2SC2921 シリコンNPNエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SA1215とコンプリメンタリ) 試 験 条 件 単位 VCB=160V 100max μA VCEO 160 V IEBO VEB=5V 100max μA VEBO 5 V V(BR)CEO IC=25mA 160min V IC 15 A hFE VCE=4V, IC=5A 50min※ IB 4 A VCE(sat) IC=5A, IB=0.5A 2.0max V PC 150(Tc=25℃) W fT VCE=12V, IE=−2A 60typ MHz Tj 150 ℃ COB VCB=10V, f=1MHz 200typ pF −55∼+150 ℃ ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) 24.4±0.2 2-ø3.2±0.1 IC (A) VB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 60 12 5 –5 500 –500 0.2typ 1.5typ 0.35typ I C – V CE 特性(代 表 例 ) mA 5˚ 12 5A 0 1 2 3 0 4 0 0.2 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 0.4 0.6 0.8 0 1.0 0 ス温 2 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) (V CE =4V) (V C E =4V) 200 1 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性(代表 例 ) C( I C =10A I B =20mA 0 度) ) 度 温 5 ケー 1 ス 50mA 5 10 ー 10 0m A 2 0˚ A 15 0m A ケ コレクタ電流 I C (A) (V CE =4V) mA 200m 10 E C( 300 3.0 +0.3 -0.1 5.45±0.1 C I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) コレクタ電流 I C (A) 400 0.65 +0.2 -0.1 15 3 コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) A 0m A 2 3 製品質量 約18.4g イ.品名 ロ.ロット番号 V CE ( sat) – I B 特 性( 代 表 例 ) 75 6 m 500 ロ B RL (Ω) A イ 5.45±0.1 VCC (V) m 00 9 1.05 +0.2 -0.1 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) 15 2.1 −3 Tstg 6.0±0.2 36.4±0.3 7 記 号 ICBO ˚C V 21.4±0.3 単 位 160 VCBO 外形図 MT-200 (Ta=25℃) 規格値 4.0max 記 号 ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 20.0min ■絶対最大定格 用途:オーディオ、一般用 25 LAPT 2 200 Typ 50 10 0.02 0.1 0.5 1 100 25 ˚C – 30 ˚C 50 20 0.02 10 15 コレクタ電流 I C (A) 0.1 0.5 1 10 100 P c – Ta定 格 s 120 C 5 板 付 80 40 放熱板なし 自然空冷 0.5 0.3 –10 熱 1 放 コレクタ電流 I C (A) m 大 20 2000 限 40 1000 無 遮断周波数 f T (MH Z ) D 10 –1 10 160 Typ エミッタ電流 I E (A) 1 時間 t(ms) 40 80 –0.1 0.1 AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) (V CE =12V) 0 –0.02 10 15 0.5 コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性(代 表 例 ) 60 5 1 最大許容損失 P C (W) 100 過渡熱抵抗 θ j -a (˚C /W) 直流電流増幅率 h FE 直流電流増幅率 h FE 125 ˚C 2 10 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 200 5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 61