DIOTEC S2Y

S2A ... S2Y
S2A ... S2Y
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2010-12-06
Nominal Current – Nennstrom
2.2± 0.2
2.1± 0.1
5.4± 0.5
0.15
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...2000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ SMB
~ DO-214AA
Weight approx. – Gewicht ca.
2
3.7± 0.1
1.1
2A
± 0.5
5
Dimensions - Maße [mm]
0.1 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
S2A
50
50
S2B
100
100
S2D
200
200
S2G
400
400
S2J
600
600
S2K
800
800
S2M
1000
1000
S2T
1300
1300
S2W
1600
1600
S2X
1800
1800
S2Y
2000
2000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
2A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
10 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
50/55 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
12 A2s
Tj
-50...+150°C
-50...+150°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
TS
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
S2A ... S2Y
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 2 A
VF
< 1.15 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 100 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 50 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT
< 15 K/W
102
120
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10
-1
20
IF
IFAV
0
0
TT
100
50
150
[°C]
50a-(1a-1.1v)
10-2
0.4
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
2
10
[A]
10
îF
1
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
2
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG