SDB13HS, SDB14HS SDB13HS, SDB14HS VF [V] at / bei IF

SDB13HS, SDB14HS
SDB13HS, SDB14HS
SMD Low Barrier Schottky Rectifier Diodes
SMD Gleichrichterdioden mit niedriger Schottky-Barriere
IFAV = 1 A
VF1 < 0.47 V
Tjmax = 125°C
VRRM = 30, 40 V
IFSM = 4.4/5 A
Version 2015-09-23
Power SOD-323
0.85
1.4
0.6
0.15
0.6±0.2
0.5
2.5± 0.2
Typical Applications
Output Rectification in DC/DC
Converters, Polarity Protection,
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Ausgangsgleichrichtung in Gleichstromwandlern, Verpolschutz
Freilaufdioden
Standardausführung 1)
Features
Very low forward voltage drop
Ultra-small low profile package
High power dissipation
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Sehr niedrige Fluss-Spannung
Ultrakleine, flache Bauform
Hohe Leistungsabgabe
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
1.25±0.2
1.9± 0.2
Type
Code
3000 / 7“
Weight approx.
0.005 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
Dimensions - Maße [mm]
MSL = 1
Maximum ratings and characteristics 2)
Type
Typ
Gegurtet auf Rolle
Grenz- und Kennwerte 2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] at / bei IF [A]
Marking
Kennzeichnung
SDB13HS
30
< 0.47
1.0
A3
SDB14HS
40
< 0.52
0.7
U4
Power dissipation − Verlustleistung
Ptot
600 mW 3)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
1000 mA 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
0.9 A 3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
4.4/5 A
Tj
TS
-40...+125°C
-40...+125°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Mounted on P.C. board with 36 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 36 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SDB13HS, SDB14HS
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = 5 V
VR = VRRM
IR
IR
< 40 µA
< 200 µA
Typ. junction capacitance – Typ. Sperrschichtkapzität
VR = 10 V
f = 1 MHz
Cj
30 pF
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 170 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT
< 30 K/W 2)
10
10
[A]
[A]
1
1
Tj = 125°C
Tj = 125°C
10
10
-1
-1
Tj = 25°C
Tj = 25°C
10-2
10-2
IF
IF
SDB13HS
10-3
0
VF
0.2
0.3
0.4
0.5
SDB14HS
10-3
[V] 0.7
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
VF
0.2
0.3
0.4
0.5
[V] 0.7
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
120
100
[%]
SDB13HS
[mA]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 100°C
1
Tj = 75°C
60
Tj = 50°C
40
10
-1
20
IR
Tj = 25°C
10
IFAV
0
-2
0
VRRM
40
60
[%]
100
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
Mounted on P.C. board with 36 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 36 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Valid for the cathode terminal – Gültig für den Kathodenanschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG