テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 EasyPACKモジュールandPressFIT/NTCサーミスタ EasyPACKmoduleandPressFIT/NTC 暫定データ/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 40A / ICRM = 80A 一般応用 • 高周波スイッチングアプリケーション • ソーラーアプリケーション TypicalApplications • HighFrequencySwitchingApplication • SolarApplications 電気的特性 • 650Vに増加したブロッキング電圧 • 高速IGBTH3 • 低インダクタンスデザイン • 低VCEsat飽和電圧 ElectricalFeatures • Increasedblockingvoltagecapabilityto650V • HighSpeedIGBTH3 • LowInductiveDesign • LowVCEsat 機械的特性 • 2.5kVAC1分 絶縁耐圧 • PressFIT接合技術 • RoHS対応 • 固定用クランプによる強固なマウンティング MechanicalFeatures • 2.5kVAC1minInsulation • PressFITContactTechnology • RoHScompliant • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData IGBT,降圧コンバータ/IGBT,Buck 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 175°C 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage 1200 V IC nom 40 A ICRM 80 A Ptot 215 W VGES +/-20 V 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 40 A, VGE = 15 V IC = 40 A, VGE = 15 V IC = 40 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 2,05 2,50 2,60 2,40 V V V 5,8 6,5 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,185 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,35 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,13 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth ターンオン遅れ時間(誘導負荷) Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間(誘導負荷) Risetime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間(誘導負荷) Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間(誘導負荷) Falltime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1900 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 12 Ω Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 5,0 0,02 0,02 0,023 µs µs µs 0,02 0,02 0,02 µs µs µs 0,22 0,26 0,28 µs µs µs 0,025 0,035 0,04 µs µs µs Eon 2,50 3,70 4,00 mJ mJ mJ IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4700 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 12 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,50 2,35 2,50 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 130 A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部(1素子当り)/perIGBT RthJC 0,55 0,70 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部(1素子当り)/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,55 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 2 -40 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData Diode、リバース/Diode,Reverse 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 10 A IFRM 20 A I²t 16,0 14,0 min. IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C V IF 電気的特性/CharacteristicValues 順電圧 Forwardvoltage 1200 typ. max. 2,25 VF 1,75 1,75 1,75 A²s A²s V V V ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode(1素子当り)/perdiode RthJC 1,75 1,90 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode(1素子当り)/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,30 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C Diode,降圧コンバータ/Diode,Buck 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1200 V IF 15 A IFRM 30 A I²t 90,0 75,0 電気的特性/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,55 VF 2,00 1,70 1,65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 30,0 40,0 40,0 A A A IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 0,70 2,50 3,00 µC µC µC IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,40 0,85 1,10 mJ mJ mJ 順電圧 Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V VGE = -15 V 逆回復電荷量 Recoveredcharge 逆回復損失 Reverserecoveryenergy V V V ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode(1素子当り)/perdiode RthJC 0,95 1,05 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode(1素子当り)/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,85 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 3 -40 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData IGBT,アップコンバータ/IGBT,Boost 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C コレクタ電流 Implementedcollectorcurrent VCES 650 V ICN 50 A 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 40 A 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 200 W VGES +/-20 V ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 40 A, VGE = 15 V IC = 40 A, VGE = 15 V IC = 40 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,55 t.b.d. 1,70 1,70 V V V 5,8 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,95 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,096 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth ターンオン遅れ時間(誘導負荷) Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間(誘導負荷) Risetime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間(誘導負荷) Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間(誘導負荷) Falltime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 40 A, VCE = 350 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 3200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 6,8 Ω Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 4,9 6,5 0,02 0,02 0,02 µs µs µs 0,01 0,013 0,013 µs µs µs 0,03 0,065 0,07 µs µs µs 0,012 0,013 0,014 µs µs µs Eon 0,33 0,47 0,50 mJ mJ mJ IC = 40 A, VCE = 350 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 5000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 6,8 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,60 0,85 0,95 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 180 A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部(1素子当り)/perIGBT preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 4 tP ≤ 5 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 0,60 0,75 K/W テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部(1素子当り)/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions 0,85 Tvj op -40 K/W 150 °C Diode-、チョッパー/Diode-Chopper 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 650 V IF 15 A IFRM 30 A I²t 22,5 20,5 電気的特性/CharacteristicValues 順電圧 Forwardvoltage min. IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C typ. max. 2,00 VF 1,60 1,55 1,50 A²s A²s V V V ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode(1素子当り)/perdiode RthJC 2,25 2,50 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode(1素子当り)/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,40 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 5 -40 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData Diode,アップコンバータ/Diode,Boost 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM 650 V IF 25 A IFRM 50 A I²t 50,0 A²s 電気的特性/CharacteristicValues min. 順電圧 Forwardvoltage IF = 25 A, VGE = 0 V IF = 25 A, VGE = 0 V IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 25 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V VGE = -15 V 逆回復電荷量 Recoveredcharge 逆回復損失 Reverserecoveryenergy typ. max. VF 1,65 t.b.d. 1,60 1,55 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 38,0 43,0 45,0 A A A IF = 25 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 0,90 1,60 1,90 µC µC µC IF = 25 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,24 0,38 0,44 mJ mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode(1素子当り)/perdiode RthJC 1,95 2,15 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode(1素子当り)/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,35 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω 損失 Powerdissipation TC = 25°C B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 6 kΩ 5 % 20,0 mW テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 沿面距離 Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex VISOL CTI min. 内部インダクタンス Strayinductancemodule LsCE 保存温度 Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 20 質量 Weight G Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 7 kV 2,5 typ. max. 25 24 nH 125 °C 50 N g テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData 出力特性IGBT,降圧コンバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Buck(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT,降圧コンバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Buck(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 80 80 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 70 60 60 50 50 IC [A] IC [A] 70 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 伝達特性IGBT,降圧コンバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Buck(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 スイッチング損失IGBT,降圧コンバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Buck(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=12Ω,RGoff=12Ω,VCE=600V 80 10,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 70 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 9,0 8,0 60 7,0 6,0 E [mJ] IC [A] 50 40 5,0 4,0 30 3,0 20 2,0 10 0 1,0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0,0 12 preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 8 0 10 20 30 40 IC [A] 50 60 70 80 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失IGBT,降圧コンバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Buck(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=40A,VCE=600V 過渡熱インピーダンスIGBT,降圧コンバータ transientthermalimpedanceIGBT,Buck ZthJH=f(t) 16,0 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 14,0 ZthJH : IGBT 12,0 1 ZthJH = f (t) E [mJ] 10,0 8,0 6,0 0,1 4,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,051 0,117 0,426 0,506 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 2,0 0,0 0 0,01 0,001 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 RG [Ω] 逆バイアス安全動作領域IGBT,降圧コンバータ(RBSOA)) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Buck(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=12Ω,Tvj=150°C 1 10 20 IC, Modul IC, Chip 90 80 16 70 14 60 12 50 10 40 8 30 6 20 4 10 2 0 200 400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 18 IF [A] IC [A] 0,1 t [s] 順電圧特性Diode、リバース(typical) forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical) IF=f(VF) 100 0 0,01 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 9 2,0 2,5 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData 過渡熱インピーダンスDiode、リバース transientthermalimpedanceDiode,Reverse ZthJH=f(t) 順電圧特性Diode,降圧コンバータ(typical) forwardcharacteristicofDiode,Buck(typical) IF=f(VF) 10 30 ZthJH : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 27 24 21 IF [A] ZthJH [K/W] 18 1 15 12 9 6 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,404 0,664 1,174 0,808 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 3 0 10 スイッチング損失Diode,降圧コンバータ(Typical) switchinglossesDiode,Buck(typical) Erec=f(IF) RGon=12Ω,VCE=600V 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 VF [V] 2,0 2,4 2,8 スイッチング損失Diode,降圧コンバータ(Typical) switchinglossesDiode,Buck(typical) Erec=f(RG) IF=15A,VCE=600V 1,6 1,4 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,4 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,2 1,2 1,0 1,0 E [mJ] E [mJ] 0,8 0,8 0,6 0,6 0,4 0,4 0,2 0,2 0,0 0 3 6 9 12 15 18 IF [A] 21 24 27 0,0 30 preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 10 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 RG [Ω] テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData 過渡熱インピーダンスDiode,降圧コンバータ transientthermalimpedanceDiode,Buck ZthJH=f(t) 出力特性IGBT,アップコンバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Boost(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 80 ZthJH : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 70 60 IC [A] ZthJH [K/W] 50 1 40 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,15 0,323 0,739 0,588 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 0,00 10 出力特性IGBT,アップコンバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Boost(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 2,00 2,50 80 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 70 60 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 70 60 50 IC [A] 50 IC [A] 1,00 1,50 VCE [V] 伝達特性IGBT,アップコンバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Boost(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 80 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,50 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 11 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失IGBT,アップコンバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Boost(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=350V スイッチング損失IGBT,アップコンバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Boost(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=40A,VCE=350V 2,4 5,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 2,2 2,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 4,5 4,0 1,8 3,5 1,6 3,0 E [mJ] E [mJ] 1,4 1,2 1,0 2,5 2,0 0,8 1,5 0,6 1,0 0,4 0,5 0,2 0,0 0 10 20 30 40 IC [A] 50 60 70 0,0 80 過渡熱インピーダンスIGBT,アップコンバータ transientthermalimpedanceIGBT,Boost ZthJH=f(t) 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 70 逆バイアス安全動作領域IGBT,アップコンバータ(RBSOA)) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Boost(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C 10 120 ZthJH = f (t) IC, Modul IC, Chip 110 100 1 90 70 IC [A] ZthJH [K/W] 80 0,1 60 50 40 0,01 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,084 0,195 0,587 0,585 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 12 0 100 200 300 400 500 VCE [V] 600 700 800 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData 順電圧特性Diode-、チョッパー(typical) forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical) IF=f(VF) 過渡熱インピーダンスDiode-、チョッパー transientthermalimpedanceDiode-Chopper ZthJH=f(t) 30 10 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ZthJH : Diode 25 ZthJH [K/W] IF [A] 20 15 1 10 5 0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,2803 0,8541 1,581 0,9342 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V] 順電圧特性Diode,アップコンバータ(typical) forwardcharacteristicofDiode,Boost(typical) IF=f(VF) 0,01 0,1 t [s] 1 10 スイッチング損失Diode,アップコンバータ(Typical) switchinglossesDiode,Boost(typical) Erec=f(IF) RGon=6.8Ω,VCE=350V 50 0,8 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 45 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,7 40 0,6 35 0,5 E [mJ] IF [A] 30 25 20 0,4 0,3 15 0,2 10 0,1 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0,0 2,5 VF [V] preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 13 0 5 10 15 20 25 30 IF [A] 35 40 45 50 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失Diode,アップコンバータ(Typical) switchinglossesDiode,Boost(typical) Erec=f(RG) IF=25A,VCE=350V 過渡熱インピーダンスDiode,アップコンバータ transientthermalimpedanceDiode,Boost ZthJC=f(t) 0,6 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJC : Diode 0,5 1 ZthJC [K/W] E [mJ] 0,4 0,3 0,2 0,1 0,1 0,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,3013 0,7006 1,3873 0,9109 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 10 20 30 RG [Ω] 40 50 0,01 0,001 60 NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 14 0,01 0,1 t [s] 1 10 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData 回路図/circuit_diagram_headline パッケージ概要/packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 15 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 暫定データ PreliminaryData この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 16