱,不能垫磁芯两边; 含浸; 页码: 7 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 7.5 电气特性: Test Item Test Location Test Condition Test Spec. 测试项目 测试位置 测试条件 测试规格 Primart Inductance 1~4 10KHz,1V 1.30mH 1~4 10KHz,1V 次级全部短路 <50uH 电感 Leakage Inductance 漏感 页码: 8 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 8. 电源输入输出特性和工作波形 备注:效率,待机,调整率等的测试时用电子负载CV模式模拟LED; 波形测试时,输出负载采用12颗1W LED灯珠串联,灯串电压约37V; 1) Input power when LED open Input Power Pin(W) 90V 0.056 115V 0.062 230V 0.095 265V 0.112 LED开路功耗 Pin(W) 0.200 0.150 0.100 LED开路功耗 0.050 0.000 90 115 230 265 Vin(Vac) 2) Input power when LED short Input Power 90V 115V 230V 265V Pin(W) 0.028 0.035 0.84 0.123 LED短路输入功耗 Pin(W) 0.200 0.150 0.100 LED短路输入功耗 0.050 0.000 90 115 230 265 Vin(Vac) 页码: 9 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 3) 调整率 输出电压 42V 40V 36V 32V 28V 24V 差异 (mA) Max-Min 负载调整 率 输出电流(mA) 115Vac 230Vac 289.50 287.30 289.60 283.50 283.40 281.80 282.60 281.00 282.20 281.00 282.20 281.30 90Vac 264.00 268.80 275.50 280.70 282.50 282.10 差异(mA) 265Vac 286.50 284.80 281.60 280.60 280.60 280.80 18.50 7.40 6.30 5.90 ±3.18% ±1.27% ±1.08% ±1.01% 负载调整率 Max-Min 25.50 20.80 7.90 2.00 1.90 1.40 ±4.39% ±3.58% ±1.36% ±0.34% ±0.32% ±0.24% 备注:若输入滤波电容400V/10uF增大,则调整率会更好! 4) Efficiency Note: 用电子负载CV模式模拟LED负载 带载(Vo) 42V 40V 36V 32V 28V 24V 效率 90Vac 82.26% 82.64% 82.72% 82.94% 82.74% 82.36% 115Vac 85.09% 84.99% 85.23% 85.07% 84.78% 84.24% 230Vac 86.31% 85.84% 85.97% 86.05% 84.97% 84.81% 265Vac 85.58% 85.46% 85.19% 85.68% 85.21% 83.72% 效率 95.00% CV=42V CV=32V CV=28V CV=24V CV=40V CV=36V 效率 90.00% 85.00% 80.00% 75.00% 90Vac 115Vac 230Vac 264Vac Vin 页码: 10 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 5) Startup Figure 1. VIN = 90 VAC, startup Vo –CH1 trace Vds –CH3 trace Io – CH4 trace Figure 2. VIN = 264 VAC, startup –CH1 10V/div Vo 100V/div Vds –CH3 trace 100mA/div Io – CH4 trace trace 200ms/Zoom 10mS 10V/div 100V/div 100mA/div 200ms/Zoom 10mS 6) Power off Figure 3. VIN = 90 VAC, Power off Vo –CH1 trace Vds –CH3 trace Io – CH4 trace Figure 4. VIN = 264 VAC, Power off –CH1 10V/div Vo 100V/div Vds –CH3 trace 100mA/div Io 10ms/Zoom 2mS – CH4 trace trace 10V/div 100V/div 100mA/div 10ms/Zoom 2mS 页码: 11 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 7) Operating waveforms Figure 5. VIN = 90 VAC, Operating Waveform Vo –CH1 trace Vds –CH3 trace Io – CH4 trace Figure 6. VIN = 264 VAC, Operating Waveform –CH1 10V/div Vo 100V/div Vds –CH3 trace 100mA/div Io – CH4 trace trace 5ms/Zoom 50uS 10V/div 100V/div 100mA/div 5ms/Zoom 50uS 8) LED Open Protection Figure 7. VIN = 90 VAC, LED Open Vo –CH1 trace Vds –CH3 trace Io – CH4 trace Figure 8. VIN = 264 VAC, LED Open –CH1 10V/div Vo 100V/div Vds –CH3 trace 100mA/div Io 