GBUK8D GBUK8G

GBUK8D ... GBUK8G
GBUK8D ... GBUK8G
Protectifiers® – LowVF Bridge Rectifier with Overvoltage Protection
Protectifiers® – LowVF-Brückengleichrichter mit Überspannungsschutz
Version 2012-01-11
21.5
–
GBU ...
~ ~ +
140 V, 280 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
20.8 x 3.3 x 18 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
2.2
1.8
0.5+0.1
8A
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
±0.2
18.2±0.2
3.6
5.3
5.6
±0.1
1.7±0.1
3.4
Nominal current
Nennstrom
±0.7
7g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
- 0.1
1.1+0.2
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
5.08
Dimensions - Maße [mm]
Features
Vorteile
Low VF for reduced power losses
High inrush surge capability IFSM
Reverse overvoltage protection PPPM
UL Recognized Product – File E175067
Niedriges VF für reduzierte Verluste
Hoher Einschalt-Stromstoß IFSM
Sperrseitiger Überspannungsschutz PPPM
UL-anerkanntes Produkt – File Nr. E175067
Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C)
Type
Typ
Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C)
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom 1)
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
VVRMS [V]
ID [µA] @ VWM [V]
VBR [V]
@ IT [mA]
Forward voltage
Fluss-Spannung 1)
VF [V]
@ IF [A]
GBUK8D
< 140
<5
190
> 210
1
< 0.9
8
GBUK8G
< 280
<5
380
> 400
1
< 0.9
8
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
60 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
300/330 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
1
2
M3
450 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
< 3 K/W
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
GBUK8D ... GBUK8G
Characteristics
Kennwerte
ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge
ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung
C = 100pF
R = 1.5kΩ
10 kV
Reverse Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung in Sperr-Richtung
10/1000µs pulse 1)
TA = 25°C
PPPM
800 W
Max. forward peak pulse current
Max. Impuls-Strom in Fluss-Richtung
10/1000µs pulse 1)
TA = 25°C
IFPM
120 A
103
120
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
102
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
10-1
0.4
270a-(12a-1v)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
tr = 10 µs
100
[%]
80
60
IPPM/2
PPPM/2
40
IPP
20
PPP
0
tP
0
t
1
2
3
[ms] 4
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
1
2
See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs
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