DER-8316-13-P058 Design Example Report 标题 Chipown 基于 PN8316 的 22.4W LED 应用方案 80V280mA 输入电压:176~264V 规格 输出功率:22.4W 输出电压:80V 输出电流:280mA±3% 应用范围 照明类电源产品,吸顶灯等 文件编号 DER-8316-13-P058 特性概述: ·双面板设计,双面元器件,面积:55mm*32mm; ·输入电压:176~264Vac; ·输出功率:≤22.4W; ·拥有 LED 灯开路、短路、过温保护、外接元器件开短路保护等功能; ·拥有电流采样电阻短路保护; ·24W 输出效率:≥88%; ·填谷 PF 值:>0.8(230VAC); >0.7(176-264VAC) 内容目录 1. 电源介绍………………….………………………………………………………………………………2 2. 电源规格明细………….…………………………………………………………………..…………..…2 3. 原理图….…………………………………………………………………………………………………3 4. 电路描述……….…………………………………………………………………………………………4 5. PCB LAYOUT ...….………………………………………………………………………………………4 6. Bill of Materials…………………………………………………………………………………………. .5 7. 变压器规格…………………………………………………………………………...................………..6 8. 电源工作情况和波形 ……………………………………………………………..…………………….7 9. EFT、浪涌测试……………………………………………………………………………..…………..14 页码: 1 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Chipown Design Example Report 1. 电源介绍 该报告提供了一种基于 PN8316 80V/280mA 单路输出开关电源。系统工作在准谐振模式来实现高效率和 低 EMI 的应用。芯片集成度高,BOM 器件个数少,具有 LED 灯开路、短路、过温保护等功能 该报告包含了原理图,电源输入输出规格,BOM 表,变压器参数和 PCB LAYOUT 等数据表单。 以下为该电源的实物图片: 2.电源规格明细 最大输入输出电气特性: 项目描述 标号 Min Typ Max Unit 备注 输入电压 Vin 176 230 264 Vac 60Hz 输出电压 Vout 28 80 84 V 输出电流 Iout 270 280 290 mA 输出功率 Pout 效 率 工作环境 22.4 η 88 Tamb 0 W % 25 80 CV=80V ℃ 页码: 2 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Design Example Report Chipown 3.电源原理图: Note: 具体参数以 BOM 为准 页码: 3 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Design Example Report 4. Chipown 电路描述 电路图中R3、R4为FB分压电阻,可通过辅助绕组采样出的电压,等比例调节R3、R4可实现LED输出 开环电压值, FB过电压保护点约为3.3V. 当 PN8316 本体温度太高时,其内置的 OTP 保护功能会及时启动,以保护整个系统; 该驱动具有 LED 短路、开路保护功能,当 LED 发生短路或开路时,系统将进入打嗝模式直到短路状 态消除。 5. PCB LAYOUT PCB 为普通单面板工艺,单面元器件,铜厚 1OZ,基材为 FR-4。PCB 长 55mm,宽 32mm,厚 1.6mm。污 染等级符合 CLASS2。 页码: 4 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Chipown Design Example Report 6. 序号 Bill of Materials 元件标号 1 C1 2 C2 3 C3 4 D1 5 D2 6 D3 7 D4 8 D5 9 D6 10 F1 11 R1 12 R2 13 R3 14 R4 15 R5 16 R6 17 18 T1 U1 元件名称 电解电容 电解电容 电解电容 普通二极管 普通二极管 普通二极管 普通二极管 快速二极管 快速二极管 保险丝 插件电阻 插件电阻 插件电阻 插件电阻 插件电阻 插件电阻 元件型号 封装尺寸 数量 10uF/400V 10*20mm 1 4.7uF/50V 6*11mm 1 10uF/200V 8*11mm 1 1N4007 DO-15 1 1N4007 DO-15 1 1N4007 DO-15 1 1N4007 DO-15 1 SF28 DO-15 1 FR107 DO-15 1 P=10mm 1 1.8R 1% 1/4W 1 2R 1% 1/4W 1 47K 1/4W 1 2M 1/4W 1 1M 1/4W 1 47K 1/4W 1 EE-13 DIP-7 1 1 2A/250V 变压器 EE13 式 5+5, 1.6mH IC PN8316 备注 页码: 5 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Chipown Design Example Report 7. 变压器规格 一,绕线结构及视图 ( 磁芯:EE13; 材质:PC40) 骨架图 立式 5+5 Positive 10 N1 1 --“START” 二、线包制作工序 工序 N1 漆包线规格 Φ 0.25mm×1P 2UEW-N 圈数 起点—终点 绕法 绝缘胶带 210Ts 1——10 密绕 8 层 2Ts 备注: 1) 浸漆。 2) Pin1 到 Pin10 间的感量为 1.7mH ±7%(1KHz,1V) ; 3) 气隙一定要磨磁芯中柱,不能垫气隙。 页码: 6 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Chipown Design Example Report 8. 电源输入输出特性和工作波形 1) Input power when LED open Input Power 176V 200V 230V 264V Pin(W) 0.07 0.073 0.089 0.092 0.11 0.09 0.07 Pin(W) 0.05 0.03 0.01 176V 200V 230V 264V 2) Input power when LED short Input Power 176V 200V 230V 264V Pin(W) 0.049 0.045 0.049 0.069 0.08 0.07 0.06 0.05 0.04 Pin(W) 0.03 0.02 0.01 0 176V 200V 230V 264V 页码: 7 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Chipown Design Example Report 3) 线性调整率&负载调整率 输出电流(mA) 带载(Vo) 线性调整率 176Vac 200Vac 230Vac 264Vac 84 280.7 281.2 280.4 280.8 ±0.14% 80 280.9 281.3 280.8 280.8 ±0.08% 70 281.5 281.7 281.7 281.7 ±0.03% 56 282.3 283.8 282.9 283 ±0.26% 42 283.1 283.6 284.1 284 ±0.17% 28 283.3 283.9 284.4 284.3 ±0.19% 负载调整率 ±0.46% ±0.47% ±0.70% ±0.61% 输出电流VS输出电压 284 输出电流I o ( m A ) 282 280 278 276 176Vac 200Vac 274 272 230Vac 264Vac 270 84 80 70 56 42 28 输出电压V o ( V ) 输出电流Io(mA) 输出电流VS输入电压 284 282 280 278 276 274 272 270 带载84V 带载80V 带载70V 带载56V 带载42V 带载28V 176 200 230 264 输入电压Vin(Vac) 页码: 8 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Chipown Design Example Report 4) 效率 Note: 用电子负载CV模式模拟LED负载 效率(%) 带载(Vo) 176Vac 200Vac 230Vac 264Vac 84 93.23 93.62 93.84 93.64 80 93.32 93.77 92.75 93.29 70 93.08 93.23 93.19 92.84 56 92.29 92.89 92.59 92.19 42 91.11 91.20 91.29 91.05 28 89.03 88.72 88.97 88.16 输出电流V S 输入电压 95.00 效率(%) 90.00 85.00 带载84V 带载80V 带载70V 带载56V 80.00 带载42V 带载28V 75.00 70.00 176 200 230 264 输入电压Vin(Vac) 页码: 9 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Chipown Design Example Report 7) Startup Figure 1. VIN = 176VAC, startup Figure 2. VIN = 264VAC, startup Drain- CH1 100V/div Drain- CH1 100V/div VDD-CH2 5V/div VDD-CH2 5V/div Vo-CH3 50V/div Vo-CH3 50V/div Io- CH4 500mA/div Io- CH4 500mA/div 10ms/div(20us/div zoom1) 10ms/div(20us/div zoom1) 8) Power off Figure 3. VIN = 176VAC, power off Figure 4. VIN = 264VAC, power off Drain- CH1 100V/div Drain- CH1 100V/div VDD-CH2 5V/div VDD-CH2 5V/div Vo-CH3 50V/div Vo-CH3 50V/div Io- CH4 500mA/div Io- CH4 500mA/div 500ms/div 500ms/div 页码: 10 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Chipown Design Example Report 9) Operating waveforms Figure 5. VIN = 176VAC Figure 6. VIN = 264VAC Drain- CH1 100V/div Drain- CH1 100V/div VDD-CH2 5V/div VDD-CH2 5V/div Vo-CH3 50V/div Vo-CH3 50V/div Io- CH4 500mA/div Io- CH4 500mA/div 10ms/div(10us/div zoom1) 10ms/div(10us/div zoom1) 10 )Ripple & Noise Figure 7. VIN = 176VAC Figure 8. VIN = 264VAC Vo- CH3 2V/div Vo- CH3 Io- CH4 500mA/div Io- CH4 5ms/div 2V/div 500mA/div 5ms/div 页码: 11 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Chipown Design Example Report 11) LED Short Protection Figure 9. VIN = 176VAC Figure 10. VIN = 264VAC Drain- CH1 100V/div Drain- CH1 200V/div VDD-CH2 5V/div VDD-CH2 5V/div Vo-CH3 50V/div Vo-CH3 50V/div Io- CH4 500mA/div Io- CH4 500mA/div 200ms/div(2ms/div zoom1) 200ms/div(1ms/div zoom1) 12) LED Open Protection Figure 11. VIN = 176VAC Figure 12. VIN = 264VAC Drain- CH1 100V/div Drain- CH1 100V/div VDD-CH2 5V/div VDD-CH2 5V/div Vo-CH3 50V/div Vo-CH3 50V/div Io- CH4 500mA/div Io- CH4 500mA/div 50ms/div(50us/div zoom1) 50ms/div(50us/div zoom1) 页码: 12 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Design Example Report Chipown 8. 温度特性 测试条件:176-264Vac CH2 CH3 输 入 电 压 PCB 温度 变 压 器 (Vac) ℃ 线包℃ 176 87.5 106.4 200 87.3 107.9 230 87.2 109.9 264 87.6 112.2 带 25 颗灯串联,灯电压约 80V 280mA CH4 CH6 CH7 CH8 磁 输 出 电 解 输 入 电 解 IC℃ 芯℃ 电容℃ 电容℃ 101.1 86.9 91.4 116.4 101.5 87.4 90.4 114.6 103.1 88 89.3 113.6 104.7 88.5 89.5 113.7 CH9 输出二极 管℃ 94.2 95 95.9 96.9 CH10 环 温℃ 78.2 78.5 78.4 78.8 176Vac 温升曲线 页码: 13 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Chipown Design Example Report 9.电源安规测试 1) EFT Test Electrical Fast Transient/Burst Measurement Results Test Site TR2 Temperature 26C EUT: 80V280mA Humidity : 48%RH M/N: Barometric Pressure 101.3kPa S/N: Input Voltage: 230V,50Hz Test Mode: Normal operation Standard: EN 55024: 1998+A1: 2001+A2: 2003, IEC 61000-4-4: 2004 Measurement Equipment: Immunity Test System (M/N: EMCPro) (Cali. Due Date: 2012.04.23) CCL (M/N: CCL) (Cali. Due Date: 2012.04.23) Input a.c. power ports (Tr/Th: 5/50ns, Repetition Frequency: 5kHz) Inject Line Polarity Test Level Test Duration Inject Performance Test Result Result Observation (kV) (second) Method criterion criterion L + 1 60 Direct B A Pass Note L N N L+N + + 1 1 1 1 60 60 60 60 Direct Direct Direct Direct B B B B A A A A Pass Pass Pass Pass Note Note Note Note L+N - 1 60 Direct B A Pass Note Input a.c. power ports (Tr/Th: 5/50ns, Repetition Frequency: 100kHz) Inject Line Polarity Test Level Test Duration Inject Performance Test Result Result Observation (kV) (second) Method criterion criterion L + 1 60 Direct B A Pass Note L - 1 60 Direct B A Pass Note N + 1 60 Direct B A Pass Note N - 1 60 Direct B A Pass Note L+N + 1 60 Direct B A Pass Note L+N - 1 60 Direct B A Pass Note Note: There was no change compared with initial operation during the test. 页码: 14 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China DER-8316-13-P058 Chipown Design Example Report 2) Surge Test Surge Immunity Test Results Test Site TR1 Temperature 26C EUT: 80V280mA Humidity : 48%RH M/N: Barometric Pressure 101.3kPa S/N: Input Voltage: 230 V, 50 Hz Standard: Measuremen t Equipment: EN 55024:2010; IEC 61000-4-5:2005 Immunity Test System (M/N: EMCPro) (Cali. Due Date: 2012.04.23) Coupler/Decoupler Telecom Line (M/N: CM-TELCD) (Cali. Due Date: N/A) Coupler/Decoupler Signal Line (M/N: CM-I/OCD (Cali. Due Date: N/A) Input a.c. power ports [Tr/Th: 1.2/50us (8/20us)] Inject Line Polarit Angle Test Level Test Interval Performance Test Result Result y (degree) (kV) (second) criterion criterion Observation L+N + 0 0.5 60 B A Pass Note1 L+N - 0 0.5 60 B A Pass Note1 L+N + 90 0.5 60 B A Pass Note1 L+N - 90 0.5 60 B A Pass Note1 L+N + 180 0.5 60 B A Pass Note1 L+N - 180 0.5 60 B A Pass Note1 L+N + 270 0.5 60 B A Pass Note1 L+N - 270 0.5 60 B A Pass Note1 Note1: There was no change operated with initial operating during the test. 页码: 15 / 15 中国无锡新区 长江路 21-1 号 8 楼 8/F Chuangyuan Hall, 21-1 Changjiang Road, New Destrict, Wuxi, 214028, P.R.China 中国苏州工业园区 林泉街 399 号 1 号楼 3 楼 3/F Building 1, 399 Linquani Road, Industrial Park, Suzhou, 215123, P.R.China