LC5710S データシート
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LC5710S
データシート
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サンケン電気株式会社
SANKEN ELECTRIC CO., LTD.
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目次
概要 ............................................................................................................................................. 3
1.絶対最大定格 ..................................................................................................................... 4
2.推奨動作条件 ..................................................................................................................... 4
3.電気的特性 ......................................................................................................................... 5
4.ブロックダイアグラム ............................................................................................................ 7
5.各端子機能 ......................................................................................................................... 7
6.応用回路例 ......................................................................................................................... 8
7.外形寸法 ............................................................................................................................. 9
8.動作説明 ........................................................................................................................... 10
8.1 周波数設定 ................................................................................................................ 10
8.2PWM 電流制御 .......................................................................................................... 10
8.3LED 調光 .................................................................................................................... 11
8.4 過電流保護機能(OCP) ............................................................................................. 13
8.5 過電圧保護機能(OVP) ............................................................................................. 13
8.6 回路方式の選定 ........................................................................................................ 14
8.7 外付けインダクタの選定 ............................................................................................ 15
8.8 内部損失 Pd について .............................................................................................. 18
8.9 位相補償(COMP 端子) ............................................................................................ 20
8.10LED クロスコネクション保護 ..................................................................................... 23
8.11 回路部品設定 .......................................................................................................... 24
8.12 参考回路例 .............................................................................................................. 25
9.参考パターンレイアウト ..................................................................................................... 26
10.設計上の注意点 ............................................................................................................. 28
11.代表特性例 ..................................................................................................................... 30
12.梱包 ................................................................................................................................. 39
注意書き.................................................................................................................................... 40
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概要
パッケージ
LC5710S シリーズは、パワーMOSFET と制御 IC を
1 パッケージに内蔵した、LED ドライバ用パワーIC で
す。
本製品は、広い入力電圧範囲、100kHz～500kHz の
周波数可変、および外部回路構成で降圧、昇圧、昇
降圧タイプを設定できることを特長とした LED ドライバ
IC です。
LED ストリング負荷電流は外付け抵抗で設定、LED
調光はアナログ･デジタル入力信号で制御できます。
充実した保護機能により構成部品の尐ない、コストパ
フォーマンスの高い電源システムを容易に構成できま
す。
SOP8
主要スペック
特長
電源電圧範囲
RDS(ON)
動作タイプ： 外部回路構成により次のタイプに
設定可能
・降圧タイプ
・昇圧タイプ
・昇降圧タイプ
高効率： η > 90%(TYP)
動作周波数： 100kHz～500kHz(可変)
外付け抵抗で LED ストリング負荷電流設定
電流検出電圧： 100mV±3%
低損失、高精度で LED ストリング電流を外付け抵抗
で設定可能
調光：DC(0～2V)／PWM(32～20kHz)
パッケージ SOP8
保護機能
過電流保護(OCP) ---------- パルス･バイ･パルス
過電圧保護(OVP) ---------- オートリスタート
過熱保護(TSD)-------------- オートリスタート
LED クロスプロテクション
5V (MIN)～58V(MAX)
550mΩ(TYP)
アプリケーション
LED 照明機器
LED 電球
現品捺印
製品名
LC5710
SK YMW
xxxx
ロットナンバー
Y=西暦年号下一桁(0～9)
M=製造月(1～9，O=”10”，N=”11”，D=”12”)
W=製造週(1～3)
日付=1～10 日：1
日付=11～20 日：2
日付=21～30 日：3
弊社管理番号
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1. 絶対最大定格
詳細内容は、仕様書を参照願います
電流値の極性は、IC を基準としてシンクを“+”、ソースを“−”と規定します
特記なき場合の条件 Ta=25°C
表1
項 目
端
N
子
電
端 子
記 号
規 格 値
単 位
圧
5−3
VIN
−0.3～+60.0
V
圧
4−3
VSW
−0.3～+60.0
V
V
I
S
W
C
S
P
端
子
電
圧
6−3
VCSP
−0.3～+60.0
V
C
S
N
端
子
電
圧
7−3
VCSN
−0.3～+60.0
V
CSP/CSN 端子差動電圧
6−7
VCSP-CSN
−0.3～+3.3
V
端 子 電 圧
1−3
VCOMP
−0.3～+3.3
V
8−3
VDIM
−0.3～+3.3
V
2-3
VRT
−0.3～+3.3
V
―
PD
1.2
W
―
θj- Pin
59.0
°C /W
―
―
θj-a
82.8
°C /W
Tj
125
°C
―
Top
−40～＋125
°C
―
Tstg
−40～＋150
°C
端
C O M P
D
I
R
端
M
T
子
端
子
子
電
電
電
圧
圧
備 考
(1)
許
容
損
失
(2)
熱抵抗(接合－リード(3 ピン))
熱抵抗(接合－周囲間)
(2)
ジ ャ ン ク シ ョ ン 温 度
(3)
動
(1)
作
保
(1)
(2)
(3)
周
囲
存
温
温
度
度
但し、ジャンクション温度により制限。
ガラスエポキシ基板 40×40mm(銅箔エリア 25×25mm)実装時
但し、過熱保護検出温度は約 150°C となる。
2. 推奨動作条件
推奨動作条件とは、電気的特性に示す正常な回路機能を維持するために必要とする動作条件です。実使用は
当条件内にする必要があります
電流値の極性は、IC を基準としてシンクを“+”、ソースを“−”と規定します
特記なき場合の条件 Ta=25°C
表2
規格
項目
記号
MIN
MAX
入力電圧範囲
出力電流範囲
VIN
(4)
単位
条件
5
58
V
0
1
A
(5)
0
0.5
A
(5)
IO
降圧モード
昇圧/昇降圧モード
DIM 端子電圧
VDIM
VDIM(OFF)
2.5
Ｖ
アナログ調光
DIM 端子調光周波数
fDIM
100
20000
Hz
PWM デジタル調光
インダクタリップル電流
ΔIL
0.1
0.4
A
TOP
40
85
°C
Inductor ripple current
動作周囲温度範囲
(4)
(4)
図 1 の熱減定格以内で使用する必要があります。
降圧回路使用時：1A,昇圧／昇降圧回路使用時：0.5A､それぞれの回路で⊿IL は 0.4A 以下とする｡
(5)
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3. 電気的特性
詳細内容は、仕様書を参照願います
電流値の極性は、IC を基準としてシンクを“+”、ソースを“−”と規定します
3.1 制御部電気的特性
特記なき場合の条件 Ta=25°C、VIN=15V
表3
項 目
端 子
規 格 値
記 号
単 位
MIN
TYP
MAX
動
作
開
始
電
源
電
圧
5−3
VIN(ON)
3.8
4.1
4.5
V
動
作
停
止
電
源
電
圧
5−3
VIN(OFF)
3.4
3.7
4.2
V
動作開始停止ヒステリ シス
5−3
VIN(HYS)
0.25
0.37
0.50
V
備考
動
作
時
回
路
電
流
(6)
5−3
IIN(ON)
―
1.6
―
mA
停
止
時
回
路
電
流
(6)
5−3
IIN(OFF)
―
0.24
―
mA
VIN= 3V
発
振
周
波
数
1
―
FOSC
80
100
135
kHz
RRT=110kΩ
発
振
周
波
数
2
―
FOSC
350
500
650
kHz
RRT=18kΩ
最
小
オ
ン
時
間
―
tON(MIN)
100
200
300
ns
VCOMP= 0V
最 大 オ ン デ ュ ー テ ィ
―
DMAX
84
90
95
%
VCOMP= 2.8V
電
圧
6−7
VCS
97
100
103
mV
流
4−3
ISW(LIM)
1.4
1.8
2.2
A
C S P
端 子 入 力 電 流
6−3
ICSP
22
35
50
µA
C S N
端 子 入 力 電 流
7−3
ICSN
5
9.5
15
µA
C O M P
端 子 流 出 電 流
1−3
ICOMP(SO)
-65
-50
-35
µA
C O M P
端 子 流 入 電 流
1−3
ICOMP(SI)
35
50
65
µA
―
GM
―
4.8
―
mS
6−7
VCS(OVP)
140
150
160
mV
―
TWDT
―
30
―
mS
LED オン時 DIM 端子電圧
8−3
VDIM(ON)
0.17
0.20
0.23
V
LED オフ時 DIM 端子電圧
8−3
VDIM(OFF)
0.12
0.15
0.18
V
DIM 端子ヒステリシス電圧
8−3
VDIM(HYS)
10
50
100
mV
S
流
W
検
端
子
出
制
電
限
電
誤差増幅器コンダクタンス
(6)
過 電 圧 保 護 し き い 値 電 圧
(6)
ウォッチドッグタイマー設定時間
度
(6)
―
TSD
―
165
―
°C
過熱保護温度ヒステリ シス
(6)
―
TSD(HYS)
―
22
―
°C
過
熱
保
護
動
作
温
(6)
設計保証値です。
*電流の規定は IC を基準として、シンクが＋、ソースが－とします。
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VCS=20mV
VCOMP=2V
VCS=180mV
VCOMP=2V
VCS=50
~150mV
VCOMP=ooV
VCS=ooV
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3.2 熱減定格
Allowable package power dissipation
ガラスエポキシ基板 40×40mm(銅箔エリア 25×25mm)実装時
図 1 LC5710S 熱減定格
(温度ディレーティング曲線)
注 1：図 1 の熱減定格は、ジャンクション温度 125°C で算出しています。
※Pd= (Tj－Ta)/θj-a より Ta=25℃での Pd は 1.2077W
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4. ブロックダイアグラム
図 2 ブロックダイアグラム
5. 各端子機能
表4
端子番号
1）
1
図 3 端子配置
記号
8
機能
位相補償端子
・レギュレーション制御ループ補償に使用します
・シリーズ RC 回路を COMP と GND 間に接続します
・必要に応じてコンデンサを COMP と GND 間に追加します
1
COMP
2
RT
3
GND
4
SW
スイッチング出力端子
・外付けインダクタを駆動します
5
VIN
電源入力端子
・5V～58V の電圧を本端子に供給します
・IC にスイッチング電流を供給するためコンデンサを VIN と GND 端
子間に接続します
6
CSP
電流検出入力の基準端子
・電流検出抵抗の VIN 端子側を接続します
7
CSN
電流検出負入力端子
・電流検出抵抗の LED ストリングのアノード側に接続します
・CSP と CSN 端子間の差動電圧は電気的特性の VCS で定義します
DIM
DC/PWM 調光信号入力端子
・DC/PWM 信号を入力すると、LED ストリングの調光が可能です｡DC
時は VDIM(OFF)＜VDIM＜2.5V
(注：VDIM(OFF)未満に保持すると､連続 OFF 状態になります｡)
8
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周波数可変端子です。調整用抵抗器 RRT を GND 間に接続します｡
グランド端子
（注：パッケージの裏側のヒートスラグを GND に接続します）
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応用回路例
LED 照明用電源回路例
A)降圧回路アプリケーション
B)昇圧回路アプリケーション
図 4 LC5710S 応用回路
C)昇降圧回路アプリケーション
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7. 外形寸法
SOP8 パッケージ
Top view
8
1
7
2
6
5
3
4
side view1
side view2
NOTES:
1)単位：mm
2)図は一定の縮尺で描かれていません
図 5 SOP8 パッケージ外観
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8. 動作説明
電流値の極性を、IC を基準としてシンクを“+”、ソースを“−”で規定します。
特記なき場合の特性数値は、TYP 値を表記します。
8.1 周波数設定
LC5710S の周波数設定は RT 端子(2 ピン)～GND 端子(3 ピン)間に接続した設定抵抗ＲＲＴの値によって設定さ
れます。発振周波数 Fosc は式１にて計算することができます。ＲＲＴの抵抗値に対する周波数の相関は図 6 のよう
になります。
Fosc(Hz)={4.74／(24×RRT)＋0.365E-6}／21.5E-12 ･･･(1)
スイッチング周波数Fosc(kHz)
LC5710S RRT vs. Fosc characteristic
600
500
400
300
200
100
0
10
100
RRT(kΩ)
図 6 RRT vs. Fosc
PMW 電流制御
制御回路を、図 7 に示します。
CS
RS
1
Osillator
COMP
+
CSP 6
RCS
+
ROVP
－
Q
S
－
－
CSN 7
VCS
LED
R
SW 4
+
+
Σ
－
図 7 制御回路図
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External components
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COUT
Output
voltage
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出力電流の定電流制御は、過渡応答および安定性に優れた電流モード（ピーク電流モード制御）の PWM 制御
を使用しています。動作周波数 FOSC は外部抵抗による設定で 100kHz～500kHz の可変です。
LED ストリング電流は、電流検出抵抗 RCS で検出します。定電流制御は、RCS の両端電圧を
CSP 端子と CSN 端子で検出し、この電圧と電流検出しきい電圧 VCS で作る目標値に、パワーMOSFET の電流
ピーク値が近づくように制御します。この制御により、LED 電流を一定に保ちます。
電流検出抵抗を RCS、LED オープン時の過電圧保護用抵抗を ROVP とすると、LED ストリングの定電流値 IOUT は、
次式になります。
IOUT
VCS ICSN (RCS ROVP)
RCS
･･･(2)
ここで、ICSN は SW 端子入力電流、9.5μA
VCS は電流検出電圧、100mV
VCS に対し ICSN×(RCS+ROVP)が無視できるほど小さい場合は、次式になります。
IOUT
VCS
･･･(3)
RCS
なお、“8.5 過電圧保護機能（OVP）”項の算出方法を参考に、定電流 IOUT が許容精度内になるように ROVP 抵抗
値を設定します。
8.3 LED 調光
8.3.1 アナログ調光
LC5710S の調光はアナログ(DC 電圧入力)と PWM デジタル調光の両方に対応しています｡まずアナログ調光で
すが､DIM 端子へ印加する直流電圧と調光比率の間には図 8(A)､(B)の関係が有ります｡また､IC 内部の電流源
を使用した､プルダウン抵抗 RDIM による調光も可能です｡RDIM と DIM 端子電圧の関係は図 8(B)になります｡DIM
～GND 間が DC2V 以上の場合､100%調光となります｡
図 8(A). DIM 端子印加電圧と調光比率
図 8(B). プルダウン抵抗 RDIM vs. DIM 端子電圧
LC5710S は専用の外部 ON／OFF 端子
を装備しておりませんが､DIM 端子を利用
して､外部 ON／OFF 機能と同様に使用
することが可能です｡
図 8I. プルダウン抵抗 RDIM の接続と外部 ON／OFF
ご使用のマイコンのポートなどから､LC5710S の DIM 端子を”Low”レベルへ連続的に保持させる信号を入力す
れば LC5710S は発振停止を継続します｡”Low”レベルとは VDIM(OFF)未満の電圧である必要があります｡論理を反
転するには､小信号 Tr を一石入れてください｡
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8.3.2PWM デジタル調光
PWM デジタル調光は、DIM 端子に入力する PWM デジタル信号のデューティサイクルにより制御ができます。
DIM 端子電圧が以下のしきい電圧で、定電流のオン/オフを制御します。
尚、DIM 端子電圧は、絶対最大定格−0.3V～3.3V 以内のため､調光パルスのピーク電圧にご注意ください。
・LED オン閾値電圧 VDIM(ON)= 0.2V 以上で、定電流 IOUT が流れる
・DIM 端子ヒステリシス電圧 VDIM(HYS)=50mV
調光比率は､PWM デジタル調光信号パルスのデューティ比に依存します｡(図 9)
図 9 PWM デジタル調光の実働例(RCS= 0.41Ω、IOUT= 244mA 設定)
アナログ調光時と同様､VDIM(OFF)未満の”Low”レベルの信号が継続する場合は､発振停止状態を保持します｡
図 9 においても､水色の Dimming 信号(CH2)が”Low”レベルの際､青色の SW 端子電圧(CH1)がスイッチングし
ていないことがわかります｡
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過電流保護機能（OCP）
本 IC は、SW 端子の流入電流を制限する過電流機能（OCP）を内蔵しています（図 10）。
SW 端子流入電流が ISW(LIM)= 1.8A に達すると、パルスバイパルスで内部のパワーMOSFET をオフにします。
定電流検出不具合や出力端短絡時の保護として動作します。
SW 4
PWM
LOGIC
+
OCP
－
GND 3
図 10
過電流保護回路
8.5 過電圧保護機能（OVP）
LED がオープン状態になり定電流制御ループがなくなると、出力電圧が制御値以上に上昇します。
このときの過電圧動作時の保護機能（OVP）は、図 11 のように ROVP、ツェナーダイオード DZOVP を接続した回路で
行えます。LED がオープンになり、図 11 右の DZOVP が導通すると、出力電圧は、DZOVP のツェナー電圧と過電圧
保護しきい電圧 VCS(OVP)= 150mV の加算値になります。
CSP
6
ICSN
CSN
CSP
RCS
COUT
7
CSN
6
RCS
ICSN
7
ROVP
COUT
ROVP
IDZ
IOUT
DZOVP
DZOVP
LED
通常動作時
LED オープン時
図 11. 過電圧回路
DZOVP の許容損失を PDZ、ツェナー電圧を VDZ とすると、ツェナーダイオードの許容電流 IDZ は、次式になります。
IDZ
PDZ
VDZ
･･･(4)
DZOVP を許容損失以下にする ROVP 抵抗値は、CSN 端子入力電流を ICSN 、定電流検出抵抗を RCS とすると、
次式から選定されます。
ROVP
VCS ( OVP)
RCS
IDZ ICSN
･･･(5)
ここで、ICSN << IDZ の場合、式(4)の近似式は次式になります。
ROVP
VCS ( OVP)
RCS
IDZ
･･･(6)
過電圧保護動作時に DZOVP が許容損失以下、および定電流 IOUT が許容誤差内になるように ROVP 抵抗値を設定
します。
また、DZOVP のツェナー電圧 VDZ は、通常動作時に導通しないように LED ストリングにかかる最大電圧よりも高く設
定します。
仮にここで VCS=150mV､ICSN =9.5μA､IDZ=5mA､RCS=0.33Ωとすると､ICSN << IDZ より式 6 から､ROVP は 29.67Ω
(≒30Ω)となります｡
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8.6 回路方式の選択
アプリケーションでは､入力電圧 VIN と､使用する LED のストリング電圧との関係で表 5 の様に使い分けます｡
表5
入力電圧と LED ストリング電圧の関係
回路タイプ
VIN＞(n × VFLED)＋Vcs
降圧型
VIN＜(n × VFLED)＋Vcs
昇圧型
VIN(L)＜(n × VFLED)＋Vcs＜VIN(H)
昇降圧
LC5710S における接続 LED の直列灯数は､方式別に表 6 のとおりです｡ただし動作条件が制限される要因とし
ては以下の 1) ～ 4) があります｡
1)VIN(ON)未満の入力電圧設定･･･IC の起動開始の条件より 5V 未満の設定は不可｡
2)VIN(MAX)又は Vsw(MAX)･･･例として絶対最大定格 60V に対する 80%ディレーティングで 48V に当たる条件
3)最小又は最大オンデューティによる制限(0.15＜Duty＜0.84)
4)インダクタピーク電流 ILp がスイッチ端子制限電流 ISW(LIM)に当たってしまう入出力条件･･･1.4A(MIN)
表6
VIN(又は Vsw)＜48V(60V×0.8)､0.15＜D＜0.84 共通
VIN 範囲
Vout 又は
降圧型
昇圧型
昇降圧型
LED 直列 LED スト
ILED=1.0A，
ILED=0.5A，
ILED=0.5A，
数(個)
リング電
⊿IL=0.4A
⊿IL=0.4A
⊿IL=0.4A
圧(V)
MIN(V)
MAX(V)
MIN(V)
MAX(V)
MIN(V)
MAX(V)
1
3.6
5.00
24.00
5
20.4
2
7.1
8.45
47.33
5.00
6.04
5.1
39.9
3
10.6
12.62
48.00
5.00
9.01
7.6
37.4
4
14.1
16.79
48.00
6.60
11.99
10.1
33.9
5
17.6
20.95
48.00
8.30
14.96
12.7
30.4
6
21.1
25.12
48.00
9.90
17.94
15.1
26.9
7
24.6
29.29
48.00
11.60
20.91
17.6
23.4
8
28.1
33.45
48.00
13.20
23.89
9
31.6
37.62
48.00
14.90
26.86
10
35.1
41.79
48.00
16.50
29.84
11
38.6
45.95
48.00
18.20
32.81
12
42.1
19.80
35.79
13
45.6
21.50
38.76
非対応･･･VIN(ON)未満の入力条件又は､VIN もしくは Vsw が 48V に達するか､或いは ILp が ISW(LIM)に当たる
ために実用に供しない領域です｡表 7 をグラフ化すると図 12～図 14 になります｡
LED直列灯数n(個)
降圧使用時のLED直列灯数 vs．入力電圧範囲
×11
×10
×9
×8
×7
×6
×5
×4
×3
×2
×1
0
5
10
15
20
25
30
入力電圧範囲(V)
図 12
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35
40
45
50
LC5710S データシート
Rev.1.9
LED直列灯数n(個)
昇圧使用時のLED直列灯数 vs．入力電圧範囲
×13
×12
×11
×10
×9
×8
×7
×6
×5
×4
×3
×2
×1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
45
50
入力電圧範囲(V)
図 13
昇降圧使用時のLED直列灯数 vs．入力電圧範囲
LED直列灯数n(個)
×7
×6
×5
×4
×3
×2
×1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
入力電圧範囲(V)
図 14
図 12～図 14 は机上計算値に基づいています｡実働において SW 端子の電圧波形にサージ電圧が大き
い場合や､IC が高温になる場合などは､灯数削減或いは ILED を減じていただく必要が有ります｡また､図 1 の
熱減定格曲線の範囲内で使用する必要があります｡
外付けインダクタの設定
降圧タイプ、昇圧タイプ、昇降圧タイプの各々の動作を以下に説明します。
LED 照明用途の負荷は定電流負荷になるため、インダクタンス値は、インダクタンス電流が連続に流れる電流連
続モード（Continuous Conduction Mode : CCM）になるように設定します。
デューティ D は、“3.電気的特性”項より、次式の範囲内に設定します。
tON(MIN)×Fosc＜D＜DMAX
･･･(7)
したがってデューティ D は 0.15～0.84 の範囲内となります｡
以下の説明では、出力電圧を VOUT、インダクタ電流を IL、インダクタ電流のリップル電流を⊿IL で示します。
LED に流す電流を ILED､Fosc は発振周波数とします｡出力電圧 VOUT は式(8)になります。
Vout= n ×VFLED＋Vcs
･･･(8)
ここで、VFLED は LED の順方向電圧降下(照明用白色 LED で約 3.5V／個)
n は LED の直列個数､Vcs は電流検出電圧 100mV
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LC5710S データシート
Rev.1.9
表 7 インダクタの必要インダクタンス計算式
降圧型
昇圧型
昇降圧型
VIN
Vout
VIN＋Vout
SW 端子印加電圧
Vsw
ON デューティ D
＋
インダクタ平均電流
ILAVE
ILED
インダクタ電流ピーク
ILp
＋
必要インダクタンス L
⊿
＋
⊿
＋
⊿
⊿
⊿
⊿
SW 端子に流れるドレイン電流は､降圧型では LED に流れる ILED と等しくなりますが､昇圧型､昇降圧型では
､例えばデューティ D が 0.5 の場合は､インダクタリップル電流が同じなら､降圧型の 2 倍の電流が流れます｡
この点には注意が必要です｡
インダクタリップル電流は､推奨動作条件より⊿IL=0.4A(Max)としております｡又､内部の過電流保護条 件より､
インダクタ電流ピーク ILp は ISW(LIM)=1.4A(MIN)に達しない事が求められますので､実質的に LED へ給電出来る
電流 ILED は次の様になります｡(図 1 による温度制限も合わせて満たす必要が有ります)
･降圧型･･･1.0A
･昇圧型／昇降圧型･･･0.5A
以下に計算例グラフを示します｡尚、照明用白色 LED の VF を 3.5V として 5 灯(Vout=17.6V)で計算しています｡
降圧型周波数別必要インダクタンスL計算例 LED=5灯､VIN=24V
Fosc=500kHz
Fosc=300kHz
Fosc=100kHz
必要インダクタンスL(μH)
1000
100
10
1
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
インダクタリップル電流⊿IL(A)
図 15
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0.35
0.4
LC5710S データシート
Rev.1.9
昇圧型周波数別必要インダクタンスL計算例 LED=5灯､VIN=12V
Fosc=500kHz
Fosc=300kHz
Fosc=100kHz
必要インダクタンスL(μH)
1000
100
10
1
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
インダクタリップル電流⊿IL(A)
図 16
昇降圧型周波数別必要インダクタンスL計算例 LED=5灯､
VIN=Vout±20%
Fosc=500kHz
Fosc=300kHz
Fosc=100kHz
必要インダクタンスL(μH)
1000
100
10
1
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
インダクタリップル電流⊿IL(A)
図 17
注)
*⊿IL が小さい設定では､必要なインダクタンス値が大きくなります｡
インダクタの傾向としては､
･大きなインダクタンス値･･･外形寸法が同じ場合は許容電流の減尐となる｡
･許容電流を満たしてインダクタンスを確保すると､コア形状と共に外形寸法が大きくなる｡
LED ドライバの回路アプリケーションとしては､DC/DC コンバータ同様に降圧､昇圧､昇降圧が有りますが､⊿IL の
設定として､一般的には出力電流の 20%～30%の設定が､もっともコストパフォーマンスが良い設定といわれてい
ます｡⊿IL=Iout×0.2～0.3
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Page.17
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Rev.1.9
8.8 内部損失 Pd について
8.8.1 制御回路の損失 Pcont
制御回路の損失 Pcont は､入力電圧と周波数に依存します｡(図 18)
LC5710S 制御回路損失
制御回路損失(mW)
Fosc=100kHz
Fosc=300kHz
Fosc=500kHz
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
VIN(V)
35
40
45
50
図 18
制御回路の損失は､IC 内部における回路電流による損失及び､内蔵 PowerMOSFET を駆動するドライブ
損失が含まれています｡図 18 は回路電流の損失とドライブ損失の合計です｡損失計算の際は､図 18 から近い値
を読みとって代入してください｡
8.8.2 内蔵 PowerMOSFET のスイッチングスピード
図 19 は､主回路上の寄生インダクタクタンスなどの影響が僅尐であるという想定の基に､算出している内蔵 Power
MOSFET のスイッチング時間です｡ターンオン tr､ターンオフ tf は同じスピードと規定しています｡
LC5710S 内蔵PowerMOSFETスイッチング時間
スイッチング時間tr,tf(nsec)
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
SW端子電圧Vsw(V)
図 19
内蔵している PowerMOSFET は､電圧変換部の主回路と接続されております｡寄生インダクタンスが内在したり､
インピーダンスが高いパターン配線では､スイッチングスピードが速まったり､遅くなったりする場合が有ります
ので予めご了承ください｡※オシロスコープなどで実働波形が観測出来る場合は実測値を適用しても構いま
せん｡
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8.8.3 内蔵 PowerMOSFET の損失
内蔵 PowerMOSFET の損失はドレイン～ソース間のオン抵抗 Ron による定常オン損失と､図 19 のスイッチング
時間におけるスイッチング損失が有ります｡表 8 は降圧､昇圧､昇降圧の各方式での PowerMOSFET の損失を
近似的に求める計算式です｡
表8
定常オン損失 Pon
スイッチング損失 Psw
降圧型
Ron×(ILED)2×Ton×Fosc
2×{VIN×(ILED／2)×Tsw×Fosc}
昇圧型
Ron×(ILAVE)2×Ton×Fosc
2×{Vout×(ILAVE／2)×Tsw×Fosc}
昇降圧型
Ron×(ILAVE)2×Ton×Fosc
2×{(VIN＋Vout)×(ILAVE／2)×Tsw×Fosc}
注)
･Ton=(1／Fosc)×D･･･D はデューティで表 7 参照｡
･Tsw は図 19 の値(sec)でターンオフ時間､ターンオン時間を同一として規定｡同一周期にスイッチングは 2 回｡
あるいはオシロスコープで実働観測出来れば､実測値を適用しても構いません｡
･Fosc は発振周波数(Hz)
･ILED(A)は降圧型の場合 ILED=ILAVE
･ILAVE(A)は表 7 参照｡
･Ron は内蔵 PowerMOSFET のオン抵抗(Ω)
8.8.4 内部損失 Pd
内部損失は式(9)になります｡
Pd=Pcont＋Pon＋Psw ･･･(9)
(降圧型計算例)
Fosc=300kHz､VIN=24V､LED ストリング電圧=17.6V(5 灯)､ILED=1A､Ron=0.5Ωの場合｡
･Pcont=44mW (図 18 より読みとり)
･Pon=0.5(Ω)×1(A)×1(A)×2.444E-6(sec)×300E+3(Hz) ≒0.367W
･Psw=2×{24(V)×(1(A)／2)×20E-9(sec)×300E+3(Hz)} ≒0.144W
∴Pd=0.044(W)＋0.367(W)＋0.144(W) =0.555W
(昇圧型計算例)
Fosc=300kHz､VIN=12V､LED ストリング電圧=17.6V(5 灯)､ILED=0.5A､Ron=0.5Ωの場合｡
･Pcont=22mW (図 18 より読みとり)
･Pon=0.5(Ω)×0.73(A)×0.73(A)×1.061E-6(sec)×300E+3(Hz) ≒0.084W
･Psw=2×{17.6(V)×(0.73(A)／2)×15E-9(sec)×300E+3(Hz)} ≒0.057W
∴Pd=0.022(W)＋0.084(W)＋0.057(W) =0.163W
(昇降圧型計算例)
Fosc=300kHz､VIN=17V､LED ストリング電圧=17.6V(5 灯)､ILED=0.5A､Ron=0.5Ωの場合｡
･Pcont=33mW (図 18 より読みとり)
･Pon=0.5(Ω)×1.018(A)×1.018(A)×1.696E-6(sec)×300E+3(Hz) ≒0.264W
･Psw=2×{(17(V)＋17.6(V))×(1.018(A)／2)×28.8E-9(sec)×300E+3(Hz)} ≒0.305W
∴Pd=0.033(W)＋0.264(W)＋0.305(W) =0.602W
注)
･パッケージの熱抵抗θj-a は 82.8℃／W ですが､Pd の値によっては過熱保護(TSD)が働く場合が
有ります｡ジャンクション温度 Tj は周囲温度を Ta とすると式(10)になります｡
Tj=(Pd×θj-a)＋Ta ･･･(10)
･内蔵 PowerMOSFET のオン抵抗 Ron には正の温度特性が有ります｡Tj=100℃付近では､Ta=25℃時
の Ron の 1.5 倍程度になりますのでご注意ください｡IC の温度が高い場合は､周波数､ILED､
LED 直列灯数などを減じていただくか入力電圧条件を再調整し､Pd は図 1 の熱減定格曲線(温度
ディレーティングカーブ)の範囲内である必要が有ります。
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Rev.1.9
8.9 位相補償(COMP 端子)
8.9.1 位相補償定数の計算
6 項‐応用回路例の図 4 における COMP 端子接続の位相補償定数 Rs､Cs､Cp については､表 9 の計算式
に基づいて計算します｡
表9
Rs
Cs
Cp 必要条件判定
(←左が成立つ場合)Cp
Rled
Fz2
降圧時の Fc
昇圧時の Fc
注)
*Co：出力平滑コンデンサ容量(F)｡ Vout：出力電圧(V)｡ Fc：クロスオーバー周波数(Hz)｡
Fosc：発振周波数(Hz)｡ ESR：出力平滑コンデンサの等価直列抵抗(Ω)｡ Rled：LED を抵抗負荷とみなした
場合の抵抗値(Ω)｡ ILED：LED の平均電流(A)｡ Fz2：昇圧型固有のゼロ点周波数(Hz)･･･ゲインではゼロ､
位相ではポールの働きをします｡ L：インダクタのインダクタンス値(H)｡ D：ON デューティ｡表 5 参照｡
*出力平滑コンデンサ COUT がアルミ電解コンデンサである場合､ESR が大きくなるため Cp が必要です｡
降圧時と昇圧の時の違いについては､クロスオーバー周波数 Fc の設定が異なります｡本 IC では、降圧型の場
合 Fosc の 1／50 以下で設定しますが､電流モード方式の昇圧型の場合は､『右半面ゼロ』の条件を有します｡
このためクロスオーバー周波数 Fc は､表 9 の Fz2 の式により Fz2 を求め､Fz2 の 1／50 以下に設定する必要が
有ります｡
*K：LC5710S の FB 系固有の定数です｡K=2.497E-4
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Rev.1.9
Rs､Cs､計算例(セラミックコンデンサの場合)
表 10 降圧型｡Fosc=500kHz､ILED=1A､⊿IL=0.4A
LED 直列
灯数(個)
Vout(V)
VIN(V)
L 値(μ H)
Co トータ
ル(μ F)
CoESR
トータル
(mΩ )
Fc(kHz)
Rs(kΩ )
Cs(nF)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
3.6
7.1
10.6
14.1
17.6
21.1
24.6
28.1
31.6
35.1
5
12
15
18
24
28
36
42
42
48
5.6
15
18
18
27
27
39
39
43
47
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0.91
1.79
2.67
3.55
4.43
5.31
6.19
7.07
7.95
8.83
70.348
35.669
23.892
17.961
14.389
12.002
10.294
9.012
8.014
7.215
*表の数値は机上計算値を示しています｡
*数値は E12 系列､E24 系列などの等比数列に合致していません｡部品は近い値から選定してください｡
*必ず実験で動作をご確認の上､定数を決定してください｡
*Co の容量と ESR は『トータル』という表現ですが､小さいサイズのセラコンを複数並列接続した時も､トータルで表
の数値になる場合を想定しております｡
*表 11～表 15 も同様です｡
表 11 降圧型｡Fosc=300kHz､ILED=1A､⊿IL=0.4A
LED 直列
灯数(個)
Vout(V)
VIN(V)
L 値(μ H)
Co トータ
ル(μ F)
CoESR
トータル
(mΩ )
Fc(kHz)
Rs(kΩ )
Cs(nF)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
3.6
7.1
10.6
14.1
17.6
21.1
24.6
28.1
31.6
35.1
5
12
15
18
24
28
36
42
42
48
9.1
27
27
27
43
47
68
82
68
82
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
6
6
6
6
6
6
6
6
6
6
2.55
5.04
7.52
10.00
12.48
14.96
17.45
19.93
22.41
24.89
41.577
21.081
14.120
10.615
8.504
7.093
6.084
5.326
4.736
4.264
表 12 降圧型｡Fosc=100kHz､ILED=1A､⊿IL=0.4A
LED 直列
灯数(個)
Vout(V)
VIN(V)
L 値(μ H)
Co トータ
ル(μ F)
CoESR
トータル
(mΩ )
Fc(kHz)
Rs(kΩ )
Cs(nF)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
3.6
7.1
10.6
14.1
17.6
21.1
24.6
28.1
31.6
35.1
5
12
15
18
24
28
36
42
42
48
27
75
82
82
120
150
200
270
200
270
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
1.81
3.57
5.33
7.09
8.85
10.61
12.37
14.13
15.89
17.66
175.872
89.174
59.730
44.903
35.973
30.006
25.737
22.531
20.036
18.038
Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO., LTD.
Page.21
LC5710S データシート
Rev.1.9
表 13 昇圧型｡Fosc=500kHz､ILED=0.5A､⊿IL=0.4A
LED 直列
灯数(個)
Vout(V)
VIN(V)
L 値(μ H)
Co トータ
ル(μ F)
CoESR
トータル
(mΩ )
Fc(kHz)
Rs(kΩ )
Cs(μ F)
2
3
3
4
4
5
6
6
7
7
7
8
8
9
10
7.1
10.6
10.6
14.1
14.1
17.6
21.1
21.1
24.6
24.6
24.6
28.1
28.1
31.6
35.1
5
5
7
7
9
12
12
15
12
15
18
15
18
18
24
7.5
15
12
18
18
20
27
22
33
33
27
36
33
39
39
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
2.990
1.001
2.454
1.230
2.033
2.606
1.610
3.087
1.130
1.765
3.107
1.417
2.225
1.675
2.680
0.53
0.27
0.65
0.44
0.72
1.15
0.85
1.64
0.70
1.09
1.92
1.00
1.57
1.33
2.37
0.398
2.382
0.396
1.187
0.434
0.211
0.463
0.125
0.806
0.330
0.106
0.449
0.181
0.285
0.100
表 14 昇圧型｡Fosc=300kHz､ILED=0.5A､⊿IL=0.4A
LED 直列
灯数(個)
Vout(V)
VIN(V)
L 値(μ H)
Co トータ
ル(μ F)
CoESR
トータル
(mΩ )
Fc(kHz)
Rs(kΩ )
Cs(μ F)
2
3
3
4
4
5
6
6
7
7
7
8
8
9
10
7.1
10.6
10.6
14.1
14.1
17.6
21.1
21.1
24.6
24.6
24.6
28.1
28.1
31.6
35.1
5
5
7
7
9
12
12
15
12
15
18
15
18
18
24
15
22
20
33
27
33
43
36
51
51
43
62
56
68
68
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
1.495
0.683
1.472
0.671
1.355
1.579
1.011
1.887
0.731
1.142
1.951
0.823
1.311
0.96
1.537
1.25
0.86
1.84
1.12
2.26
3.29
2.52
4.71
2.13
3.32
5.67
2.73
4.36
3.59
6.38
0.339
1.090
0.234
0.849
0.208
0.122
0.249
0.071
0.409
0.167
0.057
0.283
0.111
0.184
0.064
CoESR
トータル
(mΩ )
Fc(kHz)
Rs(kΩ )
Cs(μ F)
10
10
10
10
10
10
10
0.575
0.221
0.475
0.243
0.446
0.521
0.290
1.03
0.59
1.27
0.86
1.58
2.31
1.54
1.078
4.895
1.059
3.035
0.902
0.529
1.429
表 15 昇圧型｡Fosc=100kHz､ILED=0.5A､⊿IL=0.4A
LED 直列
灯数(個)
Vout(V)
VIN(V)
L 値(μ H)
Co トータ
ル(μ F)
2
3
3
4
4
5
6
7.1
10.6
10.6
14.1
14.1
17.6
21.1
5
5
7
7
9
12
12
39
68
62
91
82
100
150
10
10
10
10
10
10
10
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LC5710S データシート
6
7
7
7
8
8
9
10
21.1
24.6
24.6
24.6
28.1
28.1
31.6
35.1
15
12
15
18
15
18
18
24
120
180
150
120
180
180
200
200
Rev.1.9
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
0.566
0.207
0.388
0.699
0.283
0.408
0.327
0.523
3.00
1.28
2.40
4.33
2.00
2.88
2.6
4.61
0.374
2.399
0.682
0.210
1.122
0.541
0.751
0.264
*昇降圧型では､デューティ D が
D＞0.5：昇圧モード
D＜0.5：降圧モード
の動作になります｡ご使用の条件により、表 10～15 を参考に実働で調整してください｡
LED クロスコネクション保護
図 20-1 正常な結線
図 20-2 誤配線(クロスコネクション)
LC5710S を複数個使用し､それぞれの系統の LED ASSY を駆動するアプリケーションでは､図 20-1 の正常な結
線に対して､LED ASSY のハーネスを接続するコネクタ部の誤配線等により､図 20-2 の様な接続になってしまうこ
とがあります｡LC5710S では､クロスコネクションでの過負荷による発熱で､インダクタが飽和して破損するケースを
回避するため､LED クロスコネクション保護を内蔵しています｡
LC5710S では､上記クロスコネクションの場合､VCS(CSP－CSN 間電圧)の低下および COMP 端子電圧の
上昇をウォッチドッグタイマー(30msec：Typ)で監視しており､30msec 以上同条件が継続した場合は､間欠
発振動作となり､発熱を抑えることが可能です｡
(間欠周期は､ウォッチドッグタイマーの監視時間 30msec で､発振期間は約 10msec です)
クロスコネクションは､IC からみるとあくまで周辺回路のアブノーマル状態ですので､過熱保護同様､クロスコ
ネクション保護が作動しても IC 自体と回路部品などにストレスを与える場合があります｡お客様が誤配線を
認識し､配線が修正されるまでの簡易的な保護ですので､長時間この状態を保証するものではありません｡
ご注意ください｡
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Rev.1.9
回路部品設定
各部品は使用条件に適合したものを使用します。
下記の回路記号は、”6.応用回路例”項の記号になります。
インダクタ L
LED 電流平滑用のチョークコイルです。
インダクタンスが大きいほど出力リップル電流が小さくなり、電流の安定度が向上します。
リップル電流のピーク値でコイルが飽和しないものを選択します。
コイルが飽和すると、想定以上のサージ電流が流れ、LED、IC、周辺回路にダメージを与える要因になります。
ダイオード DS
降圧タイプはフリーホイールダイオード、昇圧タイプと昇降圧タイプはブーストダイオードです。
ダイオードの選択には、耐圧とリカバリータイム trr が重要です。Trr が長いダイオードは、パワーMOSFET が
ターンオンしたときに、パワーMOSFET に大きなサージ電流が流れるため、ノイズの増大、誤動作、効率低下の
要因になります。耐圧に応じて、ショットキーバリアダイオード、超高速ダイオードから選択します。
電流検出抵抗 RCS
RCS には高周波スイッチング電流が流れるため、内部インダクタンスの大きなものを使用すると、誤動作の要因
になります。RCS は、内部インダクタンスが小さく、かつ、サージ耐量の大きなものを選択します。
入力コンデンサ CIN
主電源平滑用のコンデンサです。この容量が大きいほどリップル電圧が小さくなります。また同一容量でも、
出力電力が大きくなるとリップル電圧は大きくなるため、出力電力に応じて容量を選択します。
出力コンデンサ COUT
LED ストリングのリップル電流仕様により、COUT 有無や、容量を決めます。
リップル電流を大きく設定できる場合は、インダクタの L 値を小さくしたり、COUT 容量を小さくまたは削除したりで
きます。これにより電源サイズやコストの低減ができます。
リップル電流を小さくする場合は、インダクタの L 値を大きく、または LED ストリングと並列に COUT を接続します。
リップル電流を小さくするとリップル電流変動による LED の発熱分を低減できます。
また、LED ストリングが出力端から離れた位置にある場合は、COUT を LED ストリングの近くに並列接続し、
リップル電流、リップル電圧を低減します。
位相補償回路 Rs, Cs, Cp
COMP 端子に接続する制御ループの位相補償部品です。位相補償回路の接地点は､IC の GND 端子の近傍
としてください｡IC の GND から遠い場合は､パターンの寄生インダクタンスなどの影響でノイズが COMP 端子に
入り､思わぬ誤動作が起きる場合が有ります｡ご注意ください｡
周波数設定抵抗 RRT
RRT の接続により､LC5710S の発振周波数を 100kHz～500kHz まで可変可能です｡周波数設定用抵抗の接地
点は IC の GND の近傍としてください｡これはノイズが RT 端子に入り不安定動作になるのを防止するためです｡
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参考回路例
1） 降圧型
Fosc=300kHz
ILED=500mA
インダクタ⊿IL=0.4A
LED 直列灯数=5 灯(Vout=17.6V)
VIN=24V
Vsw=24V
Cout(ESR)=10mΩ/セラミック
Cp：Open
D1 はサンケン電気の SJPB-L6
を使用しています｡
(B)昇圧型
Fosc=300kHz
ILED=500mA
インダクタ⊿IL=0.4A
LED 直列灯数=7 灯(Vout=24.6V)
VIN=12V
Vsw=24.6V
Cout(ESR)=10mΩ/セラミック
Cp：Open
D1 はサンケン電気の SJPB-L6
を使用しています｡
I 昇降圧型
Fosc=300kHz
ILED=500mA
インダクタ⊿IL=0.4A
LED 直列灯数=5 灯(Vout=17.6V)
VIN=12V～18V
Vsw=29.6V～35.6V
Cout(ESR)=10mΩ/セラミック
Cp：Open
D1 はサンケン電気の SJPB-L6
を使用しています｡
図 21 (a)～(c)参考回路例
*上記回路例はあくまで参考です｡お客様基板で実働･実験調整等で動作をご確認の上､定数等決定してくだ
さい｡
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9. 参考パターンレイアウト
LC5710S，LC5711S，LC5720S 用弊社デモボードの基板を参考に示します｡
9.1 パターン図
降圧回路用デモボード基板(表)
降圧回路用デモボード基板(裏)
昇圧／昇降圧回路用デモボード基板(表)
昇圧／昇降圧回路用デモボード基板(裏)
図 22 デモボード基板パターン図
9.1.1 フットプリント図
図 23 フットプリント図
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9.2 デモボード回路図
9.2.1 降圧型用デモボード
J1
図 24
*LC5710S､LC5720S の場合 R5，R6 はオープン､Jumper J1 は挿入します｡C7､R7 は LC5710S のみ使用します｡
9.2.2 昇圧／昇降圧型用デモボード
J2
J1
図 25
*Jumper の切り替え
昇圧型
J1=挿入､J2=オープン
昇降圧型 J1=オープン､J2=挿入
* C7､R7 は LC5710S のみ使用します｡
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10. 設計上の注意点
10.1 パターン設計
パターン配線および実装条件によって、誤動作・ノイズ・損失などに大きな影響が現れます。このため、配線の引回し
や部品配置には十分な注意が必要です。
図 26 のように高周波電流がループを作る部分は、ラインパターンを“太く”、部品間の配線を“短く”、ループ内面
積が極力小さくなるようにして、ラインインピーダンスを下げたパターン設計を行います。
また、アースラインは輻射ノイズに大きな影響を与えるため、極力“太く”、“短く”配線します。
スイッチング電源は、高周波、高電圧の電流経路が存在するため、安全規格面を考慮した部品配置、パターン距離
が必要です。(安全低電圧･SELV を超える様な入出力条件の場合)
IC 内蔵パワーMOSFET の ON 抵抗 RDS(ON)は、正の温度係数のため、損失に注意してください。
(B)昇圧型
(A)降圧型
(C)昇降圧型
図 26 高周波ループ（斜線部分）
IC 周辺回路の接続例を図 27 に示します。
(1) 主回路パターン
主回路パターンはスイッチング電流が流れるため、極力“太く”、“短く”配線します。
入力部の高周波電流インピーダンスを下げるため、入力コンデンサ CIN 、VIN 端子、GND 端子で作る
ループは小さくなるように配線します。
(2) GND 端子周り
主回路のスイッチング電流が制御回路へ影響を与えないようにするため、主回路系と制御系のグランドは
GND 端子近傍から専用パターンで配線します。
(3) 電流検出用抵抗 RCS 周り
電流検出時のノイズを低減するため、CSP 端子、および CSN 端子につながる ROVP のパターンは、専用パ
ターンにより ROCP の近傍に配線します。CSP～CSN 間のノイズが大きい場合は“P9､6.応用回路例”の様に
フィルタコンデンサ Cf を追加することも出来ます｡
(4) IC 周辺部品
COMP 端子に接続した位相補償用部品は、COMP 端子と GND 端子近くに接続します。周波数設定抵抗
RRT も同様に RT 端子と GND 端子の近くに接続します｡主回路電流がながれているパターンと共通インピー
ダンスにならない様にご注意ください｡
(5) COUT は、LED ストリングの近くに接続します。
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1） 降圧型
各方式共に､可能であれば､主回路電流が流れる GND と､
信号系の GND は､IC の GND 端子を起点に切り分けして
ください｡調光信号の GND も主回路電流が流れる GND
との分離をお奨めします｡
※太線は主回路
(B)昇圧型
I 昇降圧型
図 27 周辺回路の接続例
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11. 代表特性例 (Ta=25℃)
11.1 効率
図 28-1.降圧モード
ILED=1.0A L=220uH
FOSC=100kHz
図 28-2.降圧モード
ILED=1.0A L=47uH
FOSC=500kHz
図 28-3.降圧モード
ILED=0.5A L=220uH
FOSC=100kHz
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図 28-4.降圧モード
ILED=0.5A L=47uH
FOSC=500kHz
図 28-5.昇圧モード
ILED=0.5A L=100uH
FOSC=100kHz
図 28-6.昇圧モード
ILED=0.5A L=22uH
FOSC=500kHz
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図 28-7.昇降圧モード
ILED=0.5A L=100uH
FOSC=100kHz
図 28-8.昇降圧モード
ILED=0.5A L=22uH
FOSC=500kHz
11.2 低入力保護(UVLO)
図 28-9.降圧モード 5LEDs
ILED=0.5A UVLO
停止→
←起動
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11.3 スイッチング周波数
図 28-10. RT 抵抗値 vs.
スイッチング周波数
11.4 PWM デジタル調光特性例
図 28-11.調光周波数
=1kHz 時の Duty vs. ILED
11.5 アナログ調光特性例
図 28-12. DIM 端子電圧
VDIM vs. ILED
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11.6 CS 端子閾値電圧温度特性
図 28-13.VCS vs.周囲温度
11.7 CS 端子閾値電圧入力変動(LED 直列数=5 個)
図 28-14.VCS vs. VIN
11.8 過熱保護(TSD)
図 28-15.
TSD 動作時の
VCS vs. 周囲温度
(VIN=24V,5LEDs,
ILED=10mA)
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←停止
復帰 →
←通常動作→
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11.9 回路電流 IIN(ON)
図 28-16. IIN(ON) vs. VIN
(RDIM=120kΩ)
11.10 回路電流 IIN(OFF)
図 28-17.停止時回路電流
IIN(OFF) vs. VIN
(VDIM=0V)
11.11 デジタル調光時の波形(1kHz／Duty=5%)
VDIM
図 28-18.PWM 調光
Duty=5%,VDIM,VSW,ILED
(1kHz)
VSW
VDIM：2V/Div
VSW：10V/Div
ILED：500mA/Div
Time：1msec/Div
ILED
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11.12 デジタル調光時の波形(1kHz／Duty=50%)
図 28-19.PWM 調光
Duty=50%,VDIM,VSW,ILED
(1kHz)
VDIM
VDIM：2V/Div
VSW：10V/Div
ILED：500mA/Div
Time：1msec/Div
VSW
ILED
11.13 定常発振波形 降圧モード VIN=30V､5LEDs､Fosc=100kHz
図 28-20. 降圧モード
CH1：VSW：20V/Div
CH2：VIN：10V/Div
CH4：ILED：200mA/Div
Time：5μS/Div
ILED
VIN
VSW
11.14 定常発振波形 降圧モード VIN=30V､5LEDs､Fosc=500kHz
図 28-21. 降圧モード
CH1：VSW：20V/Div
CH2：VIN：10V/Div
CH4：ILED：200mA/Div
Time：5μS/Div
ILED
VIN
VSW
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11.15 定常発振波形 昇圧モード VIN=15V､5LEDs､Fosc=100kHz
図 28-22. 昇圧モード
ILED
CH1：VSW：10V/Div
CH2：VIN：10V/Div
CH4：ILED：200mA/Div
Time：5μS/Div
VIN
VSW
11.16 定常発振波形 昇圧モード VIN=15V､5LEDs､Fosc=500kHz
図 28-23. 昇圧モード
ILED
CH1：VSW：10V/Div
CH2：VIN：10V/Div
CH4：ILED：200mA/Div
Time：5μS/Div
VIN
VSW
11.17 定常発振波形 昇降圧モード VIN=20V､5LEDs､Fosc=100kHz
図 28-24. 昇降圧モード
ILED
CH1：VSW：10V/Div
CH2：VIN：10V/Div
CH4：ILED：200mA/Div
Time：5μS/Div
VIN
VSW
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11.18 定常発振波形 昇降圧モード VIN=20V､5LEDs､Fosc=500kHz
図 28-25. 昇降圧モード
ILED
CH1：VSW：10V/Div
CH2：VIN：10V/Div
CH4：ILED：200mA/Div
Time：5μS/Div
VIN
VSW
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12. 梱包
1.75
12.1 テーピング＆リール外観
φ1.55
部品装着くぼみ角穴
5.55
12.0
送り丸穴
5.5
0.3
φ2.05
2.47
6.7
8.0
4.0
EIAJ No.TE1208
2.0
図 29 テーピング外観
注記
1)寸法表記 : mm
2)表面抵抗 : 109Ω以下
3）図は一定の縮尺で描かれていません
注記:
1)寸法表記 : mm
2) 図は一定の縮尺で
描かれていません
φ13
EIAJ No.RRM-12DC
±0.2
13.5 ±0.5
17.5 ±1.0
図 30 リール外観
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φ330±2
±0.8
φ80±1
φ21
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梱包数量
4000 個／リール
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注意書き
●本書に記載している製品（以下、「本製品」という）のデータ、図、表その他のすべての内容は本書発行時点のもの
となります。本書に記載している内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新の
情報であることを確認してください。
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ております。ご使用の際には、納入仕様書に署名または記名押印のうえご返却をお願いします。高い信頼性が要
求される装置（輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種安全装置など）への使用をご
検討の際には、必ず事前にその使用の適否につき弊社販売窓口へご相談および納入仕様書に署名または記名
押印のうえご返却をお願いします。極めて高い信頼性が要求される装置（航空宇宙機器、原子力制御、生命維持
のための医療機器など）には、文書による弊社の承諾がない限り使用しないでください。
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その他何らかの加工・処理を施す場合には、使用者の責任においてそのリスクを必ずご検討のうえ行ってください。
●弊社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避けられま
せん。本製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害などが発生しないよう、故障発生率お
よびディレーティングなどを考慮のうえ、使用者の責任において、本製品が使用される装置やシステム上で十分な
安全設計および確認を含む予防措置を必ず行ってください。ディレーティングについては、納入仕様書および弊社
ホームページを参照してください。
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ません。
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