等価回路 2SD2014 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SB1257とコンプリメンタリ) 10max μA IEBO VEB=6V 10max mA V(BR)CEO IC=10mA 80min V 120 V ICBO VCEO 80 V VEBO 6 V IC 4 A hFE VCE=2V, IC=3A 2000min IB 0.5 A VCE(sat) IC=3A, IB=3mA 1.5max PC 25(Tc=25℃) W VBE(sat) IC=3A, IB=3mA 2.0max V Tj 150 ℃ fT VCE=12V, IE=−0.1A 75typ MHz −55∼+150 ℃ COB VCB=10V, f=1MHz 45typ pF 3.9 V 1.35±0.15 1.35±0.15 IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 30 10 3 10 –5 10 –10 1.0typ 4.0typ 1.5typ 0.3mA 3 0.2 1 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 5 10 50 直流電流増幅率 h FE 5000 1000 500 100 5000 12 1 5˚C ˚C 25 C 0˚ –3 1000 500 100 50 0.5 50 30 0.03 4 0.1 コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性(代 表 例 ) 0.5 1 4 0.5 1 5 10 0m 1m m s s 温度) (ケース 付 2 50x50x2 放熱板なし 自然空冷 20 0x 板 1 00x 1 0 10 熱 最大許容損失 P C (W) 放 コレクタ電流 I C (A) 150x150x2 大 0.5 限 1 無 40 ケース 20 s DC Typ 自然空冷 シリコーングリス 放熱板はアルミ 寸法単位はmm s 10 0µ 10 500 1000 P c – Ta定 格 30 5 100 100 25 10 120 50 時間 t(ms) AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) 60 温度) 度) 1 (V CE =10V) 遮断周波数 f T (MH Z ) ス温 5 コレクタ電流 I C (A) 80 2 10000 Typ 過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W) 直流電流増幅率 h F E (V CE =4V) 20000 20000 1 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) 10000 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE =4V) 0.1 0 100 ベース電流 I B (mA) h FE – I C 特性(代 表 例 ) 0.03 ケー 1 0 4 1A 2 2 5 ˚C ( 1 2A 1 I C =4 A 3A ˚C( 0. 4m A 2 3 2 125 コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) コレクタ電流 I C (A) 0. 5m A コレクタ電流 I C (A) A 0m A IB =2 0 .8 m 0 .6 m A 2 (V CE =4V) 4 mA 3 30 I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) 3 4 製品質量 約2.0g イ.品名 ロ.ロット番号 B C E V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 ) I C – V CE 特性( 代 表 例 ) 1 2.4±0.2 2.2±0.2 RL (Ω) 0 0.85 +0.2 -0.1 0.45 +0.2 -0.1 2.54 2.54 VCC (V) 0 ø3.3±0.2 イ ロ ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) 1.0 4.2±0.2 2.8 c0.5 − 3 0 ˚C Tstg 10.1±0.2 4.0±0.2 VCB=120V VCBO 記 号 0.8±0.2 単位 ±0.2 規格値 単 位 記 号 外形図 FM20(T0220F) (Ta=25℃) 試 験 条 件 規 格 値 8.4±0.2 ■電気的特性 (Ta=25℃) (3kΩ) (200Ω) E 用途:ソレノイド、リレー、モータ駆動、シリーズレギュレータ、一般用 16.9±0.3 ■絶対最大定格 B 13.0min ダーリントン C 0.1 放熱板なし 2 0 –0.02 0.05 –0.05 –0.1 –0.5 –1 エミッタ電流 I E (A) 140 –4 3 5 10 50 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 100 0 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150