C 等価回路 2SD1796 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ ICBO VCEO 60±10 単位 VCB=50V 10max μA mA V IEBO VEB=6V 10max VEBO 6 V V(BR)CEO IC=10mA 60±10 IC 4 A hFE IB 0.5 A VCE(sat) PC 25(Tc=25℃) W fT 150 ℃ COB −55∼+150 ℃ V IC=3A, IB=10mA 1.5max V VCE=12V, IE=−0.2A 60typ MHz VCB=10V, f=1MHz 45 typ pF 1.35±0.15 1.35±0.15 RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 30 10 3 10 –5 10 –10 1.0typ 4.0typ 1.5typ 1 0.3mA 0 1 2 3 1 I C =1 A 0 0.2 4 0.5 1 5 10 50 (V C E =4V) 10000 直流電流増幅率 h FE Typ 5000 1000 500 100 5000 12 5˚C ˚C 25 C 0˚ –3 1000 500 100 50 0.5 1 50 0.05 4 0.1 コレクタ電流 I C (A) 0.5 1 4 温度) 度) 1 V CB =10V I E =–2V 0.5 1 10 100 1000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性(代 表 例 ) 2 5 過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W) 20000 10000 1 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) 20000 0.1 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE =4V) AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) P c – Ta定 格 (V CE =10V) 30 10 120 自然空冷 シリコーングリス 放熱板はアルミ 寸法単 位はmm 1m m s 10 5 10 100 s 0m Typ 60 40 最大許容損失 P C (W) コレクタ電流 I C (A ) 80 DC s 遮断周波数 f T (MH Z ) 直流電流増幅率 h FE 0 100 ベース電流 I B (mA) h FE – I C 特性(代 表 例 ) 0.05 2 1 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 温度) 4A ケース I C= 2 A (ケース I C= I C= 3 A ス温 0.4 mA 2 3 2 ケー コレクタ電流 I C (A) 0. 5m A ˚C( 0 .6 m A 3 125 0 .8 m A コレクタ電流 I C (A) = (V CE =2V) 4 A コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) IB 0 I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) 3 1.0m 製品質量 約2.0g イ.品名 ロ.ロット番号 B C E V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 ) I C – V CE 特性( 代 表 例 ) A 2.4±0.2 2.2±0.2 VCC (V) m 20 0.85 +0.2 -0.1 0.45 +0.2 -0.1 2.54 2.54 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) 4 ø3.3±0.2 イ ロ 2 5 ˚C ( Tstg 2000min 4.2±0.2 2.8 c0.5 − 3 0 ˚C Tj VCE=4V, IC=3A 10.1±0.2 4.0±0.2 V 規格値 0.8±0.2 60±10 外形図 FM20(T0220F) (Ta=25℃) 試 験 条 件 ±0.2 VCBO 記 号 3.9 単 位 8.4±0.2 ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 記 号 (3 k Ω)(1 5 0Ω) E 用途:ソレノイド、リレー、モータ駆動、一般用 16.9±0.3 ■絶対最大定格 B 13.0min サージ電圧吸収 ダーリントン 1 0.5 20 無 1 00x 1 0 10 放熱板なし 自然空冷 20 限 150x150x2 0x 大 放 熱 板 付 2 50x50x2 0.1 放熱板なし 2 0 –0.01 0.05 –0.1 エミッタ電流 I E (A) –1 –4 3 5 10 50 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 100 0 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 139