F3L75R07W2E3_B11 Data Sheet (816 KB, EN/DE)

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L75R07W2E3_B11
EasyPACKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC
EasyPACKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
VCES = 650V
IC nom = 75A / ICRM = 150A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarAnwendungen
• USV-Systeme
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• SolarApplications
• UPSSystems
ElektrischeEigenschaften
• ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V
• NiederinduktivesDesign
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesVCEsat
ElectricalFeatures
• Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
• Lowinductivedesign
• LowSwitchingLosses
• LowVCEsat
MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L75R07W2E3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 75°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
75
95
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
150
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
250
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,45
1,60
1,70
1,90
V
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,80
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
4,60
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,145
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,025
0,025
0,025
µs
µs
µs
tr
0,02
0,023
0,024
µs
µs
µs
td off
0,20
0,225
0,23
µs
µs
µs
tf
0,085
0,12
0,14
µs
µs
µs
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 75 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 3100 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 150°C
Eon
0,45
0,60
0,70
mJ
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 75 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
1,70
2,30
2,40
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
530
380
A
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
0,55
0,60 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,55
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
2
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L75R07W2E3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 650
V
IF
75
A
IFRM
150
A
I²t
490
460
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,55
1,50
1,45
1,95
A²s
A²s
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 75 A, - diF/dt = 3600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
95,0
105
110
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 75 A, - diF/dt = 3600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
3,70
6,40
7,00
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 75 A, - diF/dt = 3600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,90
1,50
1,75
mJ
mJ
mJ
RthJC
0,70
0,80 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,70
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
3
150
V
V
V
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L75R07W2E3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,D5-D6/Diode,D5-D6
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 650
V
IF
75
A
IFRM
150
A
I²t
1500
1400
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,45
1,35
1,30
1,85
A²s
A²s
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 75 A, - diF/dt = 3100 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
82,0
100
105
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 75 A, - diF/dt = 3100 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
3,70
7,00
8,00
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 75 A, - diF/dt = 3100 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
1,00
1,80
2,05
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
0,60
0,65 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,50
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
V
V
V
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L75R07W2E3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
VISOL kV
2,5
min.
typ.
max.
LsCE
15
nH
RCC'+EE'
2,00
mΩ
Tstg
-40
125
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
-
80
N
Gewicht
Weight
G
39
g
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R07W2E3_B11
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
150
150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
120
120
105
105
90
90
75
60
45
45
30
30
15
15
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
VCE [V]
2,0
2,4
0
2,8
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
5,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
135
105
3,5
90
3,0
E [mJ]
4,0
75
2,5
60
2,0
45
1,5
30
1,0
15
0,5
5
6
7
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
4,5
120
0
0,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=5.1Ω,RGoff=5.1Ω,VCE=300V
150
IC [A]
75
60
0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
135
IC [A]
IC [A]
135
8
9
VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
6
0
15
30
45
60
75 90
IC [A]
105 120 135 150
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R07W2E3_B11
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=75A,VCE=300V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
10
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
9
8
ZthJH : IGBT
7
1
ZthJH [K/W]
E [mJ]
6
5
4
0,1
3
2
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,051 0,117 0,426 0,506
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
1
0
0
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
50
0,01
0,001
55
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=5.1Ω,Tvj=150°C
165
IC, Modul
IC, Chip
150
1
10
150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
135
120
120
105
105
90
90
IF [A]
IC [A]
0,1
t [s]
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
135
75
75
60
60
45
45
30
30
15
15
0
0,01
0
100
200
300
400 500
VCE [V]
600
700
0
800
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
7
0,0
0,4
0,8
1,2
VF [V]
1,6
2,0
2,4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R07W2E3_B11
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=5.1Ω,VCE=300V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=75A,VCE=300V
4,0
3,0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
3,5
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
2,5
3,0
2,0
E [mJ]
E [mJ]
2,5
2,0
1,5
1,5
1,0
1,0
0,5
0,5
0,0
0
15
30
45
60
75 90
IF [A]
0,0
105 120 135 150
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
50
55
DurchlasskennliniederDiode,D5-D6(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D5-D6(typical)
IF=f(VF)
10
150
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
135
120
105
IF [A]
ZthJH [K/W]
90
1
75
60
45
30
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,097 0,219 0,576 0,508
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
15
0
10
0,0
0,4
0,8
1,2
VF [V]
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
8
1,6
2,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R07W2E3_B11
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch)
switchinglossesDiode,D5-D6(typical)
Erec=f(IF)
RGon=5.1Ω,VCE=300V
SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch)
switchinglossesDiode,D5-D6(typical)
Erec=f(RG)
IF=75A,VCE=300V
4,0
3,0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
3,5
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
2,7
2,4
3,0
2,1
1,8
E [mJ]
E [mJ]
2,5
2,0
1,5
1,2
1,5
0,9
1,0
0,6
0,5
0,0
0,3
0
15
30
45
60
75 90
IF [A]
0,0
105 120 135 150
TransienterWärmewiderstandDiode,D5-D6
transientthermalimpedanceDiode,D5-D6
ZthJH=f(t)
0
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
50
55
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
10
100000
ZthJH : Diode
Rtyp
10000
R[Ω]
ZthJH [K/W]
1
0,1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,062 0,145 0,444 0,449
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
10
preparedby:DK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
9
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L75R07W2E3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
In fin e o n
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dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MB
revision:2.1
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L75R07W2E3_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
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