TEMD5510FX01 Datasheet - - Japanese

TEMD5510FX01
Vishay Semiconductors
照度センサ
特長
• パッケージタイプ:表面実装
• パッケージ形態:トップビュー
• 寸法(長さ × 幅 × 高さ 単位:mm)
:5 x 4.24
x 1.12
• 受光領域(単位:mm2):7.5
• AEC-Q101 準拠
• 高い光反応性
• 人間の眼が持つ応答性と同等
• 近赤外線照射抑制フィルタ
• 指向半値角: = ± 65°
20535
• フロアライフ:72 時間、MSL 4、J-STD-020 に対応
• 鉛フリーリフローはんだ付け
• RoHS 指令 2002/95/EC および WEEE 2002/96/EC に準
拠
製品紹介
TEMD5510FX01 照 度 セ ン サ は、小 型 表 面 実 装デバイス
(SMD)に組み込まれた高感度な PIN フォトダイオードで
す。検出チップは、7.5 mm2 の受光領域を持っています。人
間の眼と同様に可視光線に対して優れた感度を持ち、ピー
ク感度は 540 nm に達します。
用途
•
•
•
•
•
自動車用センサ
照度センサ
バックライト減光スイッチ
ノートブック
コンピュータ
製品概要
型名
TEMD5510FX01
 (deg)
0.5 (nm)
± 65
430 ∼ 610
パッケージ
備考
パッケージ形態
テープおよびリール
MOQ:1500 個、1500 個 / リール
トップビュー
Ira (µA)
26
注:
試験条件については、「基本特性」の表を参照してください。
オーダー情報
オーダーコード
TEMD5510FX01
注:
MOQ:最小発注量
絶対最大定格
パラメータ
試験条件
VR
値
16
単位
V
PV
215
mW
Tj
100
°C
使用温度範囲
Tamb
- 40 ∼ + 100
°C
保存温度範囲
Tstg
°C
K/W
逆電圧
許容損失
Tamb 25 °C
ジャンクション温度
はんだ付け温度
熱抵抗ジャンクション / 雰囲気
SYMBOL
リフローはんだ付けプロファイルの図 5 に準拠
Tsd
- 40 ∼ + 110
260
次のサイズのパッドを使用した PCB 上へのはんだ付
け:4 mm x 4 mm
RthJA
350
°C
注:
特に指定がない限り Tamb = 25°C
** 「Vishay Material Category Policy (www.vishay.com/doc?99902)」を参照してください。
Document Number: 81985
Rev. 1.5, 28-Oct-11
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467
本文書は、予告なしに変更される場合があります。ここに記載された製品および本文書は、ビシェイ社の免責条項に基づいています。詳細はビシェイ社の
ウェブサイト(www.vishay.com/doc?99900 )をご参照ください。
TEMD5510FX01
照度センサ
Vishay Semiconductors
基本特性
パラメータ
試験条件
IR = 100 μA, E = 0
耐圧
逆方向暗電流
SYMBOL
MIN.
16
V(BR)
TYPICAL
MAX.
