S6E2DH シリーズ 32-bit ARM® Cortex®-M4F based Microcontroller Data Sheet Errata Sheet ページ 場所 訂正内容 Original document code: DS709-00029-1v0-J Rev. 1.0 June 25, 2015 67 9. デバイス 「サブクロック用水晶振動子について」に以下の で示す説明文を追加。 使用上の注 意 94 14.3.1 電流 ■表面実装タイプ サイズ: 負荷容量: 負荷容量: 3.2 mm × 1.5 mm 以上 6 pF～7 pF 程度 標準設定(CCS/CCB=11001110)のとき 4 pF～7 pF 程度 低消費電力設定(CCS/CCB=00000100)のとき ■リードタイプ 負荷容量: 負荷容量: 6 pF～7 pF 程度 標準設定(CCS/CCB=11001110)のとき 4 pF～7 pF 程度 低消費電力設定(CCS/CCB=00000100)のとき Table 14-10 に以下の で示す規格及び説明文を追加。 規格 Table 14-10 ディープスタンバイストップモード, ディープスタンバイ RTC モード, VBAT の標準と最大の消費電流 項目 記号 端子名 条件 周波数 RTC 停止 電源電流 ICCVBAT VBAT RTC 動作*6 RTC 動作*7 *1: VCC=3.3 V *2: VCC=3.6 V *3: 全ポート固定時 *4: LVD OFF 時 *5: サブ発振 OFF 時 *6: 水晶振動子(32 kHz)使用時(発振回路の消費電流を含む) *7: 水晶振動子(32 kHz)使用時(発振回路の消費電流を含む) Publication Number S6E2DH_DS709-00029-1v0-J-DE CONFIDENTIAL Revision 2.0 - 規格値 単位 備考 標準 最大 0.009 0.032 μA *3, *4, *5 TA=+25°C - 0.994 μA *3, *4, *5 TA=+85°C - 1.491 μA *3, *4, *5 TA=+105°C 1.0 1.636 μA *3, *4 TA=+25°C - 2.828 μA *3, *4 TA=+85°C - 4.242 μA *3, *4 TA=+105°C 0.7 1.153 μA *3, *4 TA=+25°C - 2.277 μA *3, *4 TA=+85°C - 3.416 μA *3, *4 TA=+105°C 標準設定(CCS/CCB=11001110)のとき 低消費電力設定(CCS/CCB=00000100)のとき Issue Date September 16, 2015 E R R A T A ページ 場所 181 15.オーダ S H E E T 訂正内容 オーダ型格を以下の に示すように訂正。 型格 (誤) 型格 パッケージ S6E2DH5G0AGV20000 プラスチック・LQFP (0.50 mm ピッチ), 120 ピン S6E2DH5GJAMV20000 (FPT-120P-M21) S6E2DH5J0AGV20000 S6E2DH5G0AGB30000 S6E2DH5G0AGZ20000 プラスチック・LQFP (0.50 mm ピッチ), 176 ピン (FPT-176P-M07) プラスチック・PFBGA (0.50 mm ピッチ), 161 ピン (FDJ161) プラスチック・Ex_LQFP (0.50 mm ピッチ), 120 ピン (LEM120) (正) 型格 S6E2DH5G0AGV20000 プラスチック・LQFP (0.50 mm ピッチ), 120 ピン S6E2DH5GJAMV20000 (FPT-120P-M21) S6E2DH5J0AGV20000 S6E2DH5G0AGB30000 S6E2DH5G0AGE20000 2 CONFIDENTIAL パッケージ プラスチック・LQFP (0.50 mm ピッチ), 176 ピン (FPT-176P-M07) プラスチック・PFBGA (0.50 mm ピッチ), 161 ピン (FDJ161) プラスチック・Ex_LQFP (0.50 mm ピッチ), 120 ピン (LEM120) S6E2DH_DS709-00029-1v0-J-DE2, September 16, 2015 E R R A T A ページ 場所 Rev. 2.0 September 16, 2015 11 2. 特長 S H E E T 訂正内容 注意事項を以下の に示すように追加。 (誤) GDC ユニット ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ グラフィックス・ディスプレイコントローラを搭載 2D ブロックイメージ転送処理ハードウェアアクセラレータを搭載 最大 512KB 内蔵ビデオメモリを搭載 外部メモリ接続用 HighSpeed Quad SPI を搭載 外部メモリ接続用 SDRAM インタフェースを搭載 外部メモリ接続用 HyperBus インタフェースを搭載 最高動作周波数 160 MHz (正) GDC ユニット ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ グラフィックス・ディスプレイコントローラを搭載 2D ブロックイメージ転送処理ハードウェアアクセラレータを搭載 最大 512KB 内蔵ビデオメモリを搭載 外部メモリ接続用 HighSpeed Quad SPI を搭載 外部メモリ接続用 SDRAM インタフェースを搭載 外部メモリ接続用 HyperBus インタフェースを搭載 最高動作周波数 160 MHz ＜注意事項＞ − GDC はグラフィックスデータの書き込み先として、内蔵 VRAM と外部 HyperRAM を使用できま す。 16 4.パッケー ジと品種対 パッケージと品種対応の表を以下の (誤) に示すように訂正。 応 品種名 パッケージ LQFP: FPT-120P-M21 (0.5 mm pitch) LQFP: FPT-176P-M07 (0.5 mm pitch) PFBGA: S6E2DH5G0A - FDJ161 (0.5 mm pitch) Ex_LQFP(TEQFP): LEM120 (0.5 mm pitch) S6E2DH5J0A - S6E2DH5GJA - - - S6E2DH5J0A S6E2DH5GJA : 使用可能 (正) 品種名 パッケージ LQFP: FPT-120P-M21 (0.5 mm pitch) LQFP: FPT-176P-M07 (0.5 mm pitch) FBGA: FDJ161 (0.5 mm pitch) Ex_LQFP(TEQFP): LEM120 (0.5 mm pitch) : 使用可能、 17, 19 5.端子配列 図 - - - - - - - :開発中 信号名を以下のように訂正。 (誤) GE_SPCSX_0 (正) GE_SPCSX0 (誤) GE_HBCSX_0 (正) GE_HBCSX0 (誤) GE_HBCSX_1 (正) GE_HBCSX1 September 16, 2015, S6E2DH_DS709-00029-1v0-J-DE2 CONFIDENTIAL S6E2DH5G0A 3 E R R A T A ページ 場所 22, 24, 6.端子機能 51 一覧 70 10.ブロック ダイヤグラ ム 95 14.3 直流 規格 S H E E T 訂正内容 信号名を以下のように訂正。 (誤) GE_SPCSX_0 (正) GE_SPCSX0 (誤) GE_HBCSX_0 (正) GE_HBCSX0 (誤) GE_HBCSX_1 (正) GE_HBCSX1 信号名を以下のように訂正。 (誤) GE_SPCSX_0 (正) GE_SPCSX0 (誤) GE_HBCSX_0/1 (正) GE_HBCSX0/1 VFLASH メモリスタンバイ電流を以下の (誤) 項目 記号 端子 スタンバイ電流 VFLASH メモリ 読出し電流 ICCVFLASH 条件 名 VFLASH メモリ VCC VFLASH メモリ 書込み/消去電流 に示すように訂正。 規格値 最小 標準 最大 スタンバイ時 - 15 25 リード時 - 書込み/消去時 - 9 14 13 20 20 25 単位 備考 mA mA 40MHz 時 80MHz 時 mA (正) 項目 記号 端子 VFLASH メモリ スタンバイ電流 VFLASH メモリ 読出し電流 VFLASH メモリ 書込み/消去電流 165, 14.4 交流規 166, 格 167 4 CONFIDENTIAL ICCVFLASH 条件 名 VCC 規格値 最小 標準 最大 スタンバイ時 - 15 35 リード時 - 9 14 13 20 書込み/消去時 - 20 25 単位 備考 μA mA 40MHz 時 80MHz 時 mA 信号名を以下のように訂正。 (誤) GE_SPCSX_0 (正) GE_SPCSX0 (誤) GE_HBCSX_0 (正) GE_HBCSX0 (誤) GE_HBCSX_1 (正) GE_HBCSX1 S6E2DH_DS709-00029-1v0-J-DE2, September 16, 2015