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For IC package [SiC Power modules]
high heat resistance semiconductor encapsulation materials
Encapsulation Materials
封止材料
半導体パッケージ向け SiCパワーモジュール用高耐熱封止材
For SiC power modules
High heat resistance
Volume resistivity
SiC パワーモジュール対応
高耐熱
体積抵抗特性
Encapsulation Materials 封止材料
Proposals ご提案
1. Corresponding to the large current and high voltage
-Improving the volume resistivity characteristics
2. Corresponding to high Tj
-Ensuring the dielectric property in a high-temperature environment
1. 大電流・高耐圧化への対応
→体積抵抗特性の向上
2. 高Tjへの対応
→高温環境での誘電特性確保(高Tg化)
Applications 用途
Inverter for air conditioner and industrial equipment
Automotive DC-DC converter for automobiles
エアコン・産業機器用インバータ
自動車用DC-DCコンバータ
Power conditioner for solar cells
太陽電池用パワーコンディショナー
■ Trends and required performance
トレンドと求められる性能
■ Dielectric property (Tg dependence)
誘電特性
(Tg依存性)
Si
Wafer ウェハー
●Effective for high-temperature low dielectric constant and low dissipation factor
高温低誘電率・低誘電正接に有効
SiC
High-temperature, high-speed response 高温・高速応答性 (175→250℃)
5.5
Large current
大電流化
Increased heat resistance
高耐熱化
dielectric constant (ー)
High Tg
高Tg化
Use of Ni as L/F material
L/F材質Ni化
■ Evaluation of volume resistance (Tg dependence)
体積抵抗評価(Tg依存性)
dissipation factor (ー)
volume resistance (Ω.cm)
体積抵抗
4.0
1.0.E+03
1.0.E+04
frequency (Hz)
1.0.E+05
1.E+14
1.E+13
1.0.E+06
Evaluation of dissipation factor (200℃)
誘電正接評価
Tg 240℃
Development product
開発品
0.25
1.E+15
Tg 195℃
Development product
開発品
0.20
0.15
0.10
0.05
1.E+12
1.E+11
1.E+10
4.5
0.30
Tg197℃
Tg169℃
1.E+16
Tg 195℃
Development product
開発品
3.5
1.0.E+02
High adhesion
高密着化
●Effective for high-temperature volume resistance
高温体積抵抗に有効
Tg 240℃
Development product
開発品
5.0
High voltage
高耐圧化
Tj rise / insulation properties
Tj上昇/絶縁性
Evaluation of dielectric constant (200℃)
誘電率評価
25
150
temp (℃)
175
0.00
1.0.E+02
200
1.0.E+03
1.0.E+04
1.0.E+05
1.0.E+06
frequency (Hz)
The above data is actual values and not guaranteed values. 上記データは当社の実測値であり、保証値ではありません。
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パワーモジュール用高熱伝導封止材 ECOM E
industrial.panasonic.com/em/
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