シリコン NPN エピタキシャルプレーナ型トランジスタ 2SC6145 2008 年 10 月 ◆パッケージ ◆特長 ●LAPT（高周波用マルチエミッタトランジスタ） パッケージ名：MT-100 (TO3P) ●チップの薄厚化により、内部インピーダンスを低減 ●2SA2223 とコンプリメンタリ ◆アプリケーション ●オーディオ 出力 ◆内部等価回路図 Ｃ(2) Ｂ(1) Ｅ(3) 絶対最大定格 （Ｔａ＝２５℃） 項目 記号 定格 単位 コ レ ク タ ・ ベ ー ス 電 圧 ＶCBO ２３０ Ｖ コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 電 圧 ＶCEO ２３０ Ｖ エ ミ ッ タ ・ ベ ー ス 電 圧 VEBO ５ Ｖ 流 ＩC １５ Ａ 流 IB ４ Ａ 失 PC １６０ （Ｔｃ＝２５℃） Ｗ 度 Ｔj １５０ ℃ 度 Ｔｓｔｇ －５５～１５０ ℃ コ ベ レ ー 許 接 保 ク タ ス 容 合 電 損 部 存 電 温 温 サンケン電気株式会社 http://www.sanken-ele.co.jp T01-005JA-081027 シリコン NPN エピタキシャルプレーナ型トランジスタ 2SC6145 2008 年 10 月 電気的特性 （Ｔａ＝２５℃） 項目 記号 規格 条件 MIN TYP 単位 MAX 最大コレクタ遮断電流 ICBO VCB=230V 10 μA 最大エミッタ遮断電流 IEBO VEB=5V 10 μA コレクタ・エミッタ電圧 VCEO IC=25mA 230 hFE * VCE=4V, IC=5A 40 コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE（sat） IC=5A, IB=0.5A 遮断周波数 ｆＴ VCE=12V,IE=-2A 60 MHz コレクタ接合容量 Cob VCB=10V，IE=0A ｆ=１MHｚ 250 pF 直流電流増幅率 V 140 0.5 V * hFE ランク ：40～80（R），50～100(O)，70～140(Y) サンケン電気株式会社 T01-005JA-081027 シリコン NPN エピタキシャルプレーナ型トランジスタ 2SC6145 2008 年 10 月 Characteristic Curves (Tc=25℃) IC-VCE Curve VCE(sat) - IB Curve 3 10 2 IC [A] VCE(sat) [V] 15 1 5 0 0 0 1 2 3 0 4 0.5 1 2 hFE - IC Temperature Curve IC - VBE Temperature Curve (VCE=4V ) 15 (VCE=4V ) 1000 100 hFE IC [A] 10 10 5 1 0.01 0 0 0.5 1 1.5 2 0.1 1 10 100 IC [A] VBE [V] A.S.O. Curve fT - IE Curve (VCE=12V ) 80 100 10 IC [A] 60 fT [MHz] 1.5 IB [A] VCE [V] 40 1 0.1 20 Test Condition Single pulse Without Heatsink Natural cooling Ta=25C 0 0.01 0.01 0.1 1 10 100 1 10 100 1000 VCE [V] -IE [A] サンケン電気株式会社 T01-005JA-081027 シリコン NPN エピタキシャルプレーナ型トランジスタ 2SC6145 2008 年 10 月 Characteristic Curves (Tc=25℃) Pc-Ta Curve θj-a － t 200 10.00 150 PC [W] θj-a [C/W] 1.00 100 0.10 50 3.5 0 0.01 1 10 100 1000 0 25 t [ms] 50 75 100 125 150 Ta [C] サンケン電気株式会社 T01-005JA-081027 シリコン NPN エピタキシャルプレーナ型トランジスタ 2SC6145 2008 年 10 月 外形図 MT-100 (TO3P) 4.8 ± 0.2 2 ± 0.1 +0.2 1.7 -0.3 （根元寸法） 2.15 3.15 1.05 5.45 ± 0.1 5.45 （根元寸法） +0.2 -0.1 +0.2 -0.1 +0.2 -0.1 (20.5) 3.9 14.9 ± 0.3 Φ 3.2 ± 0.1 ± 0.3 ± 0.3 19.9 15.6 0.65 ± 0.1 +0.2 -0.1 （根元寸法） 15.8 ± 0.3 0.7 0.7 平面状態図 1 2 0.7 0.7 側面状態図 3 質量 約 6.0g サンケン電気株式会社 T01-005JA-081027 シリコン NPN エピタキシャルプレーナ型トランジスタ 2SC6145 2008 年 10 月 お問い合わせ先 ●東京事務所 〒１７１－００２１ 東京都豊島区西池袋１－１１－１(メトロポリタンプラザビル) TEL：０３－３９８６－６１６６ ●大阪支店 〒５３０－００５７ 大阪市北区曽根崎２－１２－７(梅田第一ビル) TEL：０６－６３１２－８７１６ ●名古屋営業所 〒４５０－０００２ 名古屋市中村区名駅４－２６－２２(名駅ビル) TEL：０５２－５８１－２７６７ ●九州営業所 〒８１２－００１１ 福岡市博多区博多駅前２－２－１(福岡センタービル) TEL：０９２－４１１－５８７１ サンケン電気株式会社 T01-005JA-081027 シリコン NPN エピタキシャルプレーナ型トランジスタ 2SC6145 2008 年 10 月 ご注意 ・本資料に記載されている内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、 最新の情報であることをご確認ください。 ・本資料に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する当 社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を負い ません。 ・本資料に記載されている製品をご使用の場合は、これらの製品と目的物との組み合わせについて使用者 の責任に於いて検討・判断を行ってください。 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避け られません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させないよう、 使用者の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。 ・本資料に記載されている製品は、一般電子機器（家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など） に使用されることを意図しております。ご使用の場合は、納入仕様書の締結をお願いします。 高い信頼性が要求される装置（輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種安 全装置など）への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書の締結をお願いし ます。 極めて高い信頼性が要求される装置（航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など）に は、当社の文書による合意がない限り使用しないでください。 ・本資料に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。 ・本資料に記載された内容を文書による当社の承諾無しに転記複製を禁じます。 ・ 本資料に記載されている製品(または技術)を国際的な平和及び安全の維持の妨げとなる使用目的を 有する者に再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり第三者に使用させたりしないよう にお願いします。 尚、輸出等される場合は外為法のさだめるところに従い必要な手続きをおとりください。 サンケン電気株式会社 T01-005JA-081027