100ms/Zoom 5mS – CH4 trace trace 10V/div 100V/div 100mA/div 100ms/Zoom 5mS 页码: 12 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 9) LED Short Protection Figure 9. VIN = 90 VAC, LED Short Vo –CH1 trace Vds –CH3 trace Io – CH4 trace Figure 10. VIN = 264 VAC, LED Short –CH1 10V/div Vo 100V/div Vds –CH3 trace 500mA/div Io 100ms/Zoom 5mS – CH4 trace trace 10V/div 100V/div 500mA/div 100ms/Zoom 5mS 9) Vr of Output Rectifier Diode Figure 11. VIN = 264 VAC, 12*1W LED Vr –CH3 trace 50V/div 5ms/Zoom 50uS 页码: 13 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 9. EFT 和 Common Surge 测试 测试条件:Vin=230Vac 负载:12*1W LED 项目 EFT Common Surge 测试条件 5KHz 1KV 100KHz 500V 测试结果 Pass Pass Pass 备注 10. 温度特性 75℃环境温度下,密闭无风环境,IC 表面最高超过 130℃,极易触发 OTP 保护。 温度(℃) Io(mA) 温度稳定之后 环境 IC PN8326 变压器 EE19 输出二极管 输出电解 90 270.0 75.2 131.8 112.7 109.4 92.4 115 273.6 74.9 118.4 111.3 108.7 91.6 230 272.7 74.8 114.2 111.5 108.6 91.5 265 272.8 75.0 116.9 112.5 109.0 91.8 备注 1:高温下 Io 下降约 20mA; 备注 2:由于没有合适的外壳,温升测试时采用的外壳较大,内部空间为 80*50*28mm; Vin(Vac) 室温,敞开环境,温度测试结果如下: 温度(℃) Io(mA) Vin(Vac) 温度稳定之后 环境 IC PN8326 变压器 EE19 输出二极管 输出电解 90 289.6 23.7 57.8 53.3 52.9 39.4 115 297.7 23.7 51.6 53.8 54.0 39.0 230 295.6 23.1 48.4 55.2 51.4 39.3 265 294.5 23.7 50.8 54.8 53.9 39.3 页码: 14 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Design Example Report Chipown 11. 附件 1 :IC 封装图 PN8326 封装和脚位配置图: 页码: 15 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 12. 附件 2:LIS8514 的主要性能对比测试(基于 42V290mA 的 LED 系统板) LIS8514 与 PN8326 基于 42V290mA 的 LED 系统板比较: 1、 PN8326 可靠性更好:输出 LED 开路时的输出电压峰值低于 50V,输出可采用 50V 耐压的电容; 而 LIS8514 在 LED 开路时输出峰值电压大于 50V,所以要么采用 50V 耐压电容,但存在可靠性 风险,要么采用 50V 以上耐压电容,则成本更高; 2、 PN8326 系统板满载无声音:PN8326 系统在变压器含浸之后听不到声音,LIS 系统板声音虽然很 小,但还是有一点声音; 3、 PN8326 系统成本更低:PN8326 系统的变压器采用两个绕组(变压器顺绕),成本低;而 LIS8514 系统板的变压器采用的是 3 个绕组(变压器夹绕); 4、 PN8326 恒流精度更高: PN8326 调整率<±5%, PN8326 的线性调整率>±6%,LIS8514 的>±7%。 5、 PN8326 系统启动时间更快:PN8326 系统启动时间在全电压范围均低于 100mS。LIS8514 系统在 高压 265V 输入时也大于 500mS,低压 90V 输入时也接近 1500mS; 6、 PN8326 系统 EFT 性能更优异:PN8326 系统板通过 EFT 1KV 测试,而 LIS8514 系统在测试时 LED 会先灭在亮,不停的闪烁; 7、 LIS8514 的效率较高:有以下几点原因:a、LIS8514 系统的变压器采用三明治绕制; b、LIS8514 无反馈电阻,且其启动电阻是兆欧级别的, 损耗相对较小; c、LIS8514 的 Rdson 为 4.0Ω ,PN8326 为 4.5Ω ; 8、 LIS8514 的温升较低:在室温下敞开环境下两者的温升结果相当,最高温度都不超过 60℃; 在 75℃密闭无风环境下,PN8326 的温度比 LIS8514 高 10℃,且已触发 OTP; 有以下几点原因: a、LIS8514 系统板效率较高; b、LIS8514 系统板为双面板,单面元件,在 PCB 的 顶层和底层都有很大一片铜箔,以供散热; c、LIS8514 的 5,6,7,8 脚都可以连接在一起,以供散热; 1) Input power when LED open Input Power Pin(W) 90V 0.084 115V 0.138 230V 0.154 265V 0.172 LED开路功耗 Pin(W) 0.200 0.150 0.100 LED开路功耗 0.050 0.000 90 115 230 265 Vin(Vac) LED 开路待机功耗略大于 PN8326 系统板; 页码: 16 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 2) Input power when LED short Input Power 90V 115V 230V 265V Pin(W) 0.039 0.072 0.157 0.195 LED短路输入功耗 Pin(W) 0.200 0.150 0.100 LED短路输入功耗 0.050 0.000 90 115 230 265 Vin(Vac) LED 短路功耗略大于 PN8326 系统板; 3) 调整率 输出电压 42V 40V 36V 32V 28V 24V 差异 (mA) Max-Min 负载调整 率 90Vac 229.90 236.30 251.60 266.70 271.20 272.70 输出电流(mA) 115Vac 230Vac 266.50 266.30 266.70 263.20 269.30 270.20 270.90 271.40 272.50 272.60 273.80 273.30 264Vac 265.60 263.10 270.10 271.20 272.20 273.10 42.80 7.30 10.10 10.00 ±7.37% ±1.25% ±1.74% ±1.72% 差异(mA) Max-Min 36.60 30.40 18.60 4.70 1.40 1.10 负载调整率 ±6.31% ±5.24% ±3.2% ±0.81% ±0.24% ±0.18% 调整率比PN8326差,特别是在90Vac输入时;若不计90Vac输入的数据,则调整率相当; 页码: 17 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 4) Efficiency Note: 用电子负载CV模式模拟LED负载 带载(Vo) 42V 40V 36V 32V 28V 24V 效率 90Vac 85.15% 85.31% 85.29% 85.00% 84.94% 84.67% 115Vac 87.24% 87.30% 87.34% 87.04% 87.00% 86.12% 230Vac 88.42% 88.32% 88.03% 87.73% 87.73% 86.88% 264Vac 87.91% 87.55% 88.08% 87.13% 87.20% 86.24% 效率 95.00% CV=42V CV=32V CV=28V CV=24V CV=40V CV=36V 效率 90.00% 85.00% 80.00% 75.00% 90Vac 115Vac 230Vac 264Vac Vin LIS8514的效率更高,是由于a、变压器采用三明治绕制; b、LIS8514没有FB反馈电阻,而且其启动电阻为兆欧姆级别;PN8326虽 然没有启动电阻,但是反馈电阻只有300多KΩ ,损耗更大; c、LIS8514的Rdson为4Ω ,PN8326为4.5Ω ; 页码: 18 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 5) Startup Figure 12. VIN = 90 VAC, Startup Figure 13. VIN = 264 VAC, Startup Vo –CH1 trace 10V/div Vo –CH1 trace 10V/div Vds –CH3 trace 100V/div Vds –CH3 trace 100V/div Io – CH4 trace 100mA/div Io – CH4 trace 100mA/div 200ms/Zoom 10mS 200ms/Zoom 10mS 注:LIS8514 系统的启动时间 90Vac 时约 1419mS,265Vac 时约 535mS; 6) LED Open Protection Figure 12. VIN = 90 VAC, LED Open Figure 13. VIN = 264 VAC, LED Open Vo –CH1 trace 10V/div Vo –CH1 trace 10V/div Vds –CH3 trace 100V/div Vds –CH3 trace 100V/div Io – CH4 trace 100mA/div Io – CH4 trace 100mA/div 500ms/Zoom 20mS 500ms/Zoom 20mS 注:输出 LED 开路时,LIS8514 系统的最大输出电压为 90Vac 时约 54.4V,265Vac 时约 56.6V; 页码: 19 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8326-13-P062 Chipown Design Example Report 7) 温度特性 75℃环境温度,密闭无风环境,测试结果如下: Vin(Vac) 90 115 230 265 Io(mA) 温度稳定之后 264.0 269.3 270.9 271.5 环境 74.9 75.2 75.0 75.4 温度(℃) IC LIS8514 变压器 EE19 输出二极管 输出电解 115.4 108.8 105.1 97.8 108.7 106.5 104.4 96.7 104.8 107.5 104.2 97.4 106.3 109.2 108.4 98.5 备注 1:高温下 Io 几乎没有降低; 备注 2:由于没有合适的外壳,温升测试时采用的外壳较大,内部空间为 80*50*28mm; 备注 3:LIS8514 系统板效率较高,且 PCB 为双面板,单面元件,在 PCB 的顶层和底层都有很大 一片铜箔,以供散热,面积大于 150mm2; 备注 4:LIS8514 的 5,6,7,8 都可以接到一起,以供散热; 室温,敞开环境,温度测试结果如下: Io(mA) Vin(Vac) 温度稳定之 后 90 115 230 265 265.0 269.5 269.7 269.4 温度(℃) 环境 IC PN8326 变压器 EE19 输出二极管 输出电解 22.4 22.9 23.6 23.4 55.3 51.5 49.2 49.3 51.3 51.5 53.2 54.5 46.3 47.3 48.7 44.8 41.3 41.8 43.5 41.2 页码: 20 / 20 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China