DIOTEC LS4148_07

LS4148, LS4448
LS4148, LS4448
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2006-10-30
Power dissipation
Verlustleistung
500 mW
0.3
Glass case Quadro-MiniMELF
Glasgehäuse Quadro-MiniMELF
0.3
Weight approx.
Gewicht ca.
Type
Typ
3.5±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Dimensions - Maße [mm]
100 V
~ SOD-80
0.04 g
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
LS4148, LS4448
Power dissipation − Verlustleistung
Ptot
500 mW 1)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
150 mA 1)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
IFRM
300 mA 1)
IFSM
IFSM
500 mA 1)
2A
VR
75 V
VRRM
100 V
Tj
TS
-55...+175°C
-55…+175°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Reverse voltage – Sperrspannung
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Kennwerte (Tj = 25°C)
LS4148
IF = 50 mA
VF
< 1.0 V
LS4448
IF = 5 mA
IF = 100 mA
VF
VF
0.62...0.72 V
<1V
Leakage current – Sperrstrom 2)
VR = 20 V
VR = 75 V
IR
IR
< 25 nA
< 5 µA
Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C 2)
VR = 20 V
VR = 75 V
IR
IR
< 30 µA
< 50 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
4 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
< 4 ns
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
LS4148, LS4448
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
These diodes are also available in other case styles
Diese Dioden sind auch in anderen Gehäuseformen lieferbar
< 300 K/W 1)
DO-35
MiniMELF
Q-MicroMelf
SOD-123
SOD-323
= 1N4148
= LL4148
= MCL4148
= 1N4148W
= 1N4148WS
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
-2
10
60
40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
Ptot
0
-4
0
TA
50
100
150
[°C]
10
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
1
2
http://www.diotec.com/
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
© Diotec Semiconductor AG