KT20A120,KT20K150 KT20A120,KT20K150 Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage protection Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz Version 2013-05-07 Nominal current Nennstrom ±0.3 2.8 4 1 ±0.3 3 4 ±0.3 ±0.1 1.3 13.9 ±0.1 0.42 8.7 Type Typ 1 2.67±0.2 ±0.2 A Stand off voltage Sperrspannung 3 Plastic case Kunststoffgehäuse K Weight approx. Gewicht ca. 3 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert ±0.3 Ø 3.8 4 ±0.3 10.1 3.9 ±0.2 4.5 14.9±0.7 1.2±0.2 ±0.2 0.8 1 20 A 5.08±0.1 120...150 V TO-220AC 1.8 g Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Low forward losses, high reverse pulse power capability Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Rückwärts-Pulsbelastbarkeit Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C) Type / Typ Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C) Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at/bei VWM Breakdown voltage Abbruch-Spannung K A (Standard) (Reverse) VWM [V] ID [µA] VBR min [V] @ IT [mA] KT20K120 KT20A120 120 5 150 KT20K150 KT20A150 150 5 160 Polarity / Polarität Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5A IF = 20A 5 < 0.85 < 0.98 5 < 0.85 < 0.98 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 20 A Total steady state power dissipation Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb TC = 100°C Ptot 25 W Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 70 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 350/385 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 612 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+175°C +200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 1.5 K/W 1 1 Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 KT20A120,KT20K150 Characteristics Kennwerte Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VWM ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung C = 100pF R = 1.5kΩ IR < 5 µA 20 kV Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung 10/1000µs pulse 1) TA = 25°C PPPM 750 W Max. reverse peak pulse current Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung 8/20µs pulse 2) IPPM 200 A Reverse recovery time Sperrverzug TA = 25°C IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A 120 trr < 300 ns 103 [%] [A] 100 Tj = 125°C 2 10 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 10 400a-(5a-0,8v) -1 0 0 TC 100 50 150 [°C] 0.4 VF tr = 10 µs 100 [%] [%] 80 80 60 IPPM/2 PPPM/2 40 2 1.4 [V] 1.8 PPPM/2 IPP 20 20 PPP PPP tP 0 t 1 2 3 0 [ms] 4 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform 1 2 1.2 IPPM/2 40 IPP 0 1.0 tr = 8 µs 100 60 0.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses tP 0 t 20 40 60 [µs] 8/20µs - pulse waveform 8/20µs - Impulsform See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs See curve IPP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 8/20µs http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG