1-1-4 リニアレギュレータIC SI-3000ZDシリーズ 面実装・低損失型 ■特長 ■絶対最大定格 ・小型面実装パッケージ （TO263-5） ・出力電流：3.0A ・低損失 VDIF≦0.6V（IO=3.0A時） ・低消費オフ時回路電流 Iq（OFF）≦1μA ・過電流、過熱保護回路内蔵 （Ta ＝ 25℃） 項 目 直流入力電圧 出力制御端子電圧 出力電流 許容損失 接合部温度 動作周囲温度 保存温度 接合部−周囲空気間熱抵抗 接合部−ケース間熱抵抗 ■用途 ・2次側安定化電源（ローカル電源）用 記 号 VIN＊1 VC IO＊1 PD＊3 Tj Top Tstg θj-a θj-c 定格値 10 6 3.0 3 −30∼＋125 −30∼＋85 −40∼＋125 33.3 3 単 位 V V A W ℃ ℃ ℃ ℃/W ℃/W ■推奨動作条件 項 目 入力電圧 出力電流 動作時周囲温度 動作時接合周囲温度 出力電圧可変範囲 記 号 VIN IO Top（a） Top（j） VOADJ 規格値 単 位 V A ℃ ℃ V ＊2∼6＊1 0∼3 −20∼＋85 −20∼＋100 1.2∼5 備 考 SI-3011ZDのみ。ブロック図を参照ください。 ＊1：PD=（VIN−VO）×IOの関係がありますので、使用条件によってはVIN（MAX）、IO（MAX）が限定されます。 ＊2：出力電圧を2.0V以下に設定される場合は、入力電圧は2.4V以上としてください。 （SI-3011ZD） ＊3：ガラスエポキシ基板40×40mm（銅箔エリア100%）実装時 ■電気的特性 （特に指定のない限り、Ta ＝ 25℃、VC＝2V） 規格値 項 目 記 号 設定出力電圧 （SI-3011ZDは基準電圧VADJ） ラインレギュレーション ロードレギュレーション 入出力電圧差 静止時回路電流 オフ時回路電流 出力電圧温度係数 リップル減衰率 過電流保護開始電流＊2 ＊4 制御電圧（出力ON）＊3 制御電圧（出力OFF）＊3 VC端子 制御電流（出力ON） 制御電流（出力OFF） VO（VADJ） 条 件 ΔVOLINE 条 件 ΔVOLOAD 条 件 VDIF 条 件 Iq 条 件 I（ q OFF） 条 件 ΔVO/ΔTa 条 件 RREJ 条 件 IS1 条 件 VC、IH VC、IL IC、IH 条 件 IC、IL 条 件 min. 1.078 SI-3011ZD（可変タイプ） typ. 1.100 VIN＝VO＋1V、IO＝10mA max. 1.122 10 VIN＝3.3∼5V、IO＝10mA（VO=2.5V） 40 VIN＝3.3V、IO＝0∼3A（VO=2.5V） 0.6 IO＝3A（VO=2.5V） 1 1.5 VIN＝VO＋1V、IO＝0A、VC＝2V 1 VIN＝VO＋1V、VC＝0V ±0.3 Tj＝0∼100℃ 60 VIN＝VO＋1V、f＝100∼120HZ、IO＝0.1A 3.2 VIN＝VO＋1V 2 0.8 100 VC=2.7V −5 0 VC＝0V min. 3.234 SI-3033ZD typ. 3.300 VIN＝5V、IO＝10mA 単 位 max. 3.366 10 VIN＝4.5∼5.5V、IO＝10mA 40 VIN＝5V、IO＝0∼3A 0.6 IO＝3A 1 VIN＝5V、IO＝0A、VC＝2V 1.5 1 VIN＝5V、VC＝0V ±0.3 Tj＝0∼100℃ 60 VIN＝5V、f＝100∼120HZ、IO＝0.1A V mA μA A VIN＝5V 2 0.8 100 VC=2.7V 0 VC＝0V ＊1：出力電圧を2.0V以下に設定される場合は、入力電圧は2.4V以上としてください。 ＊4：フの字引き込み型の過電流保護回路を内蔵しています。このため、次のようなアプリケーションでは、起動ミスを起こす場合がありますので使用できません。 ①定電流負荷②プラスマイナス電源③直列電源④グランドアップによるVO調整 IC mV dB ＊2：IS1の規格値は出力電圧Vo（設定出力電圧の条件）の−5%降下点です。 ＊3：出力制御端子Vcはオープンで出力はオフします。各入力レベルはLS-TTL相当です。従ってLS-TTLによる直接ドライブも可能です。 84 mV mV/℃ 3.2 −5 V V μA μA SI-3000ZDシリーズ ■外形図 （単位：mm） ±0.2 10.0 (8.0) ±0.2 1.2 4.5 (4.4) ±0.2 1.3 +0.10 –0.05 (2×R0.45) (6.8) (3°) ±0.3 ±0.15 0.10 (3°) ±0.1 (3°) ±0.2 (R0.3) ±0.2 4.9 2.54 ±0.10 ±0.3 2.0 2.4 (R0.3) (0.75) ±0.2 4.9 0.88 15.30 15.3 9.2± ±0.3 ±0.2 ±0.2 ±0.2 (4.6) 3-R0.3 φ1.5 Dp: 9.2 (15°) (1.75) (0.40) ケース温度測定点 0~6° (0.5) ±0.1 ±0.1 ±0.25 (1.7 0.8 ±0.25 (1.7 ) ) 1 2 3 4 9.9 ±0.25 (1.7 (3°) 2-R0.3 10.0 0.1 ) 0.8 ±0.25 (1.7 ) 樹脂封じ型 不燃化度：94V-0 製品質量：約1.48g 5 ±0.2 (3°) 端子配列 q VC w VIN e GND（製品裏面と共通） r VO t Sense（SI-3011ZDはADJ） ±0.02 ■ブロック図 SI-3011ZD 2 4 + ＊ R3 CIN Drive ON/ OFF 1 TSD OCP AMP1 R1 5 - + + REF VC VO + VIN ADJ - CO R2 CIN ：入力コンデンサ（10μF程度） CO ：出力コンデンサ（47μF以上） SI-3000ZDシリーズは、出力コンデンサにセラミックコンデ ンサ等の低ESRタイプのコンデンサを使用しますと出力電 圧が発振する場合があります。 + 3 GND R1、R2：出力電圧設定抵抗 出力電圧は、R1、R2を上図のように接続することで設定す ることができます。 そのとき、 Ｒ2は10ｋΩまたは11ｋΩを推奨します。 SI-3033ZD VIN 2 4 VO + 5 Drive VC ON/ OFF 1 TSD OCP AMP1 - + SENSE + REF + CIN CO + R1=(VO−VADJ)／(VADJ／R2) ＊VO≦1.8Vに設定する場合はR3を挿入ください。R3は 10kΩを推奨します。 3 GND ■参考データ 接合部−周囲温度間熱抵抗θj-a（℃/W） ガラスエポキシ基板上銅箔面積vs接合部−周囲温度間熱抵抗（代表値） 55 ・モノリシックIC がマウントされていますインナーフレームにつながる銅箔面積を 大きくすることで、放熱効果が上がります。 ・接合部温度の求め方 GND端子の温度：TCを、熱電対等により測定し、次式に代入することで、接合 部温度を求めることができます。 50 ガラスエポキシ基板40×40mm使用時 45 40 35 30 0 Tj=PD×θj−C＋TC PD=（VIN−VO）･IOUT 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 銅箔面積（mm2） IC 85