テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF80R12W2H3F_B11 暫定データ/PreliminaryData J VCES = 1200V IC nom = 80A / ICRM = 160A 一般応用 • ソーラーアプリケーション TypicalApplications • SolarApplications 電気的特性 • 高速IGBTH3 • 低スイッチング損失 • thinQHSiCショットキーdiode1200V ElectricalFeatures • HighSpeedIGBTH3 • LowSwitchingLosses • thinQHSiCSchottkydiode1200V 機械的特性 • 低熱インピーダンスのAl2O3 DCB • 内蔵されたNTCサーミスタ • コンパクトデザイン • PressFIT接合技術 MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • IntegratedNTCtemperaturesensor • Compactdesign • PressFITContactTechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MB revision:2.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF80R12W2H3F_B11 暫定データ PreliminaryData バイパスダイオード/Bypass-Diode 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V 最大実効順電流/chip MaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 50 A 整流出力の最大実効電流 MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 60 A サージ順電流 Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 450 360 A A 電流二乗時間積 I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1000 650 A²s A²s 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. VF 0,95 V IR 0,10 mA /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 0,80 1,05 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,80 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op 順電圧 Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 30 A 逆電流 Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase °C 逆極性保護diodeA/Inverse-polarityprotectiondiodeA 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V 最大実効順電流/chip MaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 30 A 整流出力の最大実効電流 MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 60 A サージ順電流 Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 290 245 A A 電流二乗時間積 I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 420 300 A²s A²s 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. VF 1,00 V IR 0,10 mA /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 1,20 1,35 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,15 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MB revision:2.0 順電圧 Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 20 A 逆電流 Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1200 V ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase 2 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF80R12W2H3F_B11 暫定データ PreliminaryData IGBT、チョッパー/IGBT-Chopper 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C コレクタ電流 Implementedcollectorcurrent 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent VCES 1200 V ICN 40 A TC = 80°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 20 50 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 80 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 190 W ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,55 1,70 1,75 1,70 V V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,32 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,35 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,13 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA td on 0,025 0,025 0,028 µs µs µs tr 0,01 0,012 0,012 µs µs µs td off 0,25 0,32 0,35 µs µs µs tf 0,016 0,023 0,025 µs µs µs ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 20 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 20 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 12 Ω Tvj = 150°C Eon 0,26 0,32 0,35 mJ mJ mJ ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC = 20 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 12 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,80 1,20 1,40 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC preparedby:CM dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MB revision:2.0 3 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 130 0,55 A 0,65 K/W テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF80R12W2H3F_B11 暫定データ PreliminaryData ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,55 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 K/W 150 °C Diode-、チョッパー/Diode-Chopper 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM 1200 V IF 15 A IFRM 30 A I²t 20,5 A²s 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 1,60 2,20 1,95 順電圧 Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C IRM 5,00 5,00 A A 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Qr 0,15 0,25 µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Erec 0,03 0,03 mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 1,05 1,20 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,80 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 min. typ. max. R25 5,00 kΩ ∆R/R -5 5 % P25 20,0 mW VF V V °C NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性/CharacteristicValues 定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω 損失 Powerdissipation TC = 25°C B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MB revision:2.0 4 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF80R12W2H3F_B11 暫定データ PreliminaryData モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 沿面距離 Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex CTI > 200 VISOL kV 2,5 min. typ. max. LsCE 20 nH Tstg -40 125 °C Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 - 80 N 質量 Weight G 36 g 内部インダクタンス Strayinductancemodule 保存温度 Storagetemperature Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. Designed for storage conditions according to Infineon TR14 (Application Note “Storage of Products Supplied by Infineon Technologies) Designed for climate conditions without condensation or precipitation preparedby:CM dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MB revision:2.0 5 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF80R12W2H3F_B11 暫定データ PreliminaryData 順方向特性バイパスダイオード（典型) forwardcharacteristicofBypass-Diode(typical) IF=f(VF) 順方向特性逆極性保護diodeA（典型) forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeA (typical) IF=f(VF) 60 40 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 55 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 35 50 45 30 40 25 IF [A] IF [A] 35 30 20 25 15 20 15 10 10 5 5 0 0,0 0,2 0,4 0,6 VF [V] 0,8 1,0 0 1,2 出力特性IGBT、チョッパー(Typical) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 0,4 0,6 0,8 VF [V] 1,0 1,2 1,4 40 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 35 30 30 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0,0 0,5 1,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 35 IC [A] IC [A] 0,2 出力特性IGBT、チョッパー(Typical) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 40 0 0,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MB revision:2.0 6 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 3,0 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF80R12W2H3F_B11 暫定データ PreliminaryData 伝達特性IGBT、チョッパー(Typical) transfercharacteristicIGBT-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V スイッチング損失IGBT、チョッパー(Typical) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=12Ω,RGoff=12Ω,VCE=600V 40 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 35 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 2,5 30 2,0 E [mJ] IC [A] 25 20 1,5 15 1,0 10 0,5 5 0 5 6 7 8 9 10 0,0 11 0 5 10 VGE [V] スイッチング損失IGBT、チョッパー(Typical) switchinglossesIGBT-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=20A,VCE=600V 15 20 IC [V] 25 30 35 40 過渡熱インピーダンスIGBT、チョッパー transientthermalimpedanceIGBT-Chopper ZthJH=f(t) 3,5 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 3,0 ZthJH : IGBT 2,5 1 E [mJ] ZthJH [K/W] 2,0 1,5 0,1 1,0 0,5 0,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,051 0,117 0,426 0,506 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 20 40 60 RG [Ω] 80 100 0,01 0,001 120 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MB revision:2.0 7 0,01 0,1 t [s] 1 10 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF80R12W2H3F_B11 暫定データ PreliminaryData 逆バイアス安全動作領域IGBT、チョッパー（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT-Chopper(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=12Ω,Tvj=150°C 順電圧特性Diode-、チョッパー（typical) forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical) IF=f(VF) 100 30 IC, Modul IC, Chip 80 24 70 21 60 18 50 15 40 12 30 9 20 6 10 3 0 0 200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 27 IF [A] IC [A] 90 400 600 800 1000 1200 0 1400 0,0 0,5 1,0 t [s] スイッチング損失Diode-、チョッパー(Typical) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=12Ω,VCE=600V 2,5 0,04 Erec, Tvj = 125°C E [mJ] Erec, Tvj = 125°C E [mJ] 2,0 スイッチング損失Diode-、チョッパー(Typical) switchinglossesDiode-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=15A,VCE=600V 0,04 0,02 0,00 1,5 VF [V] 0 3 6 9 12 15 18 IF [A] 21 24 27 0,02 0,00 30 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MB revision:2.0 8 0 20 40 60 RG [Ω] 80 100 120 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF80R12W2H3F_B11 暫定データ PreliminaryData 過渡熱インピーダンスDiode-、チョッパー transientthermalimpedanceDiode-Chopper ZthJH=f(t) NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 10 100000 ZthJH : Diode Rtyp R[Ω] ZthJH [K/W] 10000 1 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,23 0,397 0,721 0,503 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 100 10 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MB revision:2.0 9 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF80R12W2H3F_B11 暫定データ PreliminaryData 回路図/circuit_diagram_headline J パッケージ概要/packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MB revision:2.0 10 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules DF80R12W2H3F_B11 暫定データ PreliminaryData この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CM dateofpublication:2013-11-11 approvedby:MB revision:2.0 11