S2A-Q

S2D-Q ... S2M-Q
S2D-Q ... S2M-Q
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes (AEC-Q101)
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage (AEC-Q101)
Version 2014-09-09
Nominal Current – Nennstrom
2.2
± 0.2
2.1± 0.1
5.4± 0.5
0.15
3.7
Type
Typ
4.6
Reverse voltage – Sperrspannung
200...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ SMB
~ DO-214AA
Weight approx. – Gewicht ca.
0.1 g
2
± 0.3
1.1
2A
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
± 0.5
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings and characteristics
Type
Typ
Grenz- und Kennwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
S2D-Q
200
200
S2G-Q
400
400
S2J-Q
600
600
S2K-Q
800
800
S2M-Q
1000
1000
Max. average forw. rectified current – Dauergrenzstr. in Einwegschaltung TT = 100°C
IFAV
2 A 1)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
10 A 2)
Surge current, 50/60 Hz half sine – Stoßstrom 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
50/55 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
it
12 A2s
TS
Tj
-50...+150°C
-50...+150°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
2
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 2 A
VF
< 1.15 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 1 µA
< 100 µA
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
RthA
< 50 K/W 2)
Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
RthT
< 15 K/W
1
2
R-load – R-Last
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
S2D-Q ... S2M-Q
102
120
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10
-1
20
IF
10
0.4
IFAV
50a-(1a-1.1v)
-2
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
0
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0
TT
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
102
100
[pF]
Tj = 125°C
[µA]
80
101
Tj = 100°C
60
1
40
Tj = 25°C
10-1
20
IR
Cj
10-2
0
0
VRRM
40
60
80
VR
100 [%]
[V]
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
2
10
[A]
10
îF
1
1
10
2
10
[n]
10
3
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
2
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