MOSFET 2SK3711 2005 年 12 月 ◆パッケージ ◆特長 パッケージ名：TO-3P ●低オン抵抗 ●ゲート保護用 Di 内蔵 ●アバランシェ エネルギー耐量保証 ◆アプリケーション ●車載電動パワーステアリング ●大電流スイッチ ◆内部等価回路図 Ｄ(2) Ｇ(1) Ｓ(3) ◆絶対最大定格 （Ｔａ＝２５℃） 項目 記号 定格 単位 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 圧 ＶＤＳＳ ６０ Ｖ ゲ ー ト ・ ソ ー ス 電 圧 ＶＧＳＳ ±２０ Ｖ ＩＤ ±７０Ａ Ａ ±１４０Ａ Ａ １３０ （Ｔｃ＝２５℃） Ｗ ４６８ ｍＪ ドレ イン電流 （直 流） ド レ イ ン 電 流 （ パ ル ス ） 許 容 損 失 アバランシェエネルギー耐量 （単一パルス） チ ャ 保 ネ 存 ル 温 温 ＩＤ（pulse） ※１ ＰＤ ＥＡＳ ※２ 度 Ｔｃｈ １５０ ℃ 度 Ｔｓｔｇ －５５～１５０ ℃ ※１ ＰＷ≦１００μｓｅｃ．，ｄｕｔｙ ｃｙｃｌｅ≦１％ ※２ ＶＤＤ=２０Ｖ，Ｌ=１ｍＨ，ＩＬp=２５Ａ，ｕｎｃｌａｍｐｅｄ，ＲＧ=５０Ω，図１参照 . サンケン電気株式会社 http://www.sanken-ele.co.jp 1/8 T01-002JA-051117 MOSFET 2SK3711 2005 年 12 月 電気的特性 （Ｔａ＝２５℃） 項目 記号 規格 条件 MIN ID=100μA,VGS=0V TYP 単位 MAX ドレイン・ソース降伏電圧 Ｖ(BR)ＤＳＳ ６０ V ゲート・ソース漏れ電流 ＩＧＳＳ VGS=±15V ±１０ μA ドレイン・ソース漏れ電流 ＩＤＳＳ VDS=６０V, VGS=0V １００ μA ゲートしきい値電圧 ＶＴＨ VDS=10V, ID=1mA ２．０ ３．０ ４．０ V 直流伝達コンダクタンス Ｒｅ（Yfs） VDS=10V, ID=35A ３０ ８０ 直流オン抵抗 ＲＤＳ（ON） ID=35A, VGS=10V 入力容量 Ｃｉｓｓ VDS=10V 8000 出力容量 Ｃｏｓｓ VGS=0V 1250 帰還容量 Ｃｒｓｓ f=1MHz 1000 オン時遅れ時間 ｔｄ（on） ID=35A, VDD≒20V 110 立上り時間 ｔｒ RL=0.57Ω, VGS=10V 100 440 5.0 ｔｄ（off） Rg=22Ω 下降時間 ｔｆ 図２参照 160 ソース・ドレイン間Ｄｉ順電圧 ＶＳＤ ISD=50A,VGS=0V 0.9 時間 ｔｒｒ 6.0 mΩ pF ns オフ時遅れ時間 ソース・ドレイン Di 逆回復 S ISD=25A, ｄｉ/ｄｔ=50A/μｓ 100 1.5 V ｎｓ サンケン電気株式会社 T01-002JA-051117 2/8 MOSFET 2SK3711 2005 年 12 月 Characteristic Curves (Tc=25℃) 2SK3711 RDS(ON)-Tc 特性 代表例 2SK3711 ID-VDS 特性 代表例 12.0 80 Ta=25℃ VGS=10V ID=35A VGS=10V 10.0 70 VGS=5.0V 60 8.0 RDS(ON) (mΩ) VGS=4.5V ID (A) 50 6.0 40 4.0 30 2.0 20 VGS=4.0V 0.0 -100 10 0 0.0 0.5 1.0 VDS (V) 1.5 -50 0 50 Tc (℃) 100 150 200 2.0 2SK3711 RDS(ON)-ID 特性 代表例 2SK3711 PD-TC 定格 140 7.0 ∞ Fin Ta=25℃ VGS=10V 6.0 120 5.0 RDS(ON) (mΩ) 100 PD (W) 80 4.0 3.0 60 2.0 40 1.0 0.0 20 0 10 20 30 40 ID (A) 50 60 70 80 0 0 50 100 150 Tc (℃) 2SK3711 VDS-VGS 特性 代表例 2SK3711 ID-VGS 特性 代表例 1.0 80 VDS=10V 70 0.8 60 0.6 ID (A) VDS (V) 50 40 0.4 ID=70A Tc=-55℃ Tc=25℃ 30 Tc=150℃ ID=35A 0.2 20 0.0 10 0 5 10 VGS (V) 15 20 0 0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 VGS (V) 5.0 6.0 7.0 サンケン電気株式会社 T01-002JA-051117 3/8 MOSFET 2SK3711 2005 年 12 月 Characteristic Curves (Tc=25℃) 2SK３７１１ SAFE OPERATING AREA 2SK3711 capacitance-VDS 特性 代表例 2SK3711 IDR-VＳＤ 特性 代表例 1000 80 100000 Ta=25℃ VGS=0V f=1MHz 70 ID(pu lse ) m ax 10000 Ciss RDS (o n ) LIM IT ED 40 Tc=150℃ ID [A] capacitance (pF) 50 1 m s ( 1 sh o t ) 1 0 m s (1 sh o t ) 10 30 Tc=25℃ 1000 Coss Tc=-55℃ 1 20 Crss 10 0.1 100 