S2D-Q ... S2M-Q S2D-Q ... S2M-Q Surface Mount Silicon Rectifier Diodes (AEC-Q101) Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage (AEC-Q101) Version 2014-09-09 Nominal Current – Nennstrom 2.2 ± 0.2 2.1± 0.1 5.4± 0.5 0.15 3.7 Type Typ 4.6 Reverse voltage – Sperrspannung 200...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ SMB ~ DO-214AA Weight approx. – Gewicht ca. 0.1 g 2 ± 0.3 1.1 2A Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert ± 0.5 Dimensions - Maße [mm] Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings and characteristics Type Typ Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] S2D-Q 200 200 S2G-Q 400 400 S2J-Q 600 600 S2K-Q 800 800 S2M-Q 1000 1000 Max. average forw. rectified current – Dauergrenzstr. in Einwegschaltung TT = 100°C IFAV 2 A 1) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 2) Surge current, 50/60 Hz half sine – Stoßstrom 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 50/55 A Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C it 12 A2s TS Tj -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 2 Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 2 A VF < 1.15 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 1 µA < 100 µA Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung RthA < 50 K/W 2) Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss RthT < 15 K/W 1 2 R-load – R-Last Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 S2D-Q ... S2M-Q 102 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10 -1 20 IF 10 0.4 IFAV 50a-(1a-1.1v) -2 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 0 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 0 TT 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 102 100 [pF] Tj = 125°C [µA] 80 101 Tj = 100°C 60 1 40 Tj = 25°C 10-1 20 IR Cj 10-2 0 0 VRRM 40 60 80 VR 100 [%] [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.) Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung 2 10 [A] 10 îF 1 1 10 2 10 [n] 10 3 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG