テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 EasyPACKモジュールニュートラル ポイント クランプ2トポロジー内蔵andPressFIT/NTCサーミスタ EasyPACKmodulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC 暫定データ/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 50A / ICRM = 100A 一般応用 • 3レベル アプリケーション • ソーラーアプリケーション TypicalApplications • 3-Level-Applications • SolarApplications 電気的特性 • 高速IGBTH3 • 低スイッチング損失 • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • HighSpeedIGBTH3 • LowSwitchingLosses • Tvjop=150°C 機械的特性 • PressFIT接合技術 • RoHS対応 MechanicalFeatures • PressFITContactTechnology • RoHScompliant ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 暫定データ PreliminaryData IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C コレクタ電流 Implementedcollectorcurrent VCES 1200 V ICN 100 A 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 50 A 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 200 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 375 W VGES +/-20 V ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,55 1,70 1,75 1,75 V V V 5,80 6,45 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 3,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,80 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 7,5 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,15 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,345 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 1,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 2200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 1,1 Ω Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 5,05 0,13 0,14 0,145 µs µs µs 0,02 0,03 0,03 µs µs µs 0,30 0,38 0,40 µs µs µs 0,03 0,06 0,065 µs µs µs Eon 1,05 1,65 1,80 mJ mJ mJ IC = 50 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 1,1 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,60 2,60 2,95 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 400 A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 2 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 0,30 0,40 K/W テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 暫定データ PreliminaryData ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions 0,35 Tvj op -40 K/W 150 °C ダイオード,D2/D3/Diode,D2/D3 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V 順電流 Implementedforwardcurrent IFN 100 A 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent IF 50 A IFRM 200 A I²t 850 800 ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 電気的特性/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,60 VF 1,35 1,30 1,25 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 52,0 57,0 59,0 A A A IF = 50 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,90 3,60 4,10 µC µC µC IF = 50 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,45 0,75 0,85 mJ mJ mJ 順電圧 Forwardvoltage IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V IF = 50 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 50 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V 逆回復電荷量 Recoveredcharge 逆回復損失 Reverserecoveryenergy V V V ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 0,55 0,70 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,65 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 3 -40 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 暫定データ PreliminaryData IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 75°C, Tvj max = 175°C IC nom 50 A 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 175 W VGES +/-20 V ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,45 1,60 1,70 1,90 V V V 5,80 6,50 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,10 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,095 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 50 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 8,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 50 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 8,2 Ω Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 4,90 0,025 0,025 0,025 µs µs µs 0,017 0,021 0,022 µs µs µs 0,19 0,22 0,25 µs µs µs 0,033 0,05 0,055 µs µs µs Eon 1,10 1,75 1,90 mJ mJ mJ IC = 50 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 8,2 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,50 2,05 2,20 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 350 250 A A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC 0,75 0,85 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,70 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 4 -40 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 暫定データ PreliminaryData ダイオード,D1/D4/Diode,D1/D4 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1200 V IF 35 A IFRM 150 A I²t 510 450 電気的特性/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,55 VF 2,00 1,70 1,65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 70,0 85,0 90,0 A A A IF = 35 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 2,40 5,70 7,00 µC µC µC IF = 35 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,70 1,75 2,15 mJ mJ mJ 順電圧 Forwardvoltage IF = 35 A, VGE = 0 V IF = 35 A, VGE = 0 V IF = 35 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 35 A, - diF/dt = 2400 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V 逆回復電荷量 Recoveredcharge 逆回復損失 Reverserecoveryenergy V V V ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 0,65 0,75 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,85 K/W 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 沿面距離 Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex VISOL CTI min. 内部インダクタンス Strayinductancemodule LsCE 保存温度 Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 質量 Weight G Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 5 kV 2,5 typ. max. 14 39 nH 125 °C 80 N g テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 暫定データ PreliminaryData NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω 損失 Powerdissipation TC = 25°C B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 6 kΩ 5 % 20,0 mW テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 暫定データ PreliminaryData 出力特性IGBT,T1/T4(Typical) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT,T1/T4(Typical) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 100 100 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 80 80 70 70 60 60 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 90 IC [A] IC [A] 90 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 伝達特性IGBT,T1/T4(Typical) transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 80 90 100 スイッチング損失IGBT,T1/T4(Typical) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.1Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=400V 100 6,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 5,0 80 70 4,0 E [mJ] IC [A] 60 50 3,0 40 2,0 30 20 1,0 10 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0,0 12 preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 7 0 10 20 30 40 50 60 IC [A] 70 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失IGBT,T1/T4(Typical) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=50A,VCE=400V 過渡熱インピーダンスIGBT,T1/T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4 ZthJH=f(t) 4,0 1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 3,5 ZthJH : IGBT 3,0 ZthJH [K/W] E [mJ] 2,5 2,0 0,1 1,5 1,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0195 0,0715 0,052 0,507 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,5 0,0 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 0,01 0,001 10 逆バイアス安全動作領域IGBT,T1/T4（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.1Ω,Tvj=150°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 順電圧特性ダイオード,D2/D3（typical) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) 120 100 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 100 80 70 80 IF [A] IC [A] 60 60 50 40 40 30 20 20 10 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 8 0,0 0,3 0,6 0,9 VF [V] 1,2 1,5 1,8 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=1.1Ω,VCE=400V スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=50A,VCE=400V 1,2 1,0 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,1 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,9 1,0 0,8 0,9 0,7 0,8 0,6 E [mJ] E [mJ] 0,7 0,6 0,5 0,5 0,4 0,4 0,3 0,3 0,2 0,2 0,1 0,1 0,0 0 10 20 30 40 50 60 IF [A] 70 80 90 0,0 100 過渡熱インピーダンスダイオード,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJH=f(t) 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 10 出力特性IGBT,T2/T3(Typical) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 100 ZthJH : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 80 70 1 IC [A] ZthJH [K/W] 60 50 40 0,1 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,072 0,12 0,348 0,66 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 9 2,0 2,5 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 暫定データ PreliminaryData 出力特性IGBT,T2/T3(Typical) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 伝達特性IGBT,T2/T3(Typical) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 100 100 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 90 80 70 70 60 60 IC [A] IC [A] 80 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 90 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=8.2Ω,RGoff=8.2Ω,VCE=400V 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=50A,VCE=400V 5,0 12 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 4,5 4,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 11 10 9 3,5 8 7 E [mJ] E [mJ] 3,0 2,5 6 5 2,0 4 1,5 3 1,0 2 0,5 0,0 1 0 10 20 30 40 50 60 IC [A] 70 80 90 0 100 preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 10 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 70 80 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 暫定データ PreliminaryData 過渡熱インピーダンスIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJH=f(t) 逆バイアス安全動作領域IGBT,T2/T3（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=8.2Ω,Tvj=150°C 10 120 ZthJH = f (t) IC, Modul IC, Chip 110 100 90 1 80 IC [A] ZthJH [K/W] 70 60 50 0,1 40 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,084 0,195 0,587 0,584 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 順電圧特性ダイオード,D1/D4（typical) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 700 60 70 スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=8.2Ω,VCE=400V 70 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 65 60 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 2,5 55 50 2,0 45 E [mJ] IF [A] 40 35 1,5 30 25 1,0 20 15 0,5 10 5 0 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 VF [V] 2,0 2,4 0,0 2,8 0 10 20 30 40 IF [A] preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 11 50 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=35A,VCE=400V 過渡熱インピーダンスダイオード,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJH=f(t) 3,0 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJH : Diode 2,5 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 2,0 1,5 1,0 0,1 0,5 0,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,036 0,156 0,324 0,684 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 70 80 140 160 0,01 0,001 NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 12 0,01 0,1 t [s] 1 10 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 暫定データ PreliminaryData 回路図/circuit_diagram_headline パッケージ概要/packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 13 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L100R12W2H3_B11 暫定データ PreliminaryData この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CM dateofpublication:2015-02-03 approvedby:AKDA revision:2.3 14