0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 VSD (V) 1.0 1.2 0 1.4 10 20 30 40 0.1 50 過渡熱抵抗 θｊｃ 1 10 100 VDS [V] VDS (V) ２SK3711 10 1 θｊ-ｃ （℃/W） IDR (A) ５0 0 μs(1 sh o t ) 100 60 0.1 0.01 0.0001 0.001 0.01 0.1 PW （sec） 1 10 100 サンケン電気株式会社 T01-002JA-051117 4/8 MOSFET 2SK3711 2005 年 12 月 図１ アバランシェエネルギー耐量 測定方法 L EAS= V(BR)DSS 1 ･L･ILP2・ 2 V(BR)DSS − VDD V(BR)DSS IL VDS ILp RG VDS VDD VGS IL VDD 0V （ａ） 測定回路 (b) 出力波形 図２ スイッチングタイム 測定方法 RL VDD≒20V ID ID=35A VDS RG RL=0.57Ω VDD VGS VGS=10V 0V RG=22Ω P.W.=10μs Duty cycle≦1% （ａ） 測定回路 90% VGS 10% 90% VDS 10% td(on) tr td(off) ton tf toff （ｂ） 出力波形 サンケン電気株式会社 T01-002JA-051117 5/8 MOSFET 2SK3711 2005 年 12 月 外形図 (TO3P) 15.6 ±0.3 5.0 MAX 14.0 ±0.3 2.1 MAX 13.6 ±0.2 9.6 3.2 ±0.2 φ±0.1 1.7 +0.2 -0.3 15.8 ±0.2 0.6 1.0 +0.2 -0.1 +0.2 -0.1 2 +0.2 -0.1 3 +0.2 -0.1 5.45 ±0.1 (1) 2 +0.2 -0.1 5.45 ±0.1 (2) (3) 質量 約 6.0g サンケン電気株式会社 T01-002JA-051117 6/8 MOSFET 2SK3711 2005 年 12 月 お問い合わせ先 ●東京事務所 〒１７１－００２１ 東京都豊島区西池袋１－１１－１(メトロポリタンプラザビル) TEL：０３－３９８６－６１６６ ●大阪支店 〒５３０－００５７ 大阪市北区曽根崎２－１２－７(梅田第一ビル) TEL：０６－６３１２－８７１６ ●名古屋営業所 〒４５０－０００２ 名古屋市中村区名駅４－２６－２２(名駅ビル) TEL：０５２－５８１－２７６７ ●九州営業所 〒８１２－００１１ 福岡市博多区博多駅前２－２－１(福岡センタービル) TEL：０９２－４１１－５８７１ サンケン電気株式会社 T01-002JA-051117 7/8 MOSFET 2SK3711 2005 年 12 月 ご注意 ・本資料に記載されている内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、 最新の情報であることをご確認ください。 ・本資料に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する当 社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を負い ません。 ・本資料に記載されている製品をご使用の場合は、これらの製品と目的物との組み合わせについて使用者 の責任に於いて検討・判断を行ってください。 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避け られません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させないよう、 使用者の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。 ・本資料に記載されている製品は、一般電子機器（家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など） に使用されることを意図しております。ご使用の場合は、納入仕様書の締結をお願いします。 高い信頼性が要求される装置（輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種安 全装置など）への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書の締結をお願いし ます。 極めて高い信頼性が要求される装置（航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など）に は、当社の文書による合意がない限り使用しないでください。 ・本資料に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。 ・本資料に記載された内容を文書による当社の承諾無しに転記複製を禁じます。 ・ 本資料に記載されている製品(または技術)を国際的な平和及び安全の維持の妨げとなる使用目的を 有する者に再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり第三者に使用させたりしないよう にお願いします。 尚、輸出等される場合は外為法のさだめるところに従い必要な手続きをおとりください。 サンケン電気株式会社 T01-002JA-051117 8/8