DBI25-04A ... DBI25-16A DBI25-04A ... DBI25-16A Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter Version 2011-07-19 35 ±0.2 ±0.2 5.5 ±0.2 4.0 16 16.5 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 400...1600 V 35 x 25 x 4 [mm] Pinning – Anschlussfolge 1.5 -0.3 4 2.0 3.5 25 A Plastic case – Plastikgehäuse ±0.2 25±0.2 Type Nominal current – Nennstrom 1.3 4 1.0 ±0.2 0.5 4x7.5 Dimensions - Maße [mm] – ~~~ + Weight approx. – Gewicht ca. 9g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Features Vorteile Solderable terminals for (automatic) PCB assembly Enlarged creepage and clearance for direct heatsink assembly UL Recognized Product – File E175067 Lötbare Anschlüsse für (automatisierte) Leiterplattenmontage Vergrößerte Luft- und Kriechstrecken für direkte Kühlkörpermontage UL anerkanntes Produkt – File Nr. E175067 Maximum ratings and Characteristics Type Typ Grenz- und Kennwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspg. VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspg. VRRM [V] 1) Surge peak reverse volt. Stoßpitzensperrspannung VRSM [V] 1) DBI25-04A 280 400 500 DBI25-08A 560 800 900 DBI25-12A 800 1200 1300 DBI25-16A 1000 1600 1700 Max. current without cooling – Dauergrenzstrom ohne Kühlung TA = 50°C IFAV 4.0 A 2) Max. current mounted on heatsink Dauergrenzstrom bei Kühlkörpermontage (R or C load) TC TC TC TC IFAV IFAV IFAV IFAV 40 25 15 6 Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 74 A 2) Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 370/390 A Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t = = = = 85°C 115°C 130°C 145°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Operating temperature – Betriebstemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj Top TS A A A A 680 A2s -50...+175°C 150°C -50...+150°C Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DBI25-04A ... DBI25-16A Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 12.5 A VF < 1.05 V 1) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 150°C VR = VRRM IR IR < 10 µA 1) < 1500 µA 1) Isolation voltage terminals to case – Isolationsspg. Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V Thermal resist. junction to ambient – Wärmewiderst. Sperrschicht – Umgebung RthA < 50 K/W 1) Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 4.3 K/W 1) Admissible mounting torque Zulässiges Anzugsdrehmoment M4 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm 120 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TC 50 100 150 [°C] 350a-(12.5a-1,05v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 100 [%] 10 Zth Rth 1 10-4 [s] 10-3 10-2 10-1 1 [tp] Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical) Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch) 1 2 10 Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG