テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF400R12KT3_E 62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter 62mmC-seriesmodulewithcommonemitter 暫定データ PreliminaryData IGBT- インバータ/IGBT,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom IC 400 580 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 800 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150°C Ptot 2000 W ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V 電気的特性/CharacteristicValues min. コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 16,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 1,70 1,90 2,15 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 3,70 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,9 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 28,0 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,10 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 0,16 0,17 µs µs ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,04 0,045 µs µs ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 0,45 0,52 µs µs ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,10 0,16 µs µs ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, di/dt = 8000 A/µs RGon = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 18,0 28,0 mJ mJ ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs RGoff = 1,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 30,0 45,0 mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,03 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.0 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 1600 A 0,062 K/W K/W 125 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF400R12KT3_E 暫定データ PreliminaryData Diode、インバータ/Diode,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM 1200 V IF 400 A IFRM 800 A I²t 34000 A²s 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 1,65 1,65 2,15 順電圧 Forwardvoltage IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 400 A, - diF/dt = 8000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM 400 480 A A 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = 400 A, - diF/dt = 8000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr 44,0 80,0 µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 400 A, - diF/dt = 8000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 20,0 37,0 mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,06 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.0 2 V V 0,11 K/W K/W 125 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF400R12KT3_E 暫定データ PreliminaryData モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) 沿面距離 Creepagedistance VISOL 2,5 kV Cu Al2O3 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 29,0 23,0 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 23,0 11,0 mm 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex CTI > 400 ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /モジュール/permodule λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch 保存温度 Storagetemperature min. typ. max. RthCH 0,01 LsCE 20 nH RCC'+EE' 0,70 mΩ Tstg -40 125 °C K/W 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 取り付けネジM6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 2,5 - 5,0 Nm 質量 Weight G 340 g preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.0 3 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF400R12KT3_E 暫定データ PreliminaryData 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 800 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 640 640 560 560 480 480 400 400 320 320 240 240 160 160 80 80 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 720 IC [A] IC [A] 720 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 伝達特性IGBT- インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.8Ω,RGoff=1.8Ω,VCE=600V 800 120 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 720 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 100 640 560 80 E [mJ] IC [A] 480 400 60 320 40 240 160 20 80 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.0 4 0 100 200 300 400 IC [A] 500 600 700 800 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF400R12KT3_E 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=400A,VCE=600V 過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 200 0,1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 180 ZthJC : IGBT 160 140 ZthJC [K/W] E [mJ] 120 100 80 0,01 60 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,00118 0,00353 0,03123 0,02606 τi[s]: 0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499 20 0 0 2 4 6 8 10 RG [Ω] 12 14 16 0,001 0,001 18 逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.8Ω,Tvj=125°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 順電圧特性Diode、インバータ（typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 900 800 IC, Modul IC, Chip 800 720 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 640 700 560 600 IF [A] IC [A] 480 500 400 400 320 300 240 200 160 100 0 80 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.0 5 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF400R12KT3_E 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=1.8Ω,VCE=600V スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=400A,VCE=600V 50 50 Erec, Tvj = 125°C 45 45 40 40 35 35 30 30 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0 100 200 300 400 IF [A] 500 600 700 0 800 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 1 ZthJC : Diode ZthJC [K/W] 0,1 0,01 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,00208 0,00625 0,05548 0,04619 τi[s]: 0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.0 6 0 2 4 6 8 10 RG [Ω] 12 14 16 18 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF400R12KT3_E 暫定データ PreliminaryData 回路図/circuit_diagram_headline パッケージ概要/packageoutlines j j n n i i preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.0 7 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF400R12KT3_E 暫定データ PreliminaryData この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:MK dateofpublication:2013-11-04 approvedby:WR revision:2.0 8