TGL200F06 … TGL200F10 TGL200F06 … TGL200F10 Series Connection of Fast Switching Blocking Diode and Transient Voltage Suppressor Reihenschaltung von schneller Sperrdiode und Spannungs-Begrenzer Version 2015-01-23 0.1 2.5 +_ 0.2 Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung 0.5 _ 0.4 Repetitive peak reverse voltage (blocking diode) Periodische Spitzensperrspannung (Sperrdiode) Type Typ Nominal breakdown voltage (voltage suppressor) Nominale Abbruchspannung (Spannungs-Begrenzer) Plastic case MELF Kunststoffgehäuse MELF 0.5 _ 0.4 5.0±0.3 300 W Dimensions - Maße [mm] Ring = voltage suppressor/ Spannungsbegrenzer 600...1000 V 200 V DO-213AB Weight approx Gewicht ca. 0.12 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Marking: When a positive voltage is applied to the contact marked by a ring, a 200 V breakdown can be measured; the ring does not specify the cathode of the blocking diode! Kennzeichnung: Bei Anlegen einer positiven Spannung an den mit Ring gekennzeichneten Anschluss kann der 200V Abbruch gemessen werden; der Ring kennzeichnet nicht die Kathode der Sperrdiode! Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte Steady state power dissipation Verlustleistung im Dauerbetrieb TA = 25°C PM(AV) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT Blocking diode 1 W 1) -50...+175°C -50...+175°C < 45 K/W < 10 K/W Sperrdiode Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung TGL200F06 TGL200F08 TGL200F10 VRRM VRRM VRRM Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 250 ns VR = VRRM IR < 5 µA Leakage current Sperrstrom 1 Tj = 25°C 600 V 800 V 1000 V Mounted on P. C. board with 25 mm² copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 TGL200F06 … TGL200F10 Transient Voltage Suppressor Spannungs-Begrenzer-Diode Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform, see curve) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs, siehe Kurve) Type Typ TA = 25°C Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at / bei VWM Breakdown voltage at IT = 1 mA Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA VWM [V] ID [µA] VBR [V] 162 5 TGL200Fxx 200 ± 10% 180...220 PPPM 300 W Max. clamping voltage Max. Begrenzer-Spannung at / bei IPPM (10/1000 µs) VC [V] IPPM [A] 287 1 120 [%] tr = 10 µs 100 100 [%] 80 80 60 60 40 40 IPP IPP 20 20 PPP PPP 0 0 0 TA 100 50 150 [°C] IPPM/2 PPPM/2 tP 0 1 2 3 [ms] 4 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform 1 Peak pulse power/current vs. ambient temperature ) Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.1) 1 102 [kW] 10 1 PPP 0.1 0.1µs tP 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form) Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls) 1 2 Mounted on P. C. board with 25 mm² copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG