AG3A ... AG3M AG3A ... AG3M Silicon Rectifier Cells with Polysiloxane Cover Silizium-Gleichrichterzellen mit Polysiloxan-Abdeckung Version 2012-02-06 -0.2 Nominal current Nennstrom 3A Ø 5.4 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Weight approx. – Gewicht ca. Ø 4.6 0.3 g 2.3 max Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] AG3A 50 80 AG3B 100 130 AG3D 200 250 AG3G 400 450 AG3J 600 700 AG3K 800 1000 AG3M 1000 1300 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 3A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 30 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 150/165 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 110 A2s Tj -50...+125°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TS Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 3 A VF < 1.2 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA 1 Max. temperature of the cell T = 125°C – Max. Temperatur der Zelle T = 125°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1