単位
V
30
nA
VR = 10 V, E = 0
Iro
2
VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CD
1600
pF
VR = 3 V, f = 1 MHz, E = 0
CD
730
pF
Ee = 1 mW/cm2, l = 550 nm,
VR = 5 V
Ira
26
μA
Ev = 100 lx, CIE 光源 A,
VR = 5 V
Ira
Ev = 100 lx, CIE illuminant A,
VR = 5 V
TKIra
0.2
%/K
指向半値角
j
± 65
deg
ピーク感度波長
lp
540
nm
l 0.5
430 ∼ 610
nm
ダイオード静電容量
逆方向光電流
Ira の温度係数
スペクトルバンド幅の範囲
0.8
1
1.4
μA
注:
特に指定がない限り Tamb = 25 °C
基本特性
特に指定がない限り Tamb = 25°C
1.0
Relative Spectral Sensitivity
100
10
VR = 10 V
0.8
human eye
0.6
0.4
0.2
1
20
40
60
Tamb - Ambient Temperature (°C)
94 8403
0.0
400
100
80
Photodiode
600
図 1 - 逆方向暗電流 VS. 周囲温度
0°
10
CIE Illuminant A
VR = 5 V
Srel - Relative Sensitivity
100
1
1000
図 3 - 分光感度特性
1000
Ira - Photocurrent (µA)
800
Wavelength (nm)
20047
10
°
20
°
30°
40°
1.0
0.9
50°
0.8
60°
70°
0.7
ϕ - Angular Displacement
Iro - Reverse Dark Current (nA)
1000
80°
0.1
10
20080
100
1000
Ev - Illuminance (lx)
図 2 - 逆方向光電流 VS. 放射照度
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468
10000
0.6
0.4
0.2
0
94 8406_1
図 4 - 相対放射感度 VS. 角変位
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TEMD5510FX01
照度センサ
Vishay Semiconductors
パッケージ寸法単位:ミリメートル[mm]
Drawing-No.: 6.541-5060.01-4
Issue: 3; 05.02.08
Not indicated tolerances ± 0.1
20536
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TEMD5510FX01
Vishay Semiconductors
照度センサ
テープ寸法単位:ミリメートル[mm]
20537
リール寸法単位:ミリメートル[mm]
20874
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470
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照度センサ
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はんだ付けプロファイル
ドライパック
300
250
Temperature (°C)
max. 260 °C
245 °C
255 °C
240 °C
217 °C
200
フロアライフ
max. 30 s
150
max. 100 s
max. 120 s
100
max. ramp up 3 °C/s max. ramp down 6 °C/s
50
0
0
50
19841
100
150
200
250
300
Time (s)
図 5 - 鉛フリーリフローはんだ付けプロファイル
J-STD-020D に準拠
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水分の吸収を防止するため、デバイスは水分遮断バッグ
(MBB)に詰めて輸送および保管されています。それぞれの
バッグには乾燥剤が同封されています。
MBB
から取り出してからはんだ付けまでの時間は、
J-STD-020 に示される時間を超えてはなりません。
MSL:レベル 4
フロアライフ:72 時間
条件:Tamb < 30 °C、RH < 60 %
乾燥
水分が吸収されている場合は、はんだ付けを行う前にデバ
イ ス を 加 熱 し 乾 燥 さ せ て く だ さ い。条 件 に つ い て は、
J-STD-020 または推奨条件:
192 時間、40°C (+ 5°C)、RH < 5 %
または
96 時間、60 °C (+ 5 °C)、RH < 5 % に従ってください。
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一切の黙示保証を、法律により許される最大限の範囲において拒否します。
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ます。データシートまたは仕様書に記載されているパラメータは、違う用途では異なることが有り、性能は時間の経過と共に
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使用が許諾されることはありません。本書に示された製品名や表示は、その所有者の商標である場合があります。
欧州指令に つ い て
ビシェイ・インターテクノロジー社は、RoHS に準拠するすべての製品は、電気・電子機器(EEE)における特定の有害物質
の使用を規制する欧州議会及び理事会による新指令(Directive 2011/65/EU of The European Parliament and of the Council
of June 8, 2011)に適合することをここに証明します。ただし、準拠しないと明記されている場合を除きます。
ビシェイ社の資料によっては、RoHS 指令 2002/95/EC に適合と記述するものがあります。指令 2002/95/EC に適合するすべ
ての製品は、指令 2011/65/EU にも適合することをここに証明します。
ビシェイインターテクノロジー社は、同社の製品すべてが JEDEC JS709A に準拠するハロゲンフリーであることをこの書面
にて証明します。ビシェイ社製品の文献の中には、IEC 61249-2-21 の定義が残るものもありますが、これら製品はすべて
JEDEC JS709A に準拠します。
Revision: 02-Oct-12
1
Document Number: 99900