1N4148W, 1N4448W 1N4148W, 1N4448W Surface Mount Small Signal Diodes Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2009-01-28 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.7 0.1 0.6 Type Code Repetitive peak reverse voltage eriodische Spitzensperrspannung 75 V Plastic case – Kunststoffgehäuse SOD-123 Weight approx. – Gewicht ca. 1.6 0.6 400 mW 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 3.8 Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) 1N4148W, 1N4448W Power dissipation − Verlustleistung Ptot 400 mW 1) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 150 mA 1) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 1) IFSM IFSM 500 mA 1) A Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 75 V Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung VRSM 100 V Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Non repetitive peak forward surge current toßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s p ≤ 1 µs Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage urchlass-Spannung 1N4148W IF = 10 mA VF < 1.0 V 1N4448W IF = 5 mA F = 100 mA VF F 0.62...0.72 V 1V Leakage current – Sperrstrom ) VR = 20 V R = 75 V IR IR < 25 nA 5 µA Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C 2) VR = 20 V R = 75 V IR IR < 30 µA 50 µA CT 4 pF 2 Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient air ärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 Trr RthA < 4 ns < 400 K/W 1) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N4148W, 1N4448W Marking – Stempelung 1N4148W = W1 / T4 / T6 1) 1N4448W = T5 / W1 1) These diodes are also available in other case styles Diese Dioden sind auch in anderen Gehäuseformen lieferbar DO-35 MiniMELF Q-MiniMELF Q-MicroMelf SOD-323 = = = = = 1N4148 LL4148 LS4148 MCL4148 1N4148WS 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 Tj = 125°C -2 10 60 40 Tj = 25°C 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Alternatively used. The complete part number is given on the package label. Alternativ verwendet. Die vollständige Artikel-Nr. ist auf dem Verpackungsetikett angegeben. http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG