ZMY1

ZMY1, ZMY3.0G ... ZMY9.1G, ZMY10 ... ZMY200
ZMY1, ZMY3.0G ... ZMY9.1G, ZMY10 ... ZMY200
Ptot = 1 W, 1.3W
VZ = 1 V ... 200 V
Tjmax = 150°C, 175°C
SMD Zener Diodes
SMD Zener-Dioden
Version 2016-03-21
~ DO-213AB
Glass MELF
(planar)
~ DO-213AB
Plastic MELF
(non-planar)
0.4
0.1
2.5 +_ 0.2
0.4
Type
Typ
5.0±0.3
0.5
_
0.4
5.0±0.2
0.5
_
0.4
White cathode mark
Type: Zxx where xx = VZ
Weiße Kath.markierung
Typ: Zxx mit xx = VZ
Dimensions - Maße [mm]
Typische Anwendungen
Spannungsstabilisierung/-regler
(Für Überspannungsschutz
– uni-und bidirektional – siehe
TVS-Diodenreihe TGL41)
Standardausführung 1)
Features
ZMY...G: Low leakage current
Sharp Zener voltage breakdown
ZMY...: High power dissipation
VZ up to 200 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
ZMY...G: Niedriger Sperrstrom
Scharfer Zenerabbruch
ZMY...: Hohe Leistungsfähigkeit
VZ bis zu 200 V
Konform zu RoHS, REACH,
Pb
Konfliktmineralien 1)
RoHS
EE
WE
Blue cathode ring
Type on label only
Blauer Kathodenring
Typ nur auf Etikett
Typical Applications
Voltage stabilization/regulators
(For overvoltage protection
– uni- and bi-directional – see
TVS diodes TGL41 series)
Commercial grade 1)
EL
V
ZMY...
2.5±0.2
ZMY...G
Mechanical Data 1)
Taped and reeled
Weight approx.
Mechanische Daten 1)
5000 / 13“
Gegurtet auf Rolle
0.12 g
Gewicht ca.
Plastic case material
UL 94V-0
Plastik-Gehäusematerial
Solder & assembly
conditions
260°C/10s
MSL = 1
Löt- und
Einbaubedingungen
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Power dissipation
Verlustleistung
ZMY3.0G ... 9.1G
TA = 25°C
Ptot
1.0 W 3)
ZMY1, ZMY10 ... 200
TA = 50°C
Ptot
1.3 W 3)
Non repetitive peak pulse power, t < 1 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 1 ms
ZMY3.0G ... 9.1G
TA = 25°C
PZSM
N/A
ZMY1, ZMY10 ... 200
TA = 25°C
PZSM
40 W
Operating junction temperature
Sperrschichttemperatur
ZMY3.0G ... 9.1G
Tj
-50...+175°C
ZMY1, ZMY10 ... 200
Tj
-50...+150°C
TS
-50...+175°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics
Kennwerte
Thermal resistance junction-ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
ZMY3.0G ... 9.1G
RthA
< 150 K/W 3)
ZMY1, ZMY10 ... 200
RthA
< 45 K/W 3)
Thermal resistance junction-terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
ZMY3.0G ... 9.1G
RthT
< 70 K/W
ZMY1, ZMY10 ... 200
RthT
< 10 K/W
45
1
2
3
4
5
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Lötpads je Anschluss
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
The ZMY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole.
Die ZMY1 ist eine in Durchlass betriebene Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index “F” anstatt “Z” zu setzen.
Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ZMY1, ZMY3.0G ... ZMY9.1G, ZMY10 ... ZMY200
Characteristics
Kennwerte
(Tj = 25°C unless otherwise specified)
Type
Typ
Zener voltage 4)
Zener-Spannung 4)
IZ = IZtest
(Tj = 25°C wenn nicht anders spezifiziert)
Test current
Mess-Strom
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
IZtest / f = 1 kHz
Temp. Coeffic.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 1 μA
Z-current 3)
Z-Strom 3)
TA = 50°C
Vzmin [V]
Vzmax [V]
IZtest [mA]
rzj [Ω]
αVZ [10-4 /°C]
VR [V]
IZmax [mA]
ZMY1 )
0.71
0.82
100
0.5 (<1)
–26…–16
–
1000
ZMY3.0G
2.8
3.2
100
5 (<8)
–8…+1
–
313
ZMY3.3G
3.1
3.5
100
5 (<8)
–8…+1
> 0.7 / 150 µA
286
ZMY3.6G
3.4
3.8
100
5 (<8)
–8…+1
> 0.7 / 100 µA
263
ZMY3.9G
3.7
4.1
100
4 (<7)
–7…+2
> 0.7 / 100 µA
244
ZMY4.3G
4.0
4.6
100
4 (<7)
–7…+3
> 0.7 / 50 µA
217
ZMY4.7G
4.4
5.0
100
4 (<7)
–7…+4
> 0.7 / 10 µA
200
ZMY5.1G
4.8
5.4
100
2 (<5)
–6…+5
> 0.7 / 10 µA
185
ZMY5.6G
5.2
6.0
100
1 (<2)
–3…+5
> 0.5 / 3 µA
167
ZMY6.2G
5.8
6.6
100
1 (<2)
–1…+6
> 1.5 / 500 nA
152
ZMY6.8G
6.4
7.2
100
1 (<2)
0…+7
> 2 / 500 nA
139
ZMY7.5G
7.0
7.9
100
1 (<2)
0…+7
> 3 / 500 nA
127
ZMY8.2G
7.7
8.7
100
1 (<2)
+3…+8
> 6 / 500 nA
115
ZMY9.1G
8.5
9.6
50
2 (<4)
+3…+8
> 7 / 500 nA
104
ZMY10
9.4
10.6
50
2 (<4)
+5…+9
>5
123
ZMY11
10.4
11.6
50
4 (<7)
+5…+10
>5
112
ZMY12
11.4
12.7
50
4 (<7)
+5…+10
>7
102
ZMY13
12.4
14.1
50
5 (<10)
+5…+10
>7
92
ZMY15
13.8
15.6
50
5 (<10)
+5…+10
> 10
83
ZMY16
15.3
17.1
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
76
ZMY18
16.8
19.1
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
68
ZMY20
18.8
21.2
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
61
ZMY22
20.8
23.3
25
6 (<15)
+6…+11
> 12
56
ZMY24
22.8
25.6
25
7 (<15)
+6…+11
> 12
51
ZMY27
25.1
28.9
25
7 (<15)
+6…+11
> 14
45
ZMY30
28
32
25
8 (<15)
+6…+11
> 14
41
ZMY33
31
35
25
8 (<15)
+6…+11
> 17
37
ZMY36
34
38
10
16 (<40)
+6…+11
> 17
34
ZMY39
37
41
10
20 (<40)
+6…+11
> 20
32
ZMY43
40
46
10
24 (<45)
+7…+12
> 20
28
ZMY47
44
50
10
24 (<45)
+7…+12
> 24
26
ZMY51
48
54
10
25 (<60)
+7…+12
> 24
24
ZMY56
52
60
10
25 (<60)
+7…+12
> 28
22
ZMY62
58
66
10
25 (<80)
+8…+13
> 28
20
ZMY68
64
72
10
25 (<80)
+8…+13
> 34
18
ZMY75
70
79
10
30 (<100)
+8…+13
> 34
16
ZMY82
77
88
10
30 (<100)
+8…+13
> 41
15
ZMY91
85
96
5
40 (<200)
+9…+13
> 41
14
ZMY100
94
106
5
60 (<200)
+9…+13
> 50
12
ZMY110
104
116
5
80 (<250)
+9…+13
> 50
11
ZMY120
114
127
5
80 (<250)
+9…+13
> 60
10
ZMY130
124
141
5
90 (<300)
+9…+13
> 60
9
ZMY150
138
156
5
100 (<300)
+9…+13
> 75
8
ZMY160
153
171
5
110 (<350)
+9…+13
> 75
8
ZMY180
168
191
5
120 (<350)
+9…+13
> 90
7
ZMY200
188
212
5
150 (<350)
+9…+13
> 90
6
5
3,4,5
3,4,5 Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
ZMY1, ZMY3.0G ... ZMY9.1G, ZMY10 ... ZMY200
102
120
[%]
[A]
ZMY10...200
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
60
1
ZMY3.0G...9.1G
40
10-1
20
IF
Ptot
0
0
TA
100
50
150
10-2
0.4
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
30a-(1a-1.1v)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
150
5,1
[mA]
8,2
6,8
6,2
4,7
IZ = 100 mA
100
5,6
Tj = 25°C
f = 1.0 MHz
VR = 0V
[pF]
9,1
7,5
ZMY3.0G...9.1G
4,3
3,9
3,6
50
ZMY10...200
3,3
3,0
IZ = 50 mA
IZ
0
0
VZ
4
5
7
2
3
6
8
[V]
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
10
Cj
VZ
10
18
24
30
36
43
51
56
[V]
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
62
68
75
82
91
100
IZmax
Tj = 25°C
IZT
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
1
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
3