TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L15R12W2H3_B27 VorläufigeDaten/PreliminaryData J VCES = 1200V IC nom = 15A / ICRM = 30A TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • SolarAnwendungen TypicalApplications • 3-Level-Applications • SolarApplications ElektrischeEigenschaften • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat ElectricalFeatures • Lowinductivedesign • LowSwitchingLosses • LowVCEsat MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • Compactdesign • PressFITContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L15R12W2H3_B27 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 15 20 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 30 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 145 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 15 A, VGE = 15 V IC = 15 A, VGE = 15 V IC = 15 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge V 1200 VCE sat A A typ. max. 2,05 2,50 2,60 2,40 V V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,075 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,875 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,045 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA td on 0,04 0,04 0,04 µs µs µs tr 0,025 0,026 0,027 µs µs µs td off 0,27 0,31 0,32 µs µs µs tf 0,02 0,03 0,035 µs µs µs Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 350 V VGE = 15 V RGon = 35 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 350 V VGE = 15 V RGon = 35 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 350 V VGE = 15 V RGoff = 35 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 350 V VGE = 15 V RGoff = 35 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 15 A, VCE = 350 V, LS = 30 nH VGE = 15 V, di/dt = 700 A/µs (Tvj = 150°C) RGon = 35 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eon 0,40 0,60 0,64 mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 15 A, VCE = 350 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 35 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,37 0,53 0,54 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,95 1,05 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,80 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 2 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 48 150 A °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L15R12W2H3_B27 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 1200 V IF 15 A IFRM 50 A I²t 40,0 34,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,75 1,75 1,75 2,15 A²s A²s Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 36,0 38,0 38,0 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,05 2,10 2,40 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,40 0,66 0,70 mJ mJ mJ RthJC 1,30 1,45 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,05 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode 3 150 V V V °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L15R12W2H3_B27 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,3-Level/IGBT,3-Level HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent VCES 650 V ICN 30 A TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom IC 15 25 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 60 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 150 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 15 A, VGE = 15 V IC = 15 A, VGE = 15 V IC = 15 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,20 1,25 1,25 1,45 V V V VGEth 4,9 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 0,30 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,65 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,051 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA td on 0,035 0,035 0,035 µs µs µs tr 0,01 0,012 0,013 µs µs µs td off 0,34 0,38 0,39 µs µs µs tf 0,045 0,07 0,075 µs µs µs Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 350 V VGE = 15 V RGon = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 350 V VGE = 15 V RGon = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 350 V VGE = 15 V RGoff = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 350 V VGE = 15 V RGoff = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 15 A, VCE = 350 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C Eon 0,19 0,26 0,28 mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 15 A, VCE = 350 V, LS = 40 nH Tvj = 25°C VGE = 15 V, du/dt = 2600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,47 0,60 0,64 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 210 150 A A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,90 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 4 tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C 1,00 K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L15R12W2H3_B27 VorläufigeDaten PreliminaryData Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,85 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 K/W 150 °C Diode,3-Level/Diode,3-Level HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM 650 V IF 15 A IFRM 30 A I²t 32,0 28,0 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 15 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 15 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 15 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=150°C) VR = 350 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode typ. A²s A²s max. 1,45 t.b.d. 1,35 1,30 V V V 13,0 15,0 16,0 A A A Qr 0,60 1,00 1,15 µC µC µC Erec 0,12 0,18 0,22 mJ mJ mJ RthJC 1,95 2,15 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,35 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 min. typ. max. R25 5,00 kΩ ∆R/R -5 5 % P25 20,0 mW °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 5 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L15R12W2H3_B27 VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 13,5 7,5 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 12,0 7,5 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 200 VISOL kV 2,5 min. typ. max. LsCE 25 nH Tstg -40 125 °C Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 - 80 N Gewicht Weight G 36 g preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Lagertemperatur Storagetemperature 6 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L15R12W2H3_B27 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 30 30 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 24 24 21 21 18 18 15 15 12 12 9 9 6 6 3 3 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 27 IC [A] IC [A] 27 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=35Ω,RGoff=35Ω,VCE=350V 30 2,4 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 2,2 25 2,0 1,8 20 1,6 E [mJ] IC [A] 1,4 15 1,2 1,0 10 0,8 0,6 5 0,4 0,2 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0,0 12 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 7 0 3 6 9 12 15 18 IC [A] 21 24 27 30 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L15R12W2H3_B27 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=15A,VCE=350V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 3,0 10 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 2,5 ZthJH : IGBT ZthJH [K/W] E [mJ] 2,0 1,5 1 1,0 0,5 0,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,129 0,286 0,718 0,617 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 20 40 60 80 0,1 0,001 100 120 140 160 180 200 RG [Ω] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=35Ω,Tvj=150°C 40 IC, Modul IC, Chip 35 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 30 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 27 24 30 21 18 IF [A] IC [A] 25 20 15 12 15 9 10 6 5 0 3 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 8 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L15R12W2H3_B27 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=15Ω,VCE=350V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=15A,VCE=350V 1,0 1,0 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,8 0,8 0,7 0,7 0,6 0,6 0,5 0,5 0,4 0,4 0,3 0,3 0,2 0,2 0,1 0,1 0,0 0 5 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,9 E [mJ] E [mJ] 0,9 15 IF [A] 20 25 0,0 30 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 0 15 30 45 60 75 90 RG [Ω] 105 120 135 150 AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 30,0 ZthJH: Diode 27,5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 25,0 22,5 17,5 IC [A] ZthJH [K/W] 20,0 1 15,0 12,5 10,0 7,5 5,0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,312 0,512 0,904 0,622 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 2,5 0,0 0,00 10 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 9 0,25 0,50 0,75 1,00 1,25 VCE [V] 1,50 1,75 2,00 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L15R12W2H3_B27 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch) transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 30 30 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 25 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 25 20 IC [A] IC [A] 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 0 3,0 SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch) switchinglossesIGBT,3-Level(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=15Ω,RGoff=15Ω,VCE=350V 5 6 7 8 VGE [V] 9 10 11 SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch) switchinglossesIGBT,3-Level(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=15A,VCE=350V 1,2 2,00 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 1,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 1,75 1,50 0,8 E [mJ] E [mJ] 1,25 0,6 1,00 0,75 0,4 0,50 0,2 0,25 0,0 0 5 10 15 IC [A] 20 25 0,00 30 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 10 0 15 30 45 60 75 90 RG [Ω] 105 120 135 150 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L15R12W2H3_B27 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandIGBT,3-Level transientthermalimpedanceIGBT,3-Level ZthJH=f(t) SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,3-Level(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,3-Level(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=15Ω,Tvj=150°C 10 40 ZthJH: IGBT IC, Modul IC, Chip 35 30 IC [A] ZthJH [K/W] 25 1 20 15 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,142 0,309 0,719 0,58 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 5 0 10 DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch) forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical) IF=f(VF) 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 700 SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(IF) RGon=35Ω,VCE=350V 30 0,30 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 27 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,25 24 21 0,20 E [mJ] IF [A] 18 15 0,15 12 0,10 9 6 0,05 3 0 0,0 0,5 1,0 VF [V] 1,5 0,00 2,0 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 11 0 5 10 15 IF [A] 20 25 30 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L15R12W2H3_B27 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(RG) IF=15A,VCE=350V TransienterWärmewiderstandDiode,3-Level transientthermalimpedanceDiode,3-Level ZthJH=f(t) 0,30 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJH: Diode 0,25 ZthJH [K/W] E [mJ] 0,20 0,15 1 0,10 0,05 0,00 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,3013 0,7006 1,3873 0,9109 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0 30 60 90 0,1 0,001 120 150 180 210 240 270 300 RG [Ω] NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 12 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L15R12W2H3_B27 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 13 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L15R12W2H3_B27 VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CM dateofpublication:2013-11-25 approvedby:MB revision:2.0 14