2sc4886 ds jp

2SC4886
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SA1860とコンプリメンタリ)
V
IEBO
5
V
V(BR)CEO
14
A
hFE
100max
μA
IC＝25mA
150min
V
A
VCE(sat)
IC＝5A, IB＝500mA
2.0max
V
fT
VCE＝12V, IE＝−2A
60typ
MHz
150
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
200typ
pF
℃
ø3.3±0.2
イ
ロ
1.75
1.05 +0.2
-0.1
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
VCC
(V)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
60
12
5
10
–5
0.5
–0.5
0.26typ
1.5typ
0.35typ
(V CE =4V)
I C =10A
5A
0
1
2
3
0
4
0
0.2
0.4
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
0.6
0.8
h FE – I C 特性（代表 例 ）
(V C E =4V)
50
20
0.02
0.1
0.5
1
5
100
25 ˚C
– 30 ˚C
50
20
0.02
10 14
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
5
10 14
0.1
1
10
Typ
10
10
0m
m
s
s
s
60
5
板
40
付
放熱板なし
自然空冷
熱
0.5
20
放
1
大
最大許容損失 P C (W)
DC
10
限
40
P c – Ta定 格
無
コレクタ電流 I C (A)
60
20
0.1
–0.1
–1
エミッタ電流 I E (A)
120
–10
0.05
2
1000 2000
80
1m
0
–0.02
100
時間 t(ms)
40
80
ス温
0.5
AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
(V CE =12V)
ケー
1
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性（代表 例 ）
2
3
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W)
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h FE
125 ˚C
Typ
1
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
200
100
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
遮断周波数 f T (MH Z )
0
1.0
ベース電流 I B (A)
200
度）
）
度
温
5
ス
1
5˚
I B =20mA
10
ー
50m A
2
ケ
10 0m A
0
E
C（
A
A
150m
5
製品質量 約6.5g
イ．品名
ロ．ロット番号
14
12
コレクタ電流 I C (A)
200m
10
C
3.35
A
コレクタ電流 I C (A)
300m
1.5
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
3
A
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
400m
75
0m
A
14
4.4
B
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
1.5
A
0m
60 0mA
50
0.8
2.15
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
I C – V CE 特性（代 表 例 ）
3.45 ±0.2
C（
−55∼＋150
5.5±0.2
0˚
Tj
15.6±0.2
50min※
VCE＝4V, IC＝5A
W
3
Tstg
VEB＝5V
80(Tc＝25℃)
IB
PC
μA
−3
IC
100max
˚C
VEBO
単位
VCB＝150V
3.0
150
試 験 条 件
0.8±0.2
VCEO
記 号
5.5
ICBO
1.6
V
3.3
150
23.0±0.3
単 位
VCBO
記 号
外形図 FM100(T03PF)
(Ta＝25℃)
規格値
9.5±0.2
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
16.2
■絶対最大定格
用途：オーディオ、一般用
25
LAPT
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
150
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150