DBI25-18A

DBI25-18A
DBI25-18A
Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers
Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter
Version 2015-01-29
35
±0.2
±0.2
5.5
±0.2
4.0
±0.2
25±0.2
16
1.5
2.0
35 x 25 x 4 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
1.3
4±0.2
1.0
0.5
4x7.5
1800 V
Plastic case – Plastikgehäuse
-0.3
4
16.5
25 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Type
3.5
Nominal current
Nennstrom
Dimensions - Maße [mm]
9g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Enlarged creepage and clearance for easy heatsink assembly
Vergrößerte Luft- und Kriechstrecken für vereinfachte Kühlkörpermontage
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Max. alternating input voltage Repetitive peak reverse voltage
Max. Eingangswechselspg.
Periodische Spitzensperrspannung
VVRMS [V]
VRRM [V] 1)
DBI25-18A
1100
Surge peak reverse
voltage
Stoßspitzensperrspg.
VRSM [V] 1)
1800
1800
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
74 A 2)
Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
370/390 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
680 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Operating temperature – Betriebstemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Tj
Top
TS
-50...+150°C
150°C
-50...+150°C
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
DBI25-18A
Characteristics
Kennwerte
IFAV
4.0 A 1)
R or C load
IFAV
IFAV
IFAV
IFAV
40
25
15
6
Tj = 25°C
IF = 12.5 A
VF
< 1.05 V 2)
Tj = 25°C
Tj = 150°C
VR = VRRM
IR
IR
< 10 µA
< 1500 µA
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
VISO
> 2500 V
Thermal resistance junction to ambient (per diode)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Diode)
RthA
< 50 K/W
Thermal resistance junction to case (per diode)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (pro Diode)
RthC
< 4.3 K/W
Admissible mounting torque
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M4
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
Max. current without cooling
Dauergrenzstrom ohne Kühlung
TA = 50°C
Max. current mounted on heatsink
Dauergrenzstrom bei Kühlkörpermontage
TC
TC
TC
TC
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
120
=
=
=
=
85°C
115°C
130°C
145°C
A
A
A
A
10
3
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
102
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
10
0
TC
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
1
2
2
350a-(12.5a-1,05v)
-1
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Valid per diode – Gültig pro Diode
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG