DBI20-04B ... DBI20-16B DBI20-04B ... DBI20-16B Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter Version 2015-01-29 35 ±0.2 ±0.2 5.5 ±0.2 4.0 ±0.2 25±0.2 16 1.5 2.0 1.0 4x7.5 400...1600 V Plastic case – Plastikgehäuse 35 x 25 x 4 [mm] Pinning – Anschlussfolge -0.3 4 16.5 20 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Type 3.5 Nominal current Nennstrom 1.3 + ~~~ – Weight approx. – Gewicht ca. 4±0.2 0.5 9g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Features Vorteile Solderable terminals for (automatic) PCB assembly Enlarged creepage and clearance for direct heatsink assembly Lötbare Anschlüsse für (automatisierte) Leiterplattenmontage Vergrößerte Luft- und Kriechstrecken für direkte Kühlkörpermontage Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) Surge peak reverse voltage Stoßpitzensperrspannung VRSM [V] 1) DBI20-04B 280 400 500 DBI20-08B 560 800 900 DBI20-12B 800 1200 1300 DBI20-16B 1000 1600 1700 Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 38 A 2) Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 200/210 A Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj TS 180 A2s -50...+150°C -50...+150°C Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DBI20-04B ... DBI20-16B Characteristics Kennwerte IFAV 3.0 A 1) R or C load IFAV 20 A Tj = 25°C IF = 20 A VF < 1.3 V 2) Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM IR IR < 10 µA 2) < 4 mA 2) Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V Thermal resistance junction to ambient (per diode) Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Diode) RthA < 50 K/W Thermal resistance junction to case (per diode) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Diode) RthC < 5.0 K/W Thermal resistance junction to case (per device) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Bauteil) RthC < 0.8 K/W Admissible mounting torque Zulässiges Anzugsdrehmoment M4 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm Max. current without cooling Dauergrenzstrom ohne Kühlung TA = 50°C Max. current mounted on heatsink Dauergrenzstrom bei Kühlkörpermontage TC = 100°C Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom 103 120 [%] [A] 100 102 80 10 60 Tj = 25°C Tj = 125°C 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 1 2 2 240a-(10a-1,1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG