テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF200R12W1H3_B27 暫定データ/PreliminaryData J VCES = 1200V IC nom = 30A / ICRM = 60A 一般応用 • ソーラーアプリケーション TypicalApplications • SolarApplications 電気的特性 • 低スイッチング損失 ElectricalFeatures • LowSwitchingLosses 機械的特性 • 低熱インピーダンスのAl2O3 DCB • 内蔵されたNTCサーミスタ • コンパクトデザイン • PressFIT接合技術 MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • IntegratedNTCtemperaturesensor • Compactdesign • PressFITContactTechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF200R12W1H3_B27 逆極性保護diodeA/Inverse-polarityprotectiondiodeA 暫定データ PreliminaryData 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V 最大実効順電流/chip MaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 50 A 整流出力の最大実効電流 MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 60 A サージ順電流 Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 360 290 A A 電流二乗時間積 I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 650 420 A²s A²s 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. VF 0,95 V Tvj = 150°C rT 0,10 mΩ 逆電流 Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V IR 0,10 mA ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 0,80 0,90 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,80 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 順電圧 Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 30 A 傾き抵抗 Sloperesistance 2 125 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF200R12W1H3_B27 暫定データ PreliminaryData IGBT、チョッパー/IGBT-Chopper 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 30 50 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 60 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 375 W ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge V 1200 VCE sat typ. A A max. 1,30 t.b.d. 1,35 1,35 V V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,80 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,064 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA td on 0,03 0,03 0,03 µs µs µs tr 0,01 0,01 0,01 µs µs µs td off 0,30 0,40 0,44 µs µs µs tf 0,014 0,03 0,035 µs µs µs ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 600 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 4,7 Ω Tvj = 150°C Eon 0,80 1,65 1,90 mJ mJ mJ ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 600 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 4,7 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,30 2,00 2,40 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC 0,35 0,40 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,35 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 3 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 360 150 A °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF200R12W1H3_B27 暫定データ PreliminaryData Diode-、チョッパー/Diode-Chopper 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 1200 V IF 30 A IFRM 30 A I²t 1050 985 電気的特性/CharacteristicValues min. 順電圧 Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VF ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase typ. A²s A²s max. 1,70 t.b.d. 1,40 1,30 V V V 60,0 90,0 100 A A A Qr 2,50 6,00 7,00 µC µC µC Erec 1,25 3,20 3,80 mJ mJ mJ /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 0,50 0,60 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,55 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 min. typ. max. R25 5,00 kΩ ∆R/R -5 5 % P25 20,0 mW °C NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性/CharacteristicValues 定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω 損失 Powerdissipation TC = 25°C B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 4 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF200R12W1H3_B27 暫定データ PreliminaryData モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 沿面距離 Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex CTI > 200 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch VISOL kV 2,5 min. typ. max. LsCE 30 nH RCC'+EE' 5,00 mΩ 最大ジャンクション温度 Maximumjunctiontemperature インバータ、ブレーキチョッパー/inverter, brake-chopper 整流器/rectifier Tvj max 175 150 °C °C 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions インバータ、ブレーキチョッパー/inverter, brake-chopper 整流器/rectifier Tvj op -40 -40 150 125 °C °C 保存温度 Storagetemperature Tstg -40 125 °C 質量 Weight G 24 g preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 5 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF200R12W1H3_B27 暫定データ PreliminaryData 順方向特性逆極性保護diodeA（典型) forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeA (typical) IF=f(VF) 出力特性IGBT、チョッパー(Typical) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 60 60 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 50 40 40 IC [A] IF [A] Tvj = 25°C Tvj = 150°C 30 20 20 10 10 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 VF [V] 1,0 1,2 0 1,4 出力特性IGBT、チョッパー(Typical) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VCE [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 60 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 50 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 40 IC [A] 40 30 30 20 20 10 10 0 0,0 伝達特性IGBT、チョッパー(Typical) transfercharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 60 IC [A] 30 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 5 6 7 8 VGE [V] preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 6 9 10 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF200R12W1H3_B27 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失IGBT、チョッパー(Typical) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=4.7Ω,RGoff=4.7Ω,VCE=600V スイッチング損失IGBT、チョッパー(Typical) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=600V 4,5 8,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 4,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 7,0 3,5 6,0 3,0 2,5 E [mJ] E [mJ] 5,0 2,0 4,0 3,0 1,5 2,0 1,0 1,0 0,5 0,0 0 10 20 30 IC [V] 40 50 0,0 60 過渡熱インピーダンスIGBT、チョッパー transientthermalimpedanceIGBT-Chopper ZthJH=f(t) 0 5 10 15 20 25 30 RG [Ω] 35 40 45 50 逆バイアス安全動作領域IGBT、チョッパー（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT-Chopper(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=4.7Ω,Tvj=150°C 10 70 ZthJH : IGBT IC, Modul IC, Chip 60 50 1 IC [A] ZthJH [K/W] 40 30 0,1 20 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,02368 0,04588 0,23088 0,40182 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 0 200 400 600 800 t [s] preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 7 1000 1200 1400 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF200R12W1H3_B27 暫定データ PreliminaryData 順電圧特性Diode-、チョッパー（typical) forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical) IF=f(VF) スイッチング損失Diode-、チョッパー(Typical) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=4.7Ω,VCE=600V 60 7,00 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 6,00 50 5,00 40 E [mJ] IF [A] 4,00 30 3,00 20 2,00 10 0 1,00 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0,00 2,5 0 10 20 VF [V] スイッチング損失Diode-、チョッパー(Typical) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=600V 30 IF [A] 40 50 60 過渡熱インピーダンスDiode-、チョッパー transientthermalimpedanceDiode-Chopper ZthJH=f(t) 5,00 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJH : Diode 4,00 1 E [mJ] ZthJH [K/W] 3,00 2,00 0,1 1,00 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,042 0,093 0,387 0,528 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,00 0 5 10 15 20 25 RG [Ω] 30 35 40 0,01 0,001 45 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 8 0,01 0,1 t [s] 1 10 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF200R12W1H3_B27 暫定データ PreliminaryData NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 9 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF200R12W1H3_B27 暫定データ PreliminaryData 回路図/circuit_diagram_headline J パッケージ概要/packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 10 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF200R12W1H3_B27 暫定データ PreliminaryData この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 11