テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ/PreliminaryData J VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A 一般応用 • 3レベル アプリケーション • ソーラーアプリケーション TypicalApplications • 3-Level-Applications • SolarApplications 電気的特性 • 低インダクタンスデザイン • 低スイッチング損失 • 低VCEsat飽和電圧 ElectricalFeatures • LowInductiveDesign • LowSwitchingLosses • LowVCEsat 機械的特性 • 低熱インピーダンスのAl2O3 DCB • コンパクトデザイン • PressFIT接合技術 • 固定用クランプによる強固なマウンティング MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • Compactdesign • PressFITContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ PreliminaryData IGBT,T1-T4/IGBT,T1-T4 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C コレクタ電流 Implementedcollectorcurrent VCES 1200 V ICN 75 A 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 30 45 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 150 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 275 W VGES +/-20 V ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,45 1,55 1,60 1,70 V V V 5,80 6,45 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 2,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,57 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,40 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,235 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 6,8 Ω Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 5,05 0,03 0,03 0,03 µs µs µs 0,01 0,012 0,012 µs µs µs 0,25 0,32 0,34 µs µs µs 0,025 0,04 0,045 µs µs µs Eon 0,40 0,60 0,70 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, du/dt = 2400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 6,8 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,05 1,60 1,75 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 270 A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 2 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 0,500 0,550 K/W テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ PreliminaryData ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions 0,450 Tvj op -40 K/W 150 °C ダイオード,D1/D4/Diode,D1/D4 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 30 A IFRM 60 A I²t 310 A²s min. IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V 逆回復電荷量 Recoveredcharge 逆回復損失 Reverserecoveryenergy V IF 電気的特性/CharacteristicValues 順電圧 Forwardvoltage 1200 typ. max. VF 2,15 t.b.d. 1,85 1,70 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 85,0 90,0 95,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 2,30 2,95 3,30 µC µC µC IF = 30 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,85 1,25 1,35 mJ mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 0,700 0,750 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,700 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 3 -40 K/W 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ PreliminaryData IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C コレクタ電流 Implementedcollectorcurrent VCES 650 V ICN 50 A 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 30 60 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 175 W VGES +/-20 V ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V IC = 30 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,25 1,30 1,30 1,50 V V V 5,80 6,45 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,10 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,095 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGon = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 30 A, VCE = 400 V VGE = 15 V RGoff = 6,2 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, di/dt = 3000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 6,2 Ω Tvj = 150°C ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 5,05 0,022 0,022 0,025 µs µs µs 0,01 0,012 0,012 µs µs µs 0,12 0,15 0,165 µs µs µs 0,025 0,037 0,04 µs µs µs Eon 0,40 0,55 0,60 mJ mJ mJ IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, du/dt = 4200 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 6,2 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,90 1,20 1,30 mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 350 250 A A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 4 tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 0,750 0,850 K/W テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ PreliminaryData ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions 0,700 Tvj op -40 K/W 150 °C ダイオード,D2/D3/Diode,D2/D3 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V 順電流 Implementedforwardcurrent IFN 50 A 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent IF 30 A IFRM 100 A I²t 130 115 ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 電気的特性/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,65 VF 1,45 1,35 1,30 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 42,0 48,0 50,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,80 2,40 2,60 µC µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,45 0,65 0,73 mJ mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 0,800 1,10 K/W ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,600 順電圧 Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V 逆回復電荷量 Recoveredcharge 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 V V V K/W 150 °C NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω 損失 Powerdissipation TC = 25°C B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 5 kΩ 5 % 20,0 mW テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ PreliminaryData モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) AI2O3 沿面距離 Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex VISOL CTI min. 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch 保存温度 Storagetemperature nH RCC'+EE' RAA'+CC' 5,00 6,00 mΩ Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 質量 Weight G dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 6 max. 30 -40 preparedby:CM typ. LsCE Tstg Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. kV 3,0 24 125 °C 80 N g テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ PreliminaryData 出力特性IGBT,T1-T4(Typical) outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT,T1-T4(Typical) outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 60 60 50 50 40 40 IC [A] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0 2,5 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 0,0 0,5 1,0 VCE [V] 伝達特性IGBT,T1-T4(Typical) transfercharacteristicIGBT,T1-T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 2,5 3,0 50 60 3,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 2,5 40 2,0 E [mJ] IC [A] 2,0 スイッチング損失IGBT,T1-T4(Typical) switchinglossesIGBT,T1-T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=400V 60 30 1,0 10 0,5 5 6 7 8 9 0,0 10 VGE [V] preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 7 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 1,5 20 0 1,5 VCE [V] 0 10 20 30 IC [A] 40 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失IGBT,T1-T4(Typical) switchinglossesIGBT,T1-T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V 過渡熱インピーダンスIGBT,T1-T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1-T4 ZthJH=f(t) 4,0 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C ZthJH : IGBT ZthJH [K/W] E [mJ] 3,0 2,0 1 1,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,032 0,062 0,312 0,544 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,0 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 0,1 0,001 70 逆バイアス安全動作領域IGBT,T1-T4（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1-T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 順電圧特性ダイオード,D1/D4（typical) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) 70 50 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 45 60 40 50 35 30 IF [A] IC [A] 40 30 25 20 15 20 10 10 5 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 8 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=6,2Ω,VCE=400V スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=400V 2,0 1,6 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,8 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,4 1,6 1,2 1,4 1,0 E [mJ] E [mJ] 1,2 1,0 0,8 0,8 0,6 0,6 0,4 0,4 0,2 0,2 0,0 0 5 0,0 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 IF [A] 過渡熱インピーダンスダイオード,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJH=f(t) 0 10 20 30 RG [Ω] 40 50 60 出力特性IGBT,T2/T3(Typical) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 60 ZthJH: Diode 55 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 50 45 35 IC [A] ZthJH [K/W] 40 1 30 25 20 15 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,097 0,219 0,576 0,508 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 5 0 0,00 10 preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 9 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 VCE [V] 1,50 1,75 2,00 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ PreliminaryData 出力特性IGBT,T2/T3(Typical) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 伝達特性IGBT,T2/T3(Typical) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 60 60 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 54 48 42 42 36 36 IC [A] IC [A] 48 30 24 18 18 12 12 6 6 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 3,5 0 4,0 5 6 7 8 9 10 VGE [V] スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=6.2Ω,RGoff=6.2Ω,VCE=400V スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V 2,4 4,5 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 2,2 2,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 4,0 3,5 1,8 1,6 3,0 E [mJ] 1,4 E [mJ] 30 24 0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 54 1,2 1,0 0,8 2,5 2,0 1,5 0,6 1,0 0,4 0,5 0,2 0,0 0 10 20 30 IC [A] 40 50 0,0 60 preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 10 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 RG [Ω] テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ PreliminaryData 過渡熱インピーダンスIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJH=f(t) 順電圧特性ダイオード,D2/D3（typical) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) 10 60 ZthJH: IGBT Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 55 50 45 35 IF [A] ZthJH [K/W] 40 1 30 25 20 15 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,084 0,195 0,586 0,585 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 5 0 10 スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=6.8Ω,VCE=400V 0,0 0,5 1,0 VF [V] 1,5 2,0 スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=400V 1,00 0,90 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,90 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,80 0,80 0,70 0,70 0,60 E [mJ] E [mJ] 0,60 0,50 0,50 0,40 0,40 0,30 0,30 0,20 0,20 0,10 0,10 0,00 0 10 20 30 IF [A] 40 50 0,00 60 preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 11 0 10 20 30 RG [Ω] 40 50 60 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ PreliminaryData 過渡熱インピーダンスダイオード,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJH=f(t) NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 10 100000 ZthJH: Diode Rtyp R[Ω] ZthJH [K/W] 10000 1 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,206 0,247 0,412 0,535 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 100 10 preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 12 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ PreliminaryData 回路図/Circuitdiagram J パッケージ概要/Packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 13 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-Module F3L75R12W1H3_B11 暫定データ PreliminaryData この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CM dateofpublication:2015-08-26 approvedby:AKDA revision:V2.0 14