S2A ... S2Y S2A ... S2Y Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2010-12-06 Nominal Current – Nennstrom 2.2± 0.2 2.1± 0.1 5.4± 0.5 0.15 Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...2000 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ SMB ~ DO-214AA Weight approx. – Gewicht ca. 2 3.7± 0.1 1.1 2A ± 0.5 5 Dimensions - Maße [mm] 0.1 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] S2A 50 50 S2B 100 100 S2D 200 200 S2G 400 400 S2J 600 600 S2K 800 800 S2M 1000 1000 S2T 1300 1300 S2W 1600 1600 S2X 1800 1800 S2Y 2000 2000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 2A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 50/55 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 12 A2s Tj -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 TS Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 S2A ... S2Y Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 2 A VF < 1.15 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 100 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 50 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 15 K/W 102 120 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10 -1 20 IF IFAV 0 0 TT 100 50 150 [°C] 50a-(1a-1.1v) 10-2 0.4 Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 10 [A] 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 2 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG