TSK2520D2 TSK2520D2 Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage protection Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz Version 2009-05-08 0.4 4.5 10.25 -0.1 ±0.2 4 Type Typ 1 2 25 A Stand-off voltage Sperrspannung 20 V Plastic case Kunststoffgehäuse 3 TO-263AB (D²PAK) Weight approx. Gewicht ca. 1.3 0.8 0.4 Nominal Current Nennstrom 1.8 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 5.08 1 Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen 4 3 Dimensions - Maße [mm] Low forward losses, high reverse pulse power capability Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Rückwärts-Pulsbelastbarkeit Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C) Type Typ Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C) Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at/bei VWM VWM [V] ID [µA] VBR min [V] IT [mA] IF = 5A IF = 25A 20 200 22 5 < 0.45 < 0.55 TSK2520D2 Breakdown voltage Abbruch-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 25 A 1) Total steady state power dissipation Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb TC = 100°C Ptot 25 W Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 60 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 300/340 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 450 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur ... in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 Both anode pins need to be connected – Beide Anodenanschlüsse müssen kontaktiert werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 TSK2520D2 Characteristics Kennwerte Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VWM VR = VWM ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung C = 100pF R = 1.5kΩ IR IR < 200 µA < 15 mA 20 kV 1) Max. reverse peak pulse current Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung 10/1000µs pulse 2) TA = 25°C IPPM 18 A 1) Max. reverse peak pulse current Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung 8/20µs pulse 3) TA = 25°C IPPM 400 A 1) Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse trr RthC 120 4 ) < 1.5 K/W 102 [%] [A] 100 10 80 1 60 40 -1 10 20 IF IFAV 0 10-2 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses 1 2 3 4 2 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Both anode pins need to be connected – Beide Anodenanschlüsse müssen kontaktiert werden See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs See curve IPP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 8/20µs Comparable to a Schottky diode – Vergleichbar einer Schottky-Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG TSK2520D2 tr = 10 µs tr = 8 µs 100 100 [%] [%] 80 80 60 60 IPPM/2 PPPM/2 40 IPP 20 20 0 PPP tP 0 t PPPM/2 40 IPP PPP IPPM/2 1 2 3 [ms] 4 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform © Diotec Semiconductor AG 0 tP 0 t 20 40 60 [µs] 8/20µs - pulse waveform 8/20µs - Impulsform http://www.diotec.com/ 3