RA2505

RA2505 ... RA2510
RA2505 ... RA2510
Silicon-Rectifiers – Button Diodes
Silizium-Gleichrichter – Knopf-Zellen
Version 2014-07-30
6.2
4.2
±0.2
Nominal current
Nennstrom
25 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50 ... 1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Button
5.6
8.5
Weight approx.
Gewicht ca.
1.9 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose
Dimensions - Maße [mm]
Marking:
Kennzeichnung:
Colored ring denotes “cathode”
Farbiger Ring kennzeichnet “Kathode”
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
RA2505
50
50
RA251
100
100
RA252
200
200
RA254
400
400
RA256
600
600
RA258
800
800
RA2510
1000
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 110°C
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
IFAV
25 A
IFSM
375/400 A
i2t
680 A2s
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1
RA2505 ... RA2510
Characteristics
Kennwerte
Forward Voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 80 A
VF
< 1.1 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 250 µA
RthC
< 1.0 K/W
Thermal resistance junction to case (terminal)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (Anschluss)
120
10
3
[%]
[A]
100
102
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
10
375a-(25a-1,1v)
-1
0
0
TC
100
50
150
[°C]
0.4
VF
1.0
0.8
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
3
10
[A]
102
îF
10
(375a-25a)
1
10
2
10
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
2
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