DIOTEC S1T

S1A ... S1Y
S1A ... S1Y
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2011-05-31
Nominal current – Nennstrom
2.2± 0.2
2.1± 0.1
5± 0.2
0.15
Type
Typ
4.5
1.5
2.7± 0.2
1± 0.3
1A
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ SMA
~ DO-214AC
Weight approx. – Gewicht ca.
0.07 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
± 0.3
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics 1)
Type
Typ
Grenz- und Kennwerte 1)
(Repetitive) Peak reverse voltage
(Periodische-)Spitzensperrspannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
VRRM [V] / VRSM [V]
VF [V] @ IF = 1A
IR [µA] @ VRRM
IR [µA] @ VRRM
S1A
50
< 1.1
<5
< 50
S1B
100
< 1.1
<5
< 50
S1D
200
< 1.1
<5
< 50
S1G
400
< 1.1
<5
< 50
S1J
600
< 1.1
<5
< 50
S1K
800
< 1.1
<5
< 50
S1M
1000
< 1.1
<5
< 50
S1T
1300
< 1.1
<5
< 50
S1W
1600
< 1.1
<5
< 50
S1X
1800
< 1.1
<5
< 50
S1Y
2000
< 1.1
<5
< 50
Tj = 100°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
1A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
6 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
30/32 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapzität
VR = 4 V
Cj
typ. 12 pF
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Thermal resistance junction-ambient − Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
RthA
RthT
< 70 K/W 2)
< 30 K/W
1
2
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
S1A ... S1Y
102
120
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
20
IF
IFAV
0
0
TT
100
50
150
10-2
0.4
[°C]
30a-(1a-1.1v)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
10
2
100
[µA]
Tj = 125°C
10
1
[%]
Tj = 100°C
1
10
10-1
ZthA
RthA
Tj = 25°C
IR
10
-2
0
VRRM
40
60
80
100 [%]
1 0.01 [s]
0.1
1
10
102
[tp]
Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical)
Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch)
103
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
25
102
[pF]
20
[A]
15
10
10
îF
5
1
Cj
0
VR
[V]
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
2
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