TGL200F06

TGL200F06 … TGL200F10
TGL200F06 … TGL200F10
Series Connection of Fast Switching Blocking Diode and Transient Voltage Suppressor
Reihenschaltung von schneller Sperrdiode und Spannungs-Begrenzer
Version 2015-01-23
0.1
2.5 +_ 0.2
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
0.5
_
0.4
Repetitive peak reverse voltage (blocking diode)
Periodische Spitzensperrspannung (Sperrdiode)
Type
Typ
Nominal breakdown voltage (voltage suppressor)
Nominale Abbruchspannung (Spannungs-Begrenzer)
Plastic case MELF
Kunststoffgehäuse MELF
0.5
_
0.4
5.0±0.3
300 W
Dimensions - Maße [mm]
Ring = voltage suppressor/
Spannungsbegrenzer
600...1000 V
200 V
DO-213AB
Weight approx
Gewicht ca.
0.12 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Marking:
When a positive voltage is applied to the contact marked by a ring, a 200 V breakdown can be measured; the ring does not specify the cathode of the blocking diode!
Kennzeichnung:
Bei Anlegen einer positiven Spannung an den mit Ring gekennzeichneten Anschluss
kann der 200V Abbruch gemessen werden; der Ring kennzeichnet nicht die Kathode
der Sperrdiode!
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
TA = 25°C
PM(AV)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT
Blocking diode
1 W 1)
-50...+175°C
-50...+175°C
< 45 K/W
< 10 K/W
Sperrdiode
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
TGL200F06
TGL200F08
TGL200F10
VRRM
VRRM
VRRM
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
typ. 250 ns
VR = VRRM
IR
< 5 µA
Leakage current
Sperrstrom
1
Tj = 25°C
600 V
800 V
1000 V
Mounted on P. C. board with 25 mm² copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
TGL200F06 … TGL200F10
Transient Voltage Suppressor
Spannungs-Begrenzer-Diode
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform, see curve)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs, siehe Kurve)
Type
Typ
TA = 25°C
Stand-off voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM
Breakdown voltage at IT = 1 mA
Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA
VWM [V]
ID [µA]
VBR [V]
162
5
TGL200Fxx
200 ± 10%
180...220
PPPM
300 W
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei IPPM (10/1000 µs)
VC [V]
IPPM [A]
287
1
120
[%]
tr = 10 µs
100
100
[%]
80
80
60
60
40
40
IPP
IPP
20
20
PPP
PPP
0
0
0
TA
100
50
150
[°C]
IPPM/2
PPPM/2
tP
0
1
2
3
[ms] 4
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
1
Peak pulse power/current vs. ambient temperature )
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp.1)
1
102
[kW]
10
1
PPP
0.1
0.1µs
tP
1µs
10µs
100µs
1ms
10ms
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
1
2
Mounted on P. C. board with 25 mm² copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG