2SC2922 シリコンNPNエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SA1216とコンプリメンタリ) ICBO VCB=180V 100max μA V IEBO VEB=5V 100max μA 5 V V(BR)CEO IC=25mA 180min V IC 17 A hFE VCE=4V, IC=8V 30min※ IB 5 A VCE(sat) IC=8A, IB=0.8A 2.0max V MHz pF PC 200(Tc=25℃) W fT VCE=12V, IE=−2A 50typ Tj 150 ℃ COB VCB=10V, f=1MHz 250typ −55∼+150 ℃ ※ランク O(30∼60), Y(50∼100), P(70∼140), G(90∼180) IC (A) VB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 40 4 10 –5 1 –1 0.2typ 1.3typ 0.45typ I C – V CE 特性( 代 表 例 ) 5 50mA 1 2 3 0 4 0 0.2 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 0.6 0.8 Typ 50 125 ˚C 1 5 10 25 ˚C – 30 ˚C 50 10 0.02 17 コレクタ電流 I C (A) 0.1 0.5 ) 度 1 1 5 10 17 1 0.5 0.1 1 10 100 P c – Ta定 格 200 50 80 1000 時間 t(ms) AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) (V CE =12V) 2.4 2 コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性(代表 例 ) 2 θ j-a – t特 性 (V C E =4V) 100 100 0.5 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) 200 直流電流増幅率 h FE 200 0.1 0 1.0 h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) (V CE =4V) 直流電流増幅率 h FE 0.4 ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性 (代表 例 ) 10 0.02 5 5A I B =20mA 0 温 I C =10A 1 10 ス 100 mA 2 ー A ケ 200m 10 C( mA 5˚ コレクタ電流 I C (A) 15 A 400m 300 0 (V CE =4V) 17 3 12 50 E 0mA コレクタ電流 I C (A) 15 A 3.0 +0.3 -0.1 5.45±0.1 C I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) 過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W) m 600 0.65 +0.2 -0.1 製品質量 約18.4g イ.品名 ロ.ロット番号 V CE (sat) – I B 特 性 ( 代 表 例 ) コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) A 1.5 7 A 2 3 B RL (Ω) m 00 ロ 5.45±0.1 VCC (V) 1A イ 1.05 +0.2 -0.1 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) 17 9 度) Tstg 2-ø3.2±0.1 ス温 VEBO 2.1 ケー 180 24.4±0.2 C( VCEO 6.0±0.2 36.4±0.3 0˚ V −3 180 ˚C VCBO 記 号 7 単位 21.4±0.3 規格値 記 号 外形図 MT-200 (Ta=25℃) 試 験 条 件 単 位 4.0max ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 20.0min ■絶対最大定格 用途:オーディオ、一般用 25 LAPT 10 m 160 s Typ DC 板 付 最大許容損失 P C (W) 熱 1 120 放 5 大 40 限 コレクタ電流 I C (A) 10 無 遮断周波数 f T (MH Z ) 60 80 20 0 –0.02 0.2 –0.1 –1 エミッタ電流 I E (A) 62 40 放熱板なし 自然空冷 0.5 –5 –10 2 10 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 300 5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150 2000