RA32Z39 RA32Z39 Silicon Protectifiers® with TVS characteristic – Button Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Knopf-Zellen 6.2 4.2 ±0.2 Version 2014-07-30 Nominal current Nennstrom 32 A Nominal breakdown voltage Nominale Abbruchspannung 39 V Plastic case Kunststoffgehäuse Button 1.9 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 5.6 8.5 Weight approx. Gewicht ca. Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ RA32Z39 Grenzwerte Breakdown voltage Abbruchspannung IT = 100 mA 1) Reverse voltage Sperrspannung IR = 1 µA 1) VBRmin [V] VBRmax [V] VR [V] 35 42 > 30 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 150°C Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 IFAV 32 A IFSM 270/300 A i2t 375 A2s Tj TS -50...+215°C -50...+215°C Tj = 25°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 RA32Z39 Characteristics Kennwerte Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 100 A VF < 1.2 V 1) Leakage current – Sperrstrom Tj = 150°C VR = 30 V IR < 500 µA Clamping voltage Begrenzerspannung Tj = 25°C VC < 56.4 V 2) RthC < 0.8 K/W Ipp = 80 A Thermal resistance junction to case (terminal) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (Anschluss) 120 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 2 10 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TC 50 100 150 200 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 270a-(25a-1,1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 103 [A] 102 îF 10 1 1 2 2 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz Tested with pulses tp = 100 ms – Gemessen mit Impulsen tp = 100 ms 10/1000µs pulse – 10/1000 µs Impuls http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG