PDF

For ICT infrastructure equipment
ultra-low transmission loss multi-layer circuit board materials
Circuit Board Materials
電子回路基板材料
ICTインフラ機器向け 超低伝送損失多層基板材料
High speed & ultra-low transmission loss
High reliability
Lead-free soldering
高速伝送・超低伝送損失
高信頼性
鉛フリーはんだ対応
Proposals ご提案
1. Ultra-low transmission loss
-R-5785：Dk＝3.6, Df=0.003(12GHz)
-R-5785(N)：Dk=3.4, Df＝0.002（12GHz）
2. High heat resistance and reliability (equivalent to MEGTRON6)
3. Compatible with lead-free soldering
1. 超低伝送損失
･R-5785：Dk＝3.6, Df=0.003(12GHz)
･R-5785(N)：Dk=3.4, Df＝0.002（12GHz）
2. 優れた耐熱性と信頼性（MEGTRON6と同等）
3. 鉛フリーはんだ対応
Applications 用途
High-end servers, High-end routers, Supercomputers,
and other ICT infrastructure equipment,
Antenna(Base station, Automotive millimeter-wave radar), etc.
■ Dielectric property 誘電特性
3.6
3.4
3.2
Transmission loss (dB/m)
伝送損失
3.8
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0
10
20
30
Frequency (GHz)
周波数
40
0.000
0
Insulation resistance（Ω）
絶縁抵抗
R-5785
-10
-40
-50
R-5775
0
5
10
15
Frequency (GHz) 周波数
Glass transition temp (Tg)
ガラス転移温度
1.0E+11
1.0E+10
CTE x-axis
熱膨張係数（タテ方向）
1.0E+09
CTE y-axis
熱膨張係数（ヨコ方向）
1.0E+08
1.0E+07
1.0E+06
CTE z-axis
熱膨張係数（厚さ方向）
1.0E+05
200
300
Time (Hrs) 処理時間
400
1.6mm
0.35mm
t
20
0.35mm
Through-hole wall to wall distance
0.35mm
スルーホール壁間
Temperature
温度
121℃
Humidity
湿度
85％
Voltage
印加電圧
50V
Dielectric constant (Dk)
比誘電率
Dissipation factor (Df)
誘電正接
Peel strength
銅箔引き剥がし強さ
Condition
条件
Unit
単位
R-5785
R-5785(N)
R-5775
DSC
A
℃
200
200
185
TG/DTA
A
℃
400
400
410
14-16
14-16
14-16
14-16
14-16
14-16
A
ppm/℃
α1
IPC TM-650 2.4.24
A
IPC TM-650 2.4.24.1
A
α2
1GHz IPC TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50
min
-
42
42
45
280
280
260
>120
>120
>120
3.6
3.4
3.7
0.0015
0.001
0.002
IPC TM-650 2.6.2.1
D-24/23
%
0.06
0.06
0.14
Fill
ヨコ方向
JIS C6481
A
GPa
19
18
19
1oz
IPC TM-650 2.4.8
A
kN/m
1.2
1.2
1.2
Water absorption
吸水率
Flexural modulus
曲げ弾性率
Test method
試験方法
α1 IPC TM-650 2.4.41
T288 (with copper )
T288 (銅付)
500
●Evaluation sample 評価サンプル ●Evaluation condition 評価条件
Through-hole diameter
スルーホール径
w
Trace width
（w）
0.1mm
回路幅
（w）
Trace thickness
（t）
0.035mm
回路厚み
（t）
Dielectric thickness
（h）
0.30mm
絶縁層厚み
（h）
R-5775(N)
Thermal decomposition temp (Td)
熱分解温度
100
h
-20
-30
Item
項目
1.0E+12
0
R-5785(N)
■ General properties 一般特性
10
20
30
40
Frequency (GHz)
周波数
■ CAF resistance 耐CAF性（実測値）
1.0E+04
●Evaluation sample 評価サンプル
0
0.014
4.0
3.0
■ Frequency dependence of transmission loss 伝送損失比較
0.016
Dissipation factor (Df)
誘電正接
Dielectric constant (Dk)
比誘電率
4.2
ハイエンドサーバ、ハイエンドルータ、
スーパーコンピュータなどICT インフラ機器
アンテナ（基地局、車載ミリ波レーダ）など
The sample thickness is 0.75mm 試験片の厚さは0.75mmです。
The above data is actual values and not guaranteed values.　上記データは当社の実測値であり、保証値ではありません。
10
For ICT infrastructure equipment
low
transmission
loss multi-layer circuit board materials
Circuit
Board Materials
電子回路基板材料
ICTインフラ機器向け 低伝送損失多層基板材料
Multi-layer circuit board materials suitable to large capacity and high speed transmission of high frequency signal.
高周波信号などの大容量・高速伝送に対応する多層基板材料
■ Line-up ラインアップ
0
Frequency dependence of transmission loss
伝送損失比較
PTFE
フッ素
R-5785(N) [Cu : H-VLP]
Transmission loss (dB/m)
伝送損失
-20
R-5775(N) [Cu : H-VLP]
●Evaluation sample
評価サンプル
35μm
R-5775 [Cu : H-VLP]
-40
280μm
100μm
R-5725S [Cu : RT]
-60
-80
R-5725 [Cu : RT]
Core
コア
0.13mm
R-5735 [Cu : RT]
Prepreg
プリプレグ
0.06mm×2ply
Length
回路長さ
1m
Cu thickness
銅箔厚み
t=35μm
R-1577 [Cu : RT]
Impedance
50Ω
インピーダンス
R-1755V [Cu : RT]
-100
０
５
Frequency (GHz)
周波数
10
15
■ General properties 一般特性
Item
項目
Glass transition temp (Tg)
ガラス転移温度
Thermal decomposition temp (Td)
熱分解温度
CTE x-axis
熱膨張係数
（タテ方向）
CTE y-axis
熱膨張係数
（ヨコ方向）
CTE z-axis
熱膨張係数
（厚さ方向）
α1
Dissipation factor (Df)
誘電正接
Peel strength
銅箔引き剥がし強さ
Unit
単位
DSC
A
℃
200
200
185
185
TG/DTA
A
℃
400
400
410
14-16
14-16
IPC TM-650 2.4.41
A
14-16
α1
IPC TM-650 2.4.24
R-5785 R-5785(N) R-5775 R-5775(N) R-5725S
R-5725
R-5735
R-1577
R-1755V
200
176
195
170
173
410
360
360
360
380
350
14-16
14-16
12-14
12-14
12-15
14-16
11-13
14-16
14-16
14-16
13-15
13-15
12-15
14-16
13-15
42
42
45
45
32
35
31
34
44
280
280
260
260
250
265
240
200
255
>120
>120
>120
>120
50
30
35
25
20
3.6
3.4
3.7
3.4
3.8
3.8
3.9
4.1
4.4
0.0015
0.001
0.002
0.0015
0.005
0.005
0.005
0.010
0.016
A
α2
IPC TM-650 2.4.24.1
1GHz
Water absorption
吸水率
Flexural modulus
曲げ弾性率
Condition
条件
ppm/℃
T288 (with copper)
T288 (銅付)
Dielectric constant (Dk)
比誘電率
Test method
試験方法
A
IPC TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50
min
-
IPC TM-650 2.6.2.1
D-24/23
%
0.06
0.06
0.14
0.14
0.14
0.14
0.14
0.14
0.12
Fill
ヨコ方向
JIS C6481
A
GPa
19
18
19
18
23
23
24
23
22
1oz
IPC TM-650 2.4.8
A
kN/m
1.2
1.2
1.2
1.2
1.4
1.2
1.3
1.3
1.5
The sample thickness of MEGTRON7, MEGTRON6 is 0.75mm. The sample thickness of other part number is 0.8mm.
MEGTRON7, MEGTRON6の試験片の厚さは0.75mmです。その他の試験片の厚さは0.8mmです。
The above data is actual values and not guaranteed values.　上記データは当社の実測値であり、保証値ではありません。
9