fkp252 ds jp

MOS FET
FKP252
2005 年 12 月
◆外形図
◆特長
パッケージ名:TO220F
●低オン抵抗
●低入力容量
●アバランシェ エネルギー耐量保証
◆アプリケーション
●PDP パネルドライブ
●高速SW
◆内部等価回路図
D(2)
G(1)
S(3)
絶対最大定格
(Ta=25℃)
項目
記号
定格
単位
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 圧
VDSS
250
V
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 電 圧
VGSS
±30
V
ID
±25A
A
±100A
A
40 (Tc=25℃)
W
200
mJ
ドレ イン電流 (直
流)
ド レ イ ン 電 流 ( パ ル ス )
許
容
損
失
アバランシェエネルギー耐量
(単一パルス)
ア
チ
バ
ラ
ャ
保
ン
ネ
存
シ
ェ
ル
温
電
温
ID(pulse)
※1
PD
EAS
※2
流
IAS
25
A
度
Tch
150
℃
度
Tstg
-55~150
℃
※1 PW≦100μsec.,duty cycle≦1%
※2 VDD=20V,L=590μH,ILp=25A,unclamped,RG=50Ω,図1参照
.
サンケン電気株式会社
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電気的特性
(Ta=25℃)
項目
記号
規格
条件
MIN
ID=100μA,VGS=0V
TYP
単位
MAX
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS
250
V
ゲート・ソース漏れ電流
IGSS
VGS=±30V
±100
nA
ドレイン・ソース漏れ電流
IDSS
VDS=250V, VGS=0V
100
μA
ゲートしきい値電圧
VTH
VDS=10V, ID=1mA
3.0
4.5
V
直流伝達コンダクタンス
Re(Yfs)
VDS=10V, ID=12A
13
直流オン抵抗
RDS(ON)
ID=12A, VGS=10V
入力容量
Ciss
VDS=25V
2000
出力容量
Coss
VGS=0V
330
帰還容量
Crss
f=1MHz
70
オン時遅れ時間
td(on)
ID=12A, VDD≒120V
30
立上り時間
tr
RL=10Ω, VGS=10V
50
21
68
75
mΩ
pF
ns
td(off)
Rg=5Ω
100
下降時間
tf
図2参照
40
ソース・ドレイン間Di順電圧
VSD
ゲートしきい値電圧温度
⊿VTH
変化率
/⊿Tch
オフ時遅れ時間
S
ISD=25A,VGS=0V
0.9
VDS=10V, ID=1mA
-8
1.5
V
mV/℃
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Characteristic Curves
ID-VDS Characteristics (typical)
ID-VGS Characteristics (typical)
VDS=10V
VGS=10
25
(Tc=25℃)
25
6.0
20
20
5.5
15
ID (A)
ID (A)
15
10
10
5.0
Tc=-55℃
5
Tc= 25℃
5
Tc=125℃
0
0
0
2
4
6
8
10
0
2
4
VDS (V)
6
8
10
VGS (V)
RDS(on)-ID Characteristics (typical)
VDS-VGS Characteristics (typical)
VGS=10V
0.12
4
0.10
3
VDS (V)
0.06
2
ID=25A
0.04
1
ID=12A
0.02
0.00
0
0
5
10
15
20
25
1
10
VGS (V)
ID (A)
RDS(on) -Tc Characteristics (typical)
100
ID=12A
VGS=10V
0.20
RDS(on) (Ω)
RDS(on) (Ω)
0.08
0.10
0.00
-100
-50
0
50
100
150
Tc (℃)
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Characteristic Curves
(Tc=25℃)
Capacitance-VDS Characteristics (typical)
Re(yfs)-ID Characteristics (typical)
f=1MHz
VGS=0V
VDS=10V
100
10000
Ciss
1000
Tc=-55℃
1
Capacitacnce (pF)
Re(yfs) (S)
10
Tc= 25℃
Tc=125℃
0.1
Cos
100
Crs
0.01
0.01
0.1
1
ID (A)
10
100
IDR-VSD Characteristics (typical)
10
25
0
10
20
30
40
50
VDS (V)
20
SAFE OPERATING AREA
1000
IDR (A)
15
ID(pulse) max
100
10
ID max
100μs(1shot)
10V
10
VGS=0V
ID [A]
5
RDS(on) LIMITED
1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
VSD (V)
0.8
1.0
1.2
1ms (1shot)
Tc=25℃
P D-Ta C ha r a ct er ist ics
0.1
50
DC OPERATION
0.01
40
0.1
1
10
VDS [V]
100
1000
With infinite heatsink
PD (W)
30
20
10
Without heatsink
0
0
50
100
150
Ta (℃)
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図1 アバランシェエネルギー耐量 測定方法
L
EAS=
V(BR)DSS
1
・L・ILP2・
2
V(BR)DSS − VDD
V(BR)DSS
IL
VDS
ILp
RG
VDS
VDD
VGS
IL
VDD
0V
(a) 測定回路
(b) 出力波形
図2 スイッチングタイム 測定方法
RL
VDD≒120V
ID
ID=12A
VDS
RG
RL=10Ω
VDD
VGS
VGS=10V
RG=5Ω
0V
P.W.=10μs
Duty cycle≦1%
(a) 測定回路
90%
VGS
10%
90%
VDS
10%
td(on)
tr
td(off)
ton
tf
toff
(b) 出力波形
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外形図
FM20 (TO220 Full Mold)
質量
約 2g
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お問い合わせ先
●東京事務所
〒171-0021 東京都豊島区西池袋1-11-1(メトロポリタンプラザビル)
TEL:03-3986-6166
●大阪支店
〒530-0057 大阪市北区曽根崎2-12-7(梅田第一ビル)
TEL:06-6312-8716
●名古屋営業所
〒450-0002 名古屋市中村区名駅4-26-22(名駅ビル)
TEL:052-581-2767
●九州営業所
〒812-0011 福岡市博多区博多駅前2-2-1(福岡センタービル)
TEL:092-411-5871
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ご注意
・本資料に記載されている内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、
最新の情報であることをご確認ください。
・本資料に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する当
社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を負い
ません。
・本資料に記載されている製品をご使用の場合は、これらの製品と目的物との組み合わせについて使用者
の責任に於いて検討・判断を行ってください。
当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避け
られません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させないよう、
使用者の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。
・本資料に記載されている製品は、一般電子機器(家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など)
に使用されることを意図しております。ご使用の場合は、納入仕様書の締結をお願いします。
高い信頼性が要求される装置(輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種安
全装置など)への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書の締結をお願いし
ます。
極めて高い信頼性が要求される装置(航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など)に
は、当社の文書による合意がない限り使用しないでください。
・本資料に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。
・本資料に記載された内容を文書による当社の承諾無しに転記複製を禁じます。
・ 本資料に記載されている製品(または技術)を国際的な平和及び安全の維持の妨げとなる使用目的を
有する者に再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり第三者に使用させたりしないよう
にお願いします。
尚、輸出等される場合は外為法のさだめるところに従い必要な手続きをおとりください。
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