LS4148

LS4148, LS4448
LS4148, LS4448
IFAV = 150...300 mA VRRM = 50...100 V
VF < 1.0 V
IFSM = 2000...4000 mA
Tjmax = 200°C
trr
< 4 ns
Small Signal SMD Switching Diodes
Ultraschnelle SMD-Kleinsignaldioden
Version 2015-10-27
0.3
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
Features
Quadro glass body
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
RoHS
Pb
Mechanische Daten 1)
Mechanical Data 1)
Taped and reeled
Dimensions - Maße [mm]
Besonderheiten
Quadro-Gehäusekörper
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
EL
V
Type
Typ
Typical Applications
Signal processing,
High-speed switching
Commercial grade 1)
EE
WE
3.5±0.1
0.3
~ SOD-80C
Glass Quadro-MiniMELF
2500 / 7“
Weight approx.
Gegurtet auf Rolle
0.04 g
Solder & assembly conditions
Gewicht ca.
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
LS4148, LS4448
Power dissipation − Verlustleistung
Ptot
500 mW 2)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
150 mA 3)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
IFRM
300 mA 3)
IFSM
IFSM
500 mA 3)
2A
VR
75 V
VRRM
100 V
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Reverse voltage – Sperrspannung
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
-55...+175°C
-55…+175°C
Kennwerte (Tj = 25°C)
LS4148
IF = 50 mA
VF
< 1.0 V
LS4448
IF = 5 mA
IF = 100 mA
VF
VF
0.62...0.72 V
<1V
Leakage current – Sperrstrom 3)
VR = 20 V
VR = 75 V
IR
IR
< 25 nA
< 5 µA
Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C 4)
VR = 20 V
VR = 75 V
IR
IR
< 30 µA
< 50 µA
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
LS4148, LS4448
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
4 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 4 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
These diodes are also available in other case styles
Diese Dioden sind auch in anderen Gehäuseformen lieferbar
< 300 K/W 3)
DO-35
MiniMELF
Q-MicroMelf
SOD-123
SOD-323
SOT-363
=
=
=
=
=
=
1N4148
LL4148
MCL4148'
1N4148W
1N4148WS
MMBD4448SDW
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
-2
10
60
40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
10-4
[°C]
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG