UGB8AT ... UGB8JT UGB8AT ... UGB8JT Superfast Efficient Rectifiers – Single Diode Superschnelle Hocheffizienz-Gleichrichter – Einzeldiode Version 2012-10-09 1.2 4.5 Nominal current Nennstrom 10.25 ±0.5 ±0.2 4 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Type Typ 1 2 0.8 TO-263AB D2 PAK (D2) Weight approx. Gewicht ca. 5.08 4 1.6 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert K 1 2 3 Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ 50...600 V Plastic case Kunststoffgehäuse 3 1.3 0.4 8A Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 8 A UGB8AT 50 50 < 0.9 < 1.0 UGB8BT 100 100 < 0.9 < 1.0 UGB8DT 200 200 < 0.9 < 1.0 UGB8GT 400 400 < 1.15 < 1.25 UGB8JT 600 600 < 1.6 < 1.75 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 8A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 22 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 112/125 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 62 A2s Tj -50...+150°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 TS Tj = 25°C Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 UGB8AT ... UGB8JT Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) trr [ns] 2) UGB8AT ... UGB8DT < 25 < 35 UGB8GT ... UGB8JT < 35 < 45 Tj = 25°C Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse < 5 µA RthC < 2.5 K/W 10 2 120 [%] [A] 100 10 80 Tj = 125°C Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 -2 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 1 2 2 200a-(5a-0.95v) 10 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A IF = 1.0 A, di/dt = -50 A/µs, VR = 30 V http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG