TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 EasyPACKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undRapid1DiodeundPressFIT/NTC EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andRapid1diodeandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 40A / ICRM = 80A TypischeAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • SolarAnwendungen TypicalApplications • HighFrequencySwitchingApplication • SolarApplications ElektrischeEigenschaften • ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V • HighSpeedIGBTH3 • NiederinduktivesDesign • NiedrigesVCEsat ElectricalFeatures • Increasedblockingvoltagecapabilityto650V • HighSpeedIGBTH3 • LowInductiveDesign • LowVCEsat MechanischeEigenschaften • 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit • PressFITVerbindungstechnik • RoHSkonform • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures • 2.5kVAC1minInsulation • PressFITContactTechnology • RoHScompliant • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Tiefsetzsteller/IGBT,Buck HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 175°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage 1200 V IC nom 40 A ICRM 80 A Ptot 215 W VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 40 A, VGE = 15 V IC = 40 A, VGE = 15 V IC = 40 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 2,05 2,50 2,60 2,40 V V V 5,8 6,5 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,185 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,35 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,13 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 12 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1900 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 12 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,0 0,02 0,02 0,023 µs µs µs 0,02 0,02 0,02 µs µs µs 0,22 0,26 0,28 µs µs µs 0,025 0,035 0,04 µs µs µs Eon 2,50 3,70 4,00 mJ mJ mJ IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 4700 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 12 Ω Tvj = 150°C Eoff 1,50 2,35 2,50 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 130 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 0,55 0,70 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,55 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 2 -40 150 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Revers/Diode,Reverse HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1200 V IF 10 A IFRM 20 A I²t 16,0 14,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues A²s A²s typ. max. 2,25 VF 1,75 1,75 1,75 RthJC 1,75 1,90 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,30 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase min. IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C proDiode/perdiode -40 V V V 150 °C Diode,Tiefsetzsteller/Diode,Buck HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 1200 V IF 15 A IFRM 30 A I²t 90,0 75,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,55 VF 2,00 1,70 1,65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 30,0 40,0 40,0 A A A IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 0,70 2,50 3,00 µC µC µC IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,40 0,85 1,10 mJ mJ mJ RthJC 0,95 1,05 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,85 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 3 -40 150 V V V °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Hochsetzsteller/IGBT,Boost HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES 650 V ICN 50 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 40 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 200 W VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 40 A, VGE = 15 V IC = 40 A, VGE = 15 V IC = 40 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,55 t.b.d. 1,70 1,70 V V V 5,8 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,95 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,096 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGon = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 40 A, VCE = 350 V VGE = ±15 V RGoff = 6,8 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 40 A, VCE = 350 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 3200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 6,8 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 4,9 6,5 0,02 0,02 0,02 µs µs µs 0,01 0,013 0,013 µs µs µs 0,03 0,065 0,07 µs µs µs 0,012 0,013 0,014 µs µs µs Eon 0,33 0,47 0,50 mJ mJ mJ IC = 40 A, VCE = 350 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 5000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 6,8 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,60 0,85 0,95 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 180 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 tP ≤ 5 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 4 0,60 0,75 K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 VorläufigeDaten PreliminaryData Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op 0,85 -40 K/W 150 °C Diode-Chopper/Diode-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 650 V IF 15 A IFRM 30 A I²t 22,5 20,5 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues A²s A²s typ. max. 2,00 VF 1,60 1,55 1,50 RthJC 2,25 2,50 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,40 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase min. IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C proDiode/perdiode preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 5 -40 150 V V V °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Hochsetzsteller/Diode,Boost HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM 650 V IF 25 A IFRM 50 A I²t 50,0 A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 25 A, VGE = 0 V IF = 25 A, VGE = 0 V IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 25 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy typ. max. VF 1,65 t.b.d. 1,60 1,55 V V V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 38,0 43,0 45,0 A A A IF = 25 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 0,90 1,60 1,90 µC µC µC IF = 25 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,24 0,38 0,44 mJ mJ mJ RthJC 1,95 2,15 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,35 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode -40 150 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 6 kΩ 5 % 20,0 mW TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex VISOL CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 20 Gewicht Weight G Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 7 kV 2,5 typ. max. 25 24 nH 125 °C 50 N g TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Tiefsetzsteller(typisch) outputcharacteristicIGBT,Buck(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Tiefsetzsteller(typisch) outputcharacteristicIGBT,Buck(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 80 80 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 70 60 60 50 50 IC [A] IC [A] 70 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Tiefsetzsteller(typisch) transfercharacteristicIGBT,Buck(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Tiefsetzsteller(typisch) switchinglossesIGBT,Buck(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=12Ω,RGoff=12Ω,VCE=600V 80 10,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 70 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 9,0 8,0 60 7,0 6,0 E [mJ] IC [A] 50 40 5,0 4,0 30 3,0 20 2,0 10 0 1,0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0,0 12 preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 8 0 10 20 30 40 IC [A] 50 60 70 80 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Tiefsetzsteller(typisch) switchinglossesIGBT,Buck(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=40A,VCE=600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Tiefsetzsteller transientthermalimpedanceIGBT,Buck ZthJH=f(t) 16,0 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 14,0 ZthJH : IGBT 12,0 1 ZthJH = f (t) E [mJ] 10,0 8,0 6,0 0,1 4,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,051 0,117 0,426 0,506 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 2,0 0,0 0 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Tiefsetzsteller (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Buck(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=12Ω,Tvj=150°C 100 IC, Modul IC, Chip 90 70 14 60 12 50 8 30 6 20 4 10 2 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 10 10 40 200 1 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 18 16 0 0,1 t [s] 20 80 0 0,01 DurchlasskennliniederDiode,Revers(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical) IF=f(VF) IF [A] IC [A] 0,01 0,001 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 RG [Ω] 0 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 9 2,0 2,5 TechnischeInformation/TechnicalInformation FD-DF80R12W1H3_B52 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandDiode,Revers transientthermalimpedanceDiode,Reverse ZthJH=f(t) DurchlasskennliniederDiode,Tiefsetzsteller(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Buck(typical) IF=f(VF) 10 30 ZthJH : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 27 24 21 IF [A] ZthJH [K/W] 18 1 15 12 9 6 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,404 0,664 1,174 0,808 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 3 0 10 SchaltverlusteDiode,Tiefsetzsteller(typisch) switchinglossesDiode,Buck(typical) Erec=f(IF) RGon=12Ω,VCE=600V 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 VF [V] 2,0 2,4 2,8 SchaltverlusteDiode,Tiefsetzsteller(typisch) switchinglossesDiode,Buck(typical) Erec=f(RG) IF=15A,VCE=600V 1,6 1,4 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,4 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,2 1,2 1,0 1,0 E [mJ] E [mJ] 0,8 0,8 0,6 0,6 0,4 0,4 0,2 0,2 0,0 0 3 6 9 12 15 18 IF [A] 21 24 27 0,0 30 preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 10 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 RG [Ω] TechnischeInformation/TechnicalInformation FD-DF80R12W1H3_B52 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandDiode,Tiefsetzsteller transientthermalimpedanceDiode,Buck ZthJH=f(t) AusgangskennlinieIGBT,Hochsetzsteller(typisch) outputcharacteristicIGBT,Boost(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 80 ZthJH : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 70 60 IC [A] ZthJH [K/W] 50 1 40 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,15 0,323 0,739 0,588 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 0,00 10 AusgangskennlinienfeldIGBT,Hochsetzsteller(typisch) outputcharacteristicIGBT,Boost(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 2,00 2,50 80 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 70 60 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 70 60 50 IC [A] 50 IC [A] 1,00 1,50 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Hochsetzsteller(typisch) transfercharacteristicIGBT,Boost(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 80 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,50 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 11 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Hochsetzsteller(typisch) switchinglossesIGBT,Boost(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=350V SchaltverlusteIGBT,Hochsetzsteller(typisch) switchinglossesIGBT,Boost(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=40A,VCE=350V 2,4 5,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 2,2 2,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 4,5 4,0 1,8 3,5 1,6 3,0 E [mJ] E [mJ] 1,4 1,2 1,0 2,5 2,0 0,8 1,5 0,6 1,0 0,4 0,5 0,2 0,0 0 10 20 30 40 IC [A] 50 60 70 0,0 80 TransienterWärmewiderstandIGBT,Hochsetzsteller transientthermalimpedanceIGBT,Boost ZthJH=f(t) 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 70 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Hochsetzsteller (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Boost(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C 120 IC, Modul 110 IC, Chip 10 ZthJH = f (t) 100 1 90 70 IC [A] ZthJH [K/W] 80 0,1 60 50 40 0,01 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,084 0,195 0,587 0,585 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 12 0 100 200 300 400 500 VCE [V] 600 700 800 TechnischeInformation/TechnicalInformation FD-DF80R12W1H3_B52 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederDiode-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical) IF=f(VF) TransienterWärmewiderstandDiode-Chopper transientthermalimpedanceDiode-Chopper ZthJH=f(t) 30 10 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ZthJH : Diode 25 ZthJH [K/W] IF [A] 20 15 1 10 5 0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,2803 0,8541 1,581 0,9342 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V] DurchlasskennliniederDiode,Hochsetzsteller(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Boost(typical) IF=f(VF) 0,01 0,1 t [s] 1 10 SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch) switchinglossesDiode,Boost(typical) Erec=f(IF) RGon=6.8Ω,VCE=350V 50 0,8 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 45 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,7 40 0,6 35 0,5 E [mJ] IF [A] 30 25 20 0,4 0,3 15 0,2 10 0,1 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0,0 2,5 VF [V] preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 13 0 5 10 15 20 25 30 IF [A] 35 40 45 50 TechnischeInformation/TechnicalInformation FD-DF80R12W1H3_B52 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch) switchinglossesDiode,Boost(typical) Erec=f(RG) IF=25A,VCE=350V TransienterWärmewiderstandDiode,Hochsetzsteller transientthermalimpedanceDiode,Boost ZthJC=f(t) 0,6 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJC : Diode 0,5 1 ZthJC [K/W] E [mJ] 0,4 0,3 0,2 0,1 0,1 0,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,3013 0,7006 1,3873 0,9109 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 10 20 30 RG [Ω] 40 50 0,01 0,001 60 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 14 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2014-07-21 approvedby:MB revision:2.0 15 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD-DF80R12W1H3_B52 VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